成都光电电流放大器

雪崩二极管与PIN光电二极管有何区别PIN: 光敏面接收对应波长的光照时，产生光生电流；雪崩光电二极管（APD）：除了和PIN相同部分外，多了一个雪崩增益区，光生电流会被放大，放大的倍数称为雪崩增益系数。当然同时也会产生噪声电流。PIN光电二极管、雪崩光电二极管均属于半导体光电探测器，所使用的材料一样，光谱响应范围也一样。PIN光电二极管优点在于响应度高响应速度快，频带也较宽工作电压低，偏置电路简单在反偏压下可承受较高的反向电压，所以线性输出范围宽不足之处在于I层电阻很大管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。所以PIN光电二极管通常接有前置放大器。深圳实时光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。成都光电电流放大器

与其他光电二极管相比，雪崩光电二极管在高反向偏置条件下工作。因此，通过光撞击或光子形成的电荷载流子使雪崩倍增。雪崩作用可使光电二极管的增益提高数倍，以提供高灵敏度范围。雪崩击穿主要发生在光电二极管承受最大反向电压时，该电压增强了耗尽层之外的电场。当入射光穿透 p+ 区域时，它会在电阻极大的 p 区域内被吸收，然后生成电子-空穴对。只要存在高电场，电荷载流子包括其饱和速度就会漂移到 pn+ 区域。当速度高时，载流子将通过其他原子碰撞并产生新的电子-空穴对，巨大的电荷载流子对将导致高光电流。重庆实时光电接收模块四川紫外光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

雪崩二极管的结构可分为两大类：单漂移区雪崩二极管和双漂移区雪崩二极管。单漂移区雪崩二极管的结构有PN、 PIN、 P NN (或N PP )、P NIN (或N PIP )、MNN 。其中P NN 结构工艺简单,在适中的电流密度下能获得较大的负阻，且频带较宽，因此在工业中应用较多。双漂移区雪崩二极管是 1970 年以后出现的，其结构为P PNN ，实质上相当于两个互补单漂移区雪崩二极管的串联，从而有效地利用了电子和空穴漂移空间，因此输出功率和效率均较高。制造雪崩二极管的材料主要是硅和砷化镓。雪崩二极管具有功率大、效率高等优点。它是固体微波源，特别是毫米波发射源的主要功率器件，泛地使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中。其主要缺点是噪声较大。

雪崩光电二极管操作可以完全在耗尽模式下完成。但是，除了线性雪崩模式之外，它们还可以在盖革模式下工作。在这种工作模式下，光电二极管可以在上述击穿电压下工作。目前正在推出另一种模式，即“亚盖革模式”。在光纤通信 (OFC) 系统中，雪崩光电二极管通常用于弱信号的识别，但电路需要进行足够的优化以实现高信噪比 (S/N)。这里，SNR 是为了获得完美的信噪比，量子效率应该很高，因为这个值几乎是最大值，所以大部分信号都被注意到了。雪崩光电二极管是高度灵敏、基于高速的二极管，它通过施加反向电压来工作的内部增益方法。与 PIN 型光电二极管相比，这些二极管测量低范围光，因此用于需要高灵敏度不同的应用中，如光距离测量和远距离光通信。成都索雷博光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

光电器件的工作原理基于光电效应和半导体物理原理。光电效应是指当光照射到金属或半导体材料表面时，会将光子能量转移给电子，从而使其获得足够的能量逃逸出材料表面，产生光电子。半导体物理原理是指当半导体材料中掺杂了不同的杂质原子时，会形成PN结，在PN结处会形成电场，当光照射到PN结上时，会产生电子-空穴对，这些载流子会被电场分离，从而产生电流。在光电器件中，光电二极管、光电探测器和光电晶体管的工作原理都基于光电效应和PN结的电场作用。光电阻的工作原理则基于光照射到光敏材料上产生电阻变化。而光电开关的工作原理则是通过光电传感器检测光信号，从而控制电路的开关状态。西安IV光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。深圳电流电压转换光电生产厂家

深圳低速光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。成都光电电流放大器

光伏模式的优点是暗电流的减少。在普通二极管中，施加反向偏置电压会增加反向电流，因为反向偏置会降低扩散电流但不会降低漂移电流，而且还会因为泄漏。同样的事情发生在光电二极管中，但反向电流称为暗电流。更高的反向偏置电压会导致更多的暗电流，因此通过使用运算放大器将光电二极管保持在大约零偏置，我们实际上消除了暗电流。因此，光伏模式适用于需要化低照度性能的应用。光电二极管电路中的光电导模式要将上述检测器电路切换到光电导模式，我们将光电二极管的阳极连接到负电压电源而不是接地。阴极仍为 0 V，但阳极电压低于 0 V；因此，光电二极管是反向偏置的。成都光电电流放大器