绵阳滨松光电测试

性能良好的雪崩光电二极管的光电流平均增益嚔可以达到几十、几百倍甚至更大。半导体中两种载流子的碰撞离化能力可能不同，因而使具有较高离化能力的载流子注入到耗尽区有利于在相同的电场条件下获得较高的雪崩倍增。但是，光电流的这种雪崩倍增并不是理想的。一方面，由于嚔随注入光强的增加而下降，使雪崩光电二极管的线性范围受到一定的限制，另一方面更重要的是，由于载流子的碰撞电离是一种随机的过程，亦即每一个别的载流子在耗尽层内所获得的雪崩增益可以有很泛的几率分布，因而倍增后的光电流I比倍增前的光电流I0有更大的随机起伏，即光电流中的噪声有附加的增加。与真空光电倍增管相比，由于半导体中两种载流子都具有离化能力，使得这种起伏更为严重。深圳小信号光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。绵阳滨松光电测试

与其他光电二极管相比，雪崩光电二极管在高反向偏置条件下工作。因此，通过光撞击或光子形成的电荷载流子使雪崩倍增。雪崩作用可使光电二极管的增益提高数倍，以提供高灵敏度范围。雪崩击穿主要发生在光电二极管承受最大反向电压时，该电压增强了耗尽层之外的电场。当入射光穿透p+区域时，它会在电阻极大的p区域内被吸收，然后生成电子-空穴对。只要存在高电场，电荷载流子包括其饱和速度就会漂移到pn+区域。当速度高时，载流子将通过其他原子碰撞并产生新的电子-空穴对，巨大的电荷载流子对将导致高光电流。四川激光光电放大器重庆红外光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

光电二极管重要的特性是。响应性，即每单位光功率的光电流-与量子效率有关，取决于波长有源区，即光敏区击穿电压，为可用的偏置电压设定一个限制允许的光电流（通常受饱和限制，在高偏置电压下可能更低）。暗电流（在光电导模式下，取决于偏置电压，对检测低光水平很重要）。速度，即带宽（见下文），与上升和下降时间有关，常常受电容量的影响。其他的数量也可能是有意义的。当施加偏置电压时，通常相当高的分流电阻会贡献一个小电流。它还贡献了一些热噪声电流，这在某些情况下限制了灵敏度。通常较小的串联电阻会造成与光电流成比例的额外压降，也会在一定程度上造成检测噪声。

两个光电二极管之间的电路结构简单，可以用一个偏置电容来加强两个光电二极管之间的电压比例。当电容小于某个电压时，这两个光电二极管就会被压成一个接触，这个接触就叫做雪崩，由此可以看出，这就是雪崩光电二极管的来源。当一个电信号经过两个光电二极管的同一根输入线时，两个光电二极管的偏置电压和信号的输出电流可以产生强烈的对比度，有较大的截止电压差。因此，雪崩光电二极管可以作为高速和高性能的光电门用于高速连接器和网络设备领域。雪崩光电二极管具有高速、高抗干扰、高测试特性，可以快速捕捉工程负载中容易破坏的脉冲。成都小信号光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

雪崩光电二极管操作可以完全在耗尽模式下完成。但是，除了线性雪崩模式之外，它们还可以在盖革模式下工作。在这种工作模式下，光电二极管可以在上述击穿电压下工作。目前正在推出另一种模式，即“亚盖革模式”。在光纤通信(OFC)系统中，雪崩光电二极管通常用于弱信号的识别，但电路需要进行足够的优化以实现高信噪比(S/N)。这里，SNR是为了获得完美的信噪比，量子效率应该很高，因为这个值几乎是最大值，所以大部分信号都被注意到了。雪崩光电二极管是高度灵敏、基于高速的二极管，它通过施加反向电压来工作的内部增益方法。与PIN型光电二极管相比，这些二极管测量低范围光，因此用于需要高灵敏度不同的应用中，如光距离测量和远距离光通信。西安滨松光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。四川激光光电放大器

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光电二极管可以在两种非常不同的模式下工作。光伏模式：像太阳能电池一样，被照亮的光电二极管产生一个可以测量的电压。然而，该电压对光功率的依赖性是非线性，而且动态范围相当小。另外，也没有达到速度。光导模式：在这里，对二极管施加反向电压（即在没有入射光线的情况下二极管不导电的方向施加电压），并测量由此产生的光电流。该反向偏置模式的简单解决方案是基于一个电压源和一个负载电阻。光电流对光功率的依赖性在光功率的六个或更多数量级上可以是非常线性的，例如，对于活性面积为几平方毫米的硅p-i-n光电二极管来说，其范围从几纳瓦到几十毫瓦。反向电压的大小对光电流几乎没有影响，而对暗电流（通常很小）（在没有光的情况下获得）有一些影响。较高的反向电压往往会使反应更快，但也会增加器件的加热，这对高光电流来说是个问题。绵阳滨松光电测试