规格书WILLSEMI韦尔ESD5445D
WSB5546N-肖特基势垒二极管
特性：
· 低反向电流
· 0.2A平均整流正向电流
· 无铅和无卤素：WSB5546N是一款环保产品，不含铅和卤素。
· 快速开关和低正向电压降
· 反向阻断
应用：
· 电源管理
· 信号处理
· 电子设备保护
总之，WSB5546N是一款具有低反向电流、0.2A平均整流正向电流以及无铅无卤素环保特性的肖特基势垒二极管。它为各种应用提供了高效、可靠且环保的解决方案WSB5546N是一款肖特基势垒二极管，具有一些明显的特点和优势。肖特基势垒二极管是一种特殊的二极管类型，它结合了肖特基二极管和势垒二极管的优点。肖特基二极管具有快速开关能力和低正向电压降，而势垒二极管则具有出色的反向阻断能力。因此，WSB5546N结合了这些特点，提供了一种高效、可靠且环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WPM2031-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-723。规格书WILLSEMI韦尔ESD5445D
WS4508E是一款针对单节锂离子电池的完整恒流/恒压线性充电器。其内部采用MOSFET架构，无需外部感测电阻和阻断二极管。热反馈机制可以调节充电电流，以在高功率操作或高环境温度下限制芯片温度。充电电压固定为4.2V，而充电电流可以通过一个外部电阻进行编程。
特性：
· 可编程充电电流高达600mA
· 过温保护
· 欠压锁定保护
· 自动再充电阈值典型值为4.05V
· 充电状态输出引脚
· 2.9V涓流充电阈值
· 软启动限制浪涌电流
应用：
· 无线电话
· MP3/MP4播放器
· 蓝牙设备
WS4508E是一款锂离子电池充电器，适用于便携式电子产品。其内置MOSFET简化了电路设计，降低了成本。其热反馈机制确保了在各种环境下的安全充电。充电电压固定为4.2V，电流可编程，至高600mA，适应不同电池和充电需求。充电结束和电源移除时，自动进入低电流和关机模式，降低功耗。采用SOT-23-5L封装，符合无铅标准，适用于各种电子设备。提供可靠、高效的充电解决方案。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WNM3064SPD9112W-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOT-323。
ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器
产品描述：
ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器（TVS）阵列，专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件，免受静电放电（ESD）引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD73034D可用于提供高达±10kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性：
· 截止电压：±3.3VMax
· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路瞬态保护：±10kV（接触放电）
· 根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：40A（5/50ns）
· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：5.5A（8/20μs）
· 极低电容：CJ=0.2pFtyp
· 低漏电流低箝位电压：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域：
· USB3.0和USB3.1
· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，保护敏感元件免受静电放电损害。适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备。紧凑、环保。详情查阅数据手册或联系我们。
ESD5304D是一个专为保护连接到数据和传输线的敏感电子组件免受静电放电（ESD）引起的过应力而设计的极低电容瞬态电压抑制器（TVS）阵列。它结合了四对极低电容转向二极管和一个TVS二极管，旨在提供优异的ESD保护。
特性：
· 截止电压：5V
· 根据IEC61000-4-2标准的每线瞬态保护：±20kV（接触放电）
· 根据IEC61000-4-4标准的EFT保护：40A（5/50ns）
· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护：4A（8/20μs）
· 极低电容：CJ=0.4pF（典型值）
· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）
· 低箝位电压：VCL=14V（典型值）@IPP=16A（TLP）
· 固态硅技术
应用：
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子产品
· 笔记本电脑
ESD5304D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，保护接口免受静电放电和其他瞬态事件损害。利用先进固态硅技术，结合极低电容转向二极管和TVS二极管，提供优异保护。能承受±20kV接触放电和其他瞬态事件。极低电容和漏电流不影响数据传输。适用于USB、HDMI、SATA等接口，是电子设备中的关键保护组件。小巧封装且环保，易于集成。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 ESD5451N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。
WPM1481：单P沟道、-12V、-5.1A功率MOSFET
产品描述：
WPM1481是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1481为无铅产品。小型DFN2*2-6L封装。
产品特性：
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 出色的导通电阻
· 适用于更高的直流电流
· 极低的阈值电压
应用领域：
· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器
· DC-DC转换电路
· 电源开关
· 负载开关
· 充电应用
WPM1481是一款高性能的P沟道功率MOSFET，专为高电流应用而设计。其出色的RDS(ON)和极低的阈值电压使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。同时，其小型DFN2*2-6L封装使得它在空间受限的应用中也能发挥出色。WPM1481作为无铅产品，还符合环保要求。无论是用于驱动继电器、电磁阀、电机还是LED，WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WNM6002-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-323-3。代理分销商WILLSEMI韦尔SPD82062B
WL2836D28-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装：UDFN-4-EP(1x1)。规格书WILLSEMI韦尔ESD5445D
WNM6001：单N沟道、60V、0.50A功率MOSFET
产品描述：
WNM6001是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的槽型技术和设计，以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM6001为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。
产品特性：
· 槽型技术
· 超高密度单元设计
· 出色的ON电阻，适用于更高的直流电流
· 极低的阈值电压
应用领域：
· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器
· DC-DC转换器
· 电路电源开关
· 负载开关充电
WNM6001是一款采用先进槽型技术的N沟道MOSFET，专为高效能应用而设计。其出色的RDS(ON)和低栅极电荷使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。此外，WNM6001的超高密度单元设计和极低的阈值电压保证了在高直流电流下的高效运行。这款器件的小型SOT-23封装使其成为空间受限应用中的理想选择。无论是驱动继电器、电磁阀还是电机，或是为LED供电，WNM6001都能提供稳定、高效的性能。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔ESD5445D
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