中文资料WILLSEMI韦尔WNM04328DN
WL2803E系列是一款极低压差、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，其压差电压典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，这使得它对于要求高输出电流的消费者、网络应用具有吸引力。WL2803E系列提供了从1.2V到3.3V的宽输出电压范围版本，步长为0.1V。WL2803E系列提供了过热保护（OTP）和电流限制功能，以确保芯片和电源系统在错误条件下的稳定性，并采用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。WL2803E稳压器采用SOT-23-5L封装，为标准无铅且无卤素产品。
主要特性：
· 输入电压范围：2.5V至5.5V
· 输出电压范围：1.2V至3.3V
· 输出电流：500mA
· PSRR：在1KHz时为65dB
· 压差电压：在IOUT=0.5A时为130mV
· 输出噪声：100μV
· 静态电流：典型值为150μA
应用领域：
· 液晶电视（LCD TV）
· 机顶盒（STB）
· 计算机、显卡
· 网络通信设备
· 其他便携式电子设备
WL2803E系列适用于电源管理，具有极低压差、低电流和高PSRR特性，确保灵活和准确的电压输出。紧凑环保，易于集成，适用于多种电子设备。提供稳定电源输出。详情查阅手册或联系我们。 ESD9X7V-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD） 封装：FBP-02C。中文资料WILLSEMI韦尔WNM04328DN
ESD9X5VL是一款单向瞬态电压抑制器（TVS），为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供极高水平的保护。它被设计用于替代消费设备中的多层变阻器（MLV），适用于手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等设备。ESD9X5VL结合了一对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可用于提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受8/20μs脉冲的峰值电流高达4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封装，标准产品为无铅、无卤素。
特性：
· 截止电压：5V
· 根据IEC61000-4-2（ESD）为每条线路提供瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）
· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）
· IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）
· 极低电容：CJ=1.2pF（典型值）
· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）
· 低箝位电压：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）
· 固态硅技术
应用：
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子产品
· 笔记本电脑
ESD9X5VL是保护高速数据接口免受静电放电损害的瞬态电压抑制器。响应迅速，避免噪声和干扰，高可靠且适用于便携式设备。详情查阅手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WNMD2176WNM2016A-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23-3。
ESD5431N是一款双向瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性：DFN1006-2L封装：紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素：符合环保要求，适用于对无铅和无卤素有需求的场合。
特性：
· 截止电压：±3.3V
· 根据IEC61000-4-2标准，提供±30kV（接触放电）的ESD保护
· 根据IEC61000-4-4标准，提供40A（5/50ns）的EFT保护
· 根据IEC61000-4-5标准，提供10A（8/20μs）的浪涌保护
· 电容：典型值为17.5pF
· 低泄漏电流：典型值为1nA
· 低钳位电压：在脉冲电流为16A（TLP）时，典型值为8V。
· 固态硅技术
应用：
· 手机
· 计算机和外设：为计算机主板、显示器、键盘等
· 微处理器
· 电源线
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD5431N是专为保护电子元件免受静电、电气瞬变等过应力而设计的高性能双向瞬态电压抑制器。其瞬态保护出色，封装紧凑，环保特性强，广泛应用于手机、计算机和便携式设备，确保设备稳定运行和数据安全。如需详细信息，请查阅数据手册或联系我们。
WNM2021：单N沟道、20V、0.6A功率MOSFET
产品描述
WNM2021是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2021为无铅产品。小型SOT-323封装
产品特性：
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 出色的导通电阻
· 极低的阈值电压
应用领域：
· DC/DC转换器
· 电源转换器电路
· 便携式设备的负载/电源切换
WNM2021是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷。其先进的沟槽技术和高密度单元设计使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用中表现出色。极低的阈值电压和小型SOT-323封装使其成为便携式设备负载/电源切换的理想选择。此外，WNM2021作为无铅产品，符合环保要求。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 SPD9811B-2/TR 半导体放电管（TSS）封装：SMB。
ESD5451X是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬态（EFT）和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准，ESD5451X可提供高达±30kV（接触和空气放电）的ESD保护，并可根据IEC61000-4-5标准承受高达8A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5451X采用FBP-02C封装。标准产品为无铅、无卤素。
特点：
· 反向截止电压：±5V
· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±30kV（接触和空气放电）
· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）
· IEC61000-4-5（浪涌）：8A（8/20μs）
· 电容：CJ=17.5pFtyp
· 低漏电流：IR<1nAtyp
· 低钳位电压：VCL=9Vtyp.@IPP=16A（TLP）
· 固态硅技术
应用：
· 手机
· 平板
· 电脑
· 笔记本电脑
· 其他便携式设备
· 网络通信设备
ESD5451X是高性能瞬态电压抑制器，保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬态和雷电等过应力影响。适用于手机、平板、笔记本等便携式设备，双向保护，应对极端电气环境。低漏电流、低钳位电压，不影响设备正常工作。固态硅技术，稳定可靠。各方面保护现代电子设备，消费者和制造商的理想选择。详情查阅手册或联系我们。 WNM6001-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23。中文资料WILLSEMI韦尔WNMD2176
WCM2001-6/TR 场效应管(MOSFET) 封装：DFN-6L-EP(2x2)。中文资料WILLSEMI韦尔WNM04328DN
WPM2015xx是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管（MOSFET）。它采用先进的沟槽技术和设计，具有出色的RDS(ON)（导通电阻）和低栅极电荷。这使得WPM2015xx在中等电源电流和电流产出量的应用中表现出色，尤其适用于电池管理、电机控制和高速开关等场景。
WPM2015xx的主要特点包括：
1：稳定的走电电压和出色的导电电阻，这有助于在电子设备中实现高效、稳定的性能。
2：适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用，这些应用需要精确控制电流和电压。
3：采用无铅、无卤的环保封装，符合现代电子产品的环保要求。
4：具有超高密度电池设计，适用于需要高效率和高稳定性的电池管理系统。
5：极低的阈值电压和小型化的SOT-23封装使得WPM2015xx在空间受限的应用中也能发挥出色的性能。
在实际应用中，WPM2015xx可以用于继电器、电磁铁和电机等设备的驱动和控制。通过控制栅极电压，WPM2015xx可以实现对电流的精确调节，从而实现对电机等设备的控制。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐WPM2015xx这款MOS，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WNM04328DN