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电容制造商常常通过阻抗与频率的关系图来说明有效串联电感。不出意料的话,这些图会显示:在低频时,器件主要表现出容性电抗;频率较高时,由于串联电感的存在,阻抗会升高。有效串联电阻ESR(图1的电阻Rs)由引脚和电容板的电阻组成。如上文所述,许多制造商将ESR、ESL和泄漏的影响合并为一个参数,称为“损耗因数”或DF。损耗因数衡量电容的基本无效性。制造商将它定义为每个周期电容所损失的能量与所存储的能量之比。特定频率的等效串联电阻与总容性电抗之比近似于损耗因数,而前者等于品质因数Q的倒数。损耗因数常常随着温度和频率而改变。采用云母和玻璃电介质的电容,其DF值一般在0.03%至1.0%之间。室温时,陶瓷电容的DF范围是0.1%至2.5%。电解电容的DF值通常会超出上述范围。薄膜电容通常是的,其DF值小于0.1%。江海CD135 450V4700UF;湖南CD138 400V10000UF电容型号齐全
电解电容器广泛应用于家用电器和各种电子产品中,其容量范围较大,一般为1~33000μF,额定工作电压范围为6.3~700V。其缺点是介质损耗、容量误差较大(最大允许偏差为+100%、-20%),耐高温性较差,存放时间长容易失效。 10uF就是106。在表示电容器容量时,106**的是10后面加六个零,单位是pF,即10^6pF。换算成uF就是10uF。
电容器容量的单位是千进位的,即1000pF等于1uF,1000uF等于10uF,以此类推。
电容是指容纳电荷的能力。任何静电场都是由许多个电容组成,有静电场就有电容,电容是用静电场描述的。一般认为:孤立导体与无穷远处构成电容,导体接地等效于接到无穷远处,并与大地连接成整体。 新疆CD138 450V3300UF电容厂家直供B43564-S9228-M3电容EPCOS;
上拉电阻的其他作用:作用1、当TTL电路驱动CMOS电路时,如果电路输出的高电平低于CMOS电路的高电平(一般为3.5V),这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻,以提高输出高电平的值。2、OC门电路必须使用上拉电阻,以提高输出的高电平值。3、为增强输出引脚的驱动能力,有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。4、在CMOS芯片上,为了防止静电造成损坏,不用的管脚不能悬空,一般接上拉电阻以降低输入阻抗,提供泄荷通路。上下拉电阻上拉就是将不确定的信号通过一个电阻嵌位在高电平!电阻同时起限流作用!下拉同理!上拉是对器件注入电流,下拉是输出电流;弱强只是上拉电阻的阻值不同,没有什么严格区分;对于非集电极(或漏极)开路输出型电路(如普通门电路)提升电流和电压的能力是有限的,上拉电阻的功能主要是为集电极开路输出型电路输出电流通道。
类型铝电解电容器可以分为四类:1.引线型铝电解电容器;2.牛角型铝电解电容器;3.螺栓式铝电解电容器;4.固态铝电散磨解电容器。特点1.单位体积的电容量非常大,比其它种类的电容大几十到数百倍。2.额定的容量可以做到非常大,可以轻易做到几万μf甚至几f(但不能和双电层电容比)。3.价格比其它种类具有压倒性优势,因为电解电容的组成材料都是普通的工业材料,比如铝等等。制造电解电容的设备也都是普通的工业设备,可以大规模生产,成本相对比较低。原理电解电容器通常是由金属箔(铝/钽)作为正电极,金属箔的绝缘氧化层(氧化铝/钽五氧化物)作为电介质,电解电容器以其正电极的不同分为铝电解电容器和钽电解电容器。铝电解电容器的负电极由浸过电解质液(液态电解质)的薄纸/薄膜或电解质聚合物构成;钽电解电容器的负电极通常采用二氧化锰。由于均以电解质作为负电极(注意和电介质区分),电解电容器因而得名4700UF450V铝电解电容器B43456-K5478-M;
什么是电解电容的再起电压1、电解电压的耐压能力(也就是电容器外表上标称的那个电压)必须大于实际电路中加在电容两端的电压值,而且国产电容一般都有虚标可能(大厂的稍微好一些),比如标50V,实际耐压可能只有40V甚至30V,必须考虑安全裕量。2、耐压能力不能选太高,一方面耐压值高了,体积大,价格贵,另外电解电容长期工作在低压条件下,其损耗会逐步增大,电容量逐步变小,工作状态下降。一般是选择,实际外电压相当于耐压值50-70%的水平(假设标称耐压准的话)江海电容CD137-400V2200UF;山西B43564-S9588-M2电容快速发货
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电容滤波电路里的上拉电阻是什么用的?上拉电阻:让电路保持稳定的状态,避免误触发;当有高频干扰信过来时,可以通过上拉对电源泄放掉;很多口线和信号线是开漏输出,因此要加上拉,如IIC;还有为了阻抗匹配,多是信号完整性考虑。电容:这是阻容滤波电路,是利用电阻和电容器进行滤波的电路,一般在整流器的输出端串入电阻,在电阻的两端并联接入电容,这种阻容滤波电路是基本的滤波电路,电容可以滤波效能较高、能兼降压限流作用。湖南CD138 400V10000UF电容型号齐全