贵州IPM封装型式

系统级封装（SiP）是将多个集成电路（IC）和无源元件捆绑到单个封装中，在单个封装下它们协同工作的方法。这与片上系统（SoC）形成鲜明对比，功能则集成到同一个芯片中。将基于各种工艺节点（CMOS，SiGe，BiCMOS）的不同电路的硅芯片可以垂直或并排堆叠在衬底上。该封装由内部接线进行连接，将所有芯片连接在一起形成一个功能系统。系统级封装类似于片上系统(SOC)，但它的集成度较低，并且使用的不是单一半导体制造工艺。常见的SiP解决方案可以利用多种封装技术，例如倒装芯片、引线键合、晶圆级封装等。封装在系统中的集成电路和其他组件的数量可变，理论上是无限的，因此，工程师基本上可以将整个系统集成到单个封装中。SiP并没有一定的结构形态，芯片的排列方式可为平面式2D装和立体式3D封装。贵州IPM封装型式

随着物联网时代越来越深入人心，不断的开发和研究有助于使SiP更接近SoC，降低成本，减少批量要求和初始投资，并在系统简化方面呈现积极趋势。此外，制造越来越大的单片SoC的推动力开始在设计验证和可制造性方面遇到障碍，因为拥有更大的芯片会导致更大的故障概率，从而造成更大的硅晶圆损失。从IP方面来看，SiP是SoC的未来替代品，因为它们可以集成较新的标准和协议，而无需重新设计。此外，SiP方法允许更快、更节能的通信和电力输送，这是在考虑Si应用的长期前景时另一个令人鼓舞的因素。贵州IPM封装型式SiP 封装优势：封装面积增大，SiP在同一个封装种叠加两个或者多个芯片。

无引线缝合（Wireless Bonding）：1、定义，不使用金线连接芯片电极和封装基板的方法。2、分类；3、TAB，① 工艺流程，使用热棒工具，将划片后的芯片Al焊盘（通过电镀工艺形成Au凸点）与TAB引脚（在聚酰亚胺胶带开头处放置的Cu引脚上镀金而成）进行热黏合，使其键合到一起。② 特色，TAB引线有规则地排列在聚酰亚胺带上，以卷轴的形式存放。4、FCB，FCB工艺流程：① 在芯片电极上形成金球凸点；② 将芯片翻转朝下，与高性能LSI专门使用的多层布线封装基板的电极对齐，然后加热连接；③ 注入树脂以填满芯片与封装基板之间的间隙（底部填充）；④ 在芯片背面贴上散热片，在封装基板外部引脚挂上锡球。

植入锡球的BGA封装：① 植球，焊锡球用于高可靠性产品（汽车电子）等的倒装芯片连接，使用的锡球大多为普通的共晶锡料。植入锡球的BGA封装，工艺流程：使用焊锡球吸附夹具对焊锡球进行真空吸附，该夹具将封装引脚的位置与装有焊锡球的槽对齐，通过在预先涂有助焊剂的封装基板的引脚位置植入锡球来实现。SIP：1、定义，SIP（System In Package）是将具有各种特定功能的LSI封装到一个封装中。而系统LSI是将单一的SoC（System on Chip）集成到一个芯片中。2、Sip封装类型：① 通过引线缝合的芯片叠层封装，② 充分利用倒装焊技术的3D封装。SiP封装技术采取多种裸芯片或模块进行排列组装。

至于较初对SiP的需求，我们只需要看微处理器。微处理器的开发和生产要求与模拟电路、电源管理设备或存储设备的要求大不相同。这导致系统层面的集成度明显提高。尽管SiP一词相对较新，但在实践中SiP长期以来一直是半导体行业的一部分。在1970年代，它以自由布线、多芯片模块（MCM）和混合集成电路（HIC） 的形式出现。在 1990 年代，它被用作英特尔奔腾 Pro3 集成处理器和缓存的解决方案。如今，SiP已经变成了一种解决方案，用于将多个芯片集成到单个封装中，以减少空间和成本。SIP发展趋势，多样化，复杂化，密集化。贵州IPM封装型式

SiP整体制程囊括了着晶、打线、主/被动组件SMT及塑封技术。贵州IPM封装型式

元件密集化，Chip元件密集化，随着SIP元件的推广，SIP封装所需元件数量和种类越来越多，在尺寸受限或不变的前提下，要求单位面积内元件密集程度必须增加。贴片精度高精化，SIP板身元件尺寸小，密度高，数量多，传统贴片机配置难以满足其贴片要求，因此需要精度更高的贴片设备，才能满足其工艺要求。工艺要求越来越趋于极限化，SIP工艺板身就是系统集成化的结晶，但是随着元件小型化和布局的密集化程度越来越高，势必度传统工艺提出挑战，印刷，贴片，回流面临前所未有的工艺挑战，因此需要工艺管控界限向着6 Sigma靠近，以提高良率。贵州IPM封装型式