美国办理半导体设备进口报关服务

ALD:海外供应商包括韩国NCD、荷兰SolayTec、荷兰Levitech等;国内主要为理想能源、无锡微导、无锡松煜等。PERC电池技术在BSF基础上增加了背面钝化与激光开槽两道工序，相应增加了背钝化沉积设备与激光划线设备的使用。主流的PERC钝化工艺方案包括:板式PECVD方案:背面:采用板式二合一PECVD(氧化铝+氮化硅)一次性完成沉积;正面:采用管式/板式PECVD(氮化硅)完成沉积。?管式PECVD方案:背面:采用管式二合一PECVD(氧化铝+氮化硅)一次性完成沉积;?正面:采用管式/板式PECVD(氮化硅)完成沉积。ALD方案:背面:采用ALD(氧化铝)+PECVD(氮化硅)完成沉积;正面:采用PECVD(氮化硅)完成沉积。价值构成:PERC技术需在现有BSF基础上做部分设备的采购即可实现产线升级，其与现有设备的良好兼容性也是使其在众多技术中脱颖而出的原因之一。以采购国产设备为前提假设，PERC电池技术单位(1GW)设备投资规模约2亿元~3亿元，其中，薄膜沉积设备占比约30%~35%，印刷烧结设备占比约20%。半导体设备进口报关是一个复杂的过程，需要遵守相关法规和规定，准备充分的报关材料。美国办理半导体设备进口报关服务

获取报告请登录未来智库。，MOCVD实现国产替代公司深耕刻蚀设备，技术比肩国际巨头。中微公司成立于2004年，前身为中微有限。公司主营业务为半导体等离子刻蚀设备（Etch）和用于LED的金属气相沉积设备（MOCVD），刻蚀设备方面，公司自成立以来便着手开发等离子刻蚀设备，目前已涵盖CCP、ICP和深硅刻蚀三大领域，刻蚀设备已在海内外前列客户芯片生产线进行65纳米到5纳米工艺的芯片加工制造。由于公司开发出与美国设备公司具有同等质量和相当数量的等离子体刻蚀设备并实现量产，美国商务部在2015年宣布解除了对我国等离子体刻蚀设备多年的出口管制。CCP刻蚀设备：自成立伊始公司就着手开发甚高频去耦合等离子体刻蚀设备PrimoD-RIE（CCP刻蚀设备），到目前为止已成功开发了双反应台PrimoD-RIE、双反应台PrimoAD-RIE和单反应台PrimoSSCAD-RIE三代刻蚀设备，以及用于存储芯片的PrimoHD-RIE，涵盖65-5纳米微观器件的众多刻蚀应用。ICP刻蚀设备：2012年公司开发电感性等离子体刻蚀设备（ICP刻蚀设备），2018年发布代电感耦合等离子体刻蚀设备Primonanova，该设备不仅能够用于多种导体刻蚀工艺，比如浅沟槽隔离刻蚀（STI）、多晶硅栅极刻蚀；同时可用于介质刻蚀，如间隙壁刻蚀。美国办理半导体设备进口报关服务半导体设备进口报关将越来越自动化，海关将采用更多的自动化设备和技术，提高报关效率和准确性。

细分环节设备均被海外公司寡头垄断1）光刻机市场规模约160亿美元，3大拥有95%市场。国外EUV光刻机为ASML、尼康、佳能等，ASML为已能够实现前道5nm光刻。上海微电子是国内前列的光刻机制造商，公司封装光刻机国内市占率80%，全球40%，光刻机实现90nm制程，并有望延伸至65nm和45nm，公司承担多个国家重大科技专项及02专项任务。2）刻蚀设备市场规模约115亿美金，海外大供应商拥有94%市场份额。在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺：湿法腐蚀和干法刻蚀，目前全球主流刻蚀工艺为干法刻蚀。在湿法刻蚀中，液体化学试剂以化学方式去除硅片表面的材料。湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下（大于3微米）。干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口，与硅片发生物理或化学反应，从而去掉曝露的表面材料。刻蚀也可以根据被刻蚀的材料类型来分类，主要分成三种：金属刻蚀、介质刻蚀、和硅刻蚀，其中介质刻蚀和硅刻蚀为主流。目前全球硅基刻蚀主要厂商为Lam(泛林集团)和AMAT(应用材料)，两者拥有97%的市场份额，介质刻蚀主要厂商为TEL(东京电子)和Lam(泛林集团)，拥有97%的市场份额。中微半导体是打入台积电7nm制程的中国设备商。

化学机械抛光设备化学机械抛光(CMP)是指圆片表面材料与研磨液发生化学反应时，在研磨头下压力的作用下进行抛光，使圆片表面平坦化的过程。圆片表面材料包括多晶硅、二氧化硅、金属钨、金属铜等，与之相对应的是不同种类的研磨液。化学机械抛光能够将整个圆片高低起伏的表面研磨成一致的厚度，是一种圆片全局性的平坦化工艺。CMP工艺在芯片制造中的应用包括浅沟槽隔离平坦化(STICMP)、多晶硅平坦化(PolyCMP)、层间介质平坦化(ILDCMP)、金属间介质平坦化(IMDCMP)、铜互连平坦化(CuCMP)。CMP设备主要分为两部分，即抛光部分和清洗部分。抛光部分由4部分组成，即3个抛光转盘和一个圆片装卸载模块。清洗部分负责圆片的清洗和甩干，实现圆片的“干进干出”。CMP设备主要生产商有美国AMAT和日本Ebara，其中AMAT约占CMP设备市场60%的份额，Ebara约占20%的份额。国内CMP设备的主要研发单位有天津华海清科和中电科45所，其中华海清科的抛光机已在中芯国际生产线上试用。、电镀设备电镀是指在集成电路制造过程中，用于加工芯片之间互连金属线所采用的电化学金属沉积。随着集成电路制造工艺的不断发展，目前电镀已经不限于铜线的沉积，还涉及锡、锡银合金、镍等金属的沉+积。半导体设备进口报关是一个非常重要的环节。

公司在半导体设备/LCD面板设备/光伏电池片设备的进口物流和报关细作耕耘，像单晶设备的拉晶以及切割设备，NIKON光刻机，TEL的蚀刻研磨设备和涂胶显影设备，应用材料的CVD以及PECVD，DISCO/TSK切割研磨设备，Advantest/chroma的测试设备，UF/P系列的探针台设备，各类品牌的焊线机/固晶机等设备，对其进口恒温恒湿的要求，海关报关归类的申报规范都有非常专业的团队和丰富的经验。同时二手半导体设备（FAB设备，切割研磨设备，封装测试设备，）的生产线搬迁的进口越来越多，这包含韩国-日本-中国台湾-美国-新加坡-越南-德国等地CCIC装运前检验，海外真空设备的包装和气垫恒温卡车的海运或者空运的运输，上海港/宁波港/青设备岛港/厦门港/盐田港的进口报关（包括对二手设备的价格进行磋商以及审核）等等；万享供应链有成功操作完成4代/6代半导体设备（旧）整线的设备进口，8寸晶圆片产线设备的进口，，封装测试厂的测试设备，电池片软线硬线设备的搬迁进口，我们将用高效的组织能力，部门协助能力，强大的后勤团队来让万享制造装备的进口物流报关越走越远。半导体设备是现代电子工业中不可或缺的重要组成部分。成都办理半导体设备进口报关服务热线

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PERC:与现有常规产线具备较高兼容性钝化发射极和背面(PassivatedEmitterandRearCell，PERC)电池技术指利用钝化材料对电池背面进行钝化，从而克服了常规电池背表面光学和电学损失，电池转换效率获得有效提升。目前，PERC已成为主流高效电池技术。PERC技术与常规电池产线具备较高兼容性，增加两道额外工序，分别为:(a)背面钝化层的沉积;(b)激光开槽。背钝化设备为PERC电池技术的关键生产设备。目前，PERC电池钝化膜沉积主要使用两种方法，分别为等离子化学气相沉积法(PECVD)与原子层沉积法(ALD)，其中PECVD占比约九成。根据设备形态的不同，PECVD沉积设备可分为板式PECVD与管式PECVD;ALD沉积设备可分为管式ALD、板式ALD、单片ALD。PECVD沉积设备与ALD沉积设备各有优势。其中，PECVD优势主要体现为一次性沉积氧化铝与氮化硅，硅片上下料工序有所减少，生产具备连续性;ALD优势主要体现为氧化铝结构缺陷小，膜厚可控(相对较薄)。竞争格局:根据设备形态划分，背钝化设备供应商主要包括:板式PECVD:海外供应商主要为MeyerBurger公司的MAIA;管式PECVD:海外供应商主要为Centrotherm公司等;国内包括无锡松煜、深圳捷佳伟创等。美国办理半导体设备进口报关服务