2024年中国国际先进陶瓷技术与装备展览会

碳化硅下游应用场景众多，包括新能源车、充电桩、光伏、储能、轨道交通、智能电网、航空航天等，而下游的需求放量情况会影响碳化硅的市场规模体量，比如新能源车的产销量、充电桩的配套数量、光伏的装机量等。虽然碳化硅衬底和器件工艺逐渐成熟，价格有所下降，但碳化硅功率器件价格仍远高于硅基器件。下游应用领域需平衡碳化硅器件高价格与性能优势带来的综合成本，短期内将限制碳化硅器件在功率器件领域的渗透率，大规模应用仍存挑战。若下游存在放量不及预期的情况，将对上游碳化硅企业研发、生产造成不利影响。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”：2025年3月10-12日上海世博展览馆。诚邀您莅临参观！2024年中国国际先进陶瓷技术与装备展览会

外延生长技术是碳化硅器件的关键环节，外延质量对器件性能影响很大，碳化硅衬底无法直接制作器件，優质外延工艺可改进微管（Micropipe）、多型、划痕、层错、贯穿螺型位错（TSD）、贯穿刃型位错（TED）和基平面位错（BPD）等衬底缺陷，减少外延生长缺陷，同时精确控zhi掺杂浓度，提升均匀性和器件良率。不同外延层厚度对应不同耐压等级的器件规格。通常，1µm的外延层对应100V左右的耐压；耐压在600V左右时，需要6µm左右的外延层；耐压高于10000V时，外延层厚度需在100µm以上。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！上海国际先进陶瓷技术产品展中國‌國際先進陶瓷展览会，助力企业发展行业繁荣，与行业精英携手共创无限商机，3月10日在上海恭候您！

相比硅器件，SiC MOSFET在耐压、导通电阻、开关频率等方面具有较好的优势。耐压方面，SiC MOSFET在6500V时仍能保持高性能，而硅基MOSFET上限通常在650V左右。在开关频率超过1kHz时，硅基IGBT（绝缘栅双极型晶体管）损耗较高，而SiC MOSFET开关损耗相比可降低多达80%，整体功率损耗降低66%。导通电阻方面，SiC MOSFET芯片面积则更小，如在900V导通电阻下，硅基MOSFET芯片尺寸比SiC MOSFET大35倍。SiC MOSFET还具有高性能体二极管，可减少器件数量和占位面积。SiC MOSFET的工作结温和热稳定性更高，可达200℃或更高，适用于汽车市场，其高耐温性可降低系统散热要求和导通电阻偏移。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！

碳化硅衬底的电学性能决定了下游芯片功能与性能的优劣，为满足不同芯片功能需求，需制备不同电学性能的碳化硅衬底。按照电学性能的不同，碳化硅衬底可分为两类：高电阻率（电阻率≥105Ω·cm）的半绝缘型碳化硅衬底，以及低电阻率（电阻率区间为15~30mΩ·cm）的导电型碳化硅衬底。半绝缘型碳化硅衬底主要用于制造氮化镓射频器件，通过生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片；导电型碳化硅衬底主要用于制造功率器件，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！诚邀您莅临参观！聚焦前沿技术，展示品质产品，2025年3月10日，来“中國‌國際先進陶瓷展览会”，与行业精英面对面交流！

在需要高功率的场景中，常将多颗SiC功率半导体封装到模块中，实现芯片互连和与其他电路的连接。SiC功率模块封装包括芯片、绝缘基板、散热基板等组件。按封装芯片类型，可分为混合模块和全SiC模块，前者是替换硅基IGBT中的二极管，后者全用SiC芯片，两者在效率、尺寸和成本上有差异；按拓扑方式，可分为三相模块、半桥模块等封装形式；按散热方式，可分为单面冷却和双面冷却；按封装外壳类型，可分为转模塑封结构和HPD（gao压聚乙烯塑料）框架结构。随着需求多样化，定制化模块逐渐流行。目前，SiC功率模块多沿用传统硅基IGBT封装结构，难以发挥SiC材料特性，面临可靠性和成本等挑战。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观！中國‌國際先進陶瓷展览会，为行业搭建共享共赢的商贸平台，2025年3月10日上海世博展览馆。诚邀您莅临！2024年中国国际先进陶瓷技术与装备展览会

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碳化硅单晶材料按电学性能分导电型和半绝缘型，而导电型对应同质外延，半绝缘型对应异质外延。同质外延制成SBD（肖特基势垒二极管）、MOSFET（缩写为MOS，金属氧化物半导体场效应晶体管）等功率器件，适用于电子电力领域如新能源汽车、轨道交通、智能电网、光伏发电等；在导电型SiC衬底上生长SiC外延层可制得SiC外延片，用于各类功率器件。异质外延制成HEMT（高电子迁徙率晶体管）等微波射频器件，适用于高频、高温环境如5G通讯、雷达、國‌防jun工等领域；在半绝缘型SiC衬底上生长GaN外延层可制得SiC基GaN外延片用于GaN射频器件。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！2024年中国国际先进陶瓷技术与装备展览会