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    碳和沙石中的二氧化硅进行化学反应（碳与氧结合，剩下硅），得到纯度约为98%的纯硅，又称作冶金级硅，这对微电子器件来说不够纯，因为半导体材料的电学特性对杂质的浓度非常敏感，因此对冶金级硅进行进一步提纯：将粉碎的冶金级硅与气态的氯化氢进行氯化反应，生成液态的硅烷，然后通过蒸馏和化学还原工艺，得到了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.%，成为电子级硅。接下来是单晶硅生长，**常用的方法叫直拉法（CZ法）。如下图所示，高纯度的多晶硅放在石英坩埚中，并用外面围绕着的石墨加热器不断加热，温度维持在大约1400℃，炉中的气体通常是惰性气体，使多晶硅熔化，同时又不会产生不需要的化学反应。为了形成单晶硅，还需要控制晶体的方向：坩埚带着多晶硅熔化物在旋转，把一颗籽晶浸入其中，并且由拉制棒带着籽晶作反方向旋转，同时慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅会粘在籽晶的底端，按籽晶晶格排列的方向不断地生长上去。因此所生长的晶体的方向性是由籽晶所决定的，在其被拉出和冷却后就生长成了与籽晶内部晶格方向相同的单晶硅棒。用直拉法生长后，单晶棒将按适当的尺寸进行切割，然后进行研磨，将凹凸的切痕磨掉。化解了传统加热板的构造的缺点，提高了采用的稳定性，增加了加热板的寿命。MSA FACTORYPH132-PCC10A加热板经销

    **减少了加热器的使用寿命和工艺稳定性。技术实现要素：本实用新型目的是提供一种等离子体cvd晶圆加热器用表面修磨装置，结构简单，操作方便，修磨效果好，效率高，解决了以上技术问题。为了实现上述技术目的，达到上述的技术要求，本实用新型所采用的技术方案是：一种等离子体cvd晶圆加热器用表面修磨装置，其特征在于：从下至上依次设置有安装支架、旋转装置、加热器支撑圆盘、研磨盘，晶圆加热器设置在加热器支撑圆盘和研磨盘之间；研磨盘包括研磨盘主体，研磨盘主体底部设置有研磨块、调节支撑圆柱，研磨盘主体通过调节螺栓与研磨块相连接固定，调节螺栓的上端设置有数显深度测量指示表；所述的安装支架包括安装支撑柱，安装支撑柱上端设置有安装平板，安装支撑柱下端设置有高度调节块，安装平板上设置有安装主体，安装主体内部设置有台阶孔，装有旋转电机的固定座下部与台阶孔相配合固定，旋转电机的上表面设置有连接圆盘，连接圆盘上端设置有支撑圆盘本体，支撑圆盘本体上端通过螺丝固定有圆环；所述的调节支撑圆柱与圆环相连接。推荐的：所述的高度调节块与安装支撑柱之间设置为螺纹连接。MSA FACTORYPH132-PCC10A加热板经销电热恒温加热板由箱壳、微晶玻璃加热面、陶瓷纤维加热盘及高温镍镉炉丝，控制盒构成。

    如表1:表16月18日高频系统改进效果分析原始数据(°C)权利要求1.一种精确控温的高频加热装置，包括有对物件进行升温的高频机，其特征在于，还包括有监测物件温度并反馈正比电压信号的温度测控模块和接收电压信号并控制高频机输出功率的信号调理模块。2.一种利用如权利要求1所述的精确控温的高频加热装置的加热方法，其特征在于包括有如下步骤第一步，开始高频加热，高频机满负荷加热升温，温度测控模块监测物件温度，当物件温度距目标温度80120°C时，改为动态功率加热；第二步，温度测控模块根据不同温度，反馈与温度成正比的电压值，信号调理模块根据电压值的大小反比例调节高频机的功率输出，使其越接近目标温度，输出功率越小；第三步，信号调理模块动态调节高频机的功率输出，物件温度保持在目标温度值的士5°C的范围内。3.根据权利要求1所述的精确控温的高频加热装置，其特征在于所述的温度测控模块为红外线温度测控模块。全文摘要本发明涉及一种高频加热时温度控制的方法，具体涉及一种晶体管高频加热时精确控制温度的装置及方法；包括高频机、温度测控模块和信号调理模块；方法为1，开始高频机满负荷加热升温，温度测控模块监测物件温度。

    推荐的：所述的调节支撑圆柱与研磨盘主体之间、调节支撑圆柱与圆环之间均设置为螺纹连接。推荐的：所述的支撑圆盘本体的材质采用铝合金。推荐的：所述的圆环的材质采用ptfe。推荐的：所述的研磨块的长度与晶圆加热器的修磨面半径相等。本实用新型的有益效果；一种等离子体cvd晶圆加热器用表面修磨装置，与传统结构相比：设置有带锁紧及定位功能的晶圆加热器支撑圆盘、连接晶圆加热器支撑圆盘的旋转装置、带水平调整及测量功能的研磨盘、带水平调节功能的安装支架；研磨块的长度与晶圆加热器的半径相等，研磨均匀；本实用新型结构简单，稳定性好，操作方便，研磨快速高效；**降低了工人的劳动强度，大大减小了一次修磨量，增加了晶圆加热器的可修磨次数，延长了晶圆加热器的工作寿命，节约了成本。附图说明图1为本实用新型结构示意图；图2为本实用新型中加热器支撑圆盘结构示意图；图3为本实用新型中旋转装置结构示意图；图4为本实用新型研磨盘结构示意图；图5为本实用新型安装支架结构示意图；图6为本实用新型晶圆加热器结构示意图；在图中：1.加热器支撑圆盘；1-1.支撑圆盘本体；1-2.圆环；1-3.螺丝；2.旋转装置；2-1.固定座；2-2.旋转电机；2-3.连接圆盘；3.研磨盘。信号调理模块根据电压值的大小反比例调节高频机的功率输出。

    **名称：一种高频加热时精确控制温度的方法技术领域：本发明涉及一种高频加热时温度控制的方法，具体涉及一种晶体管高频加热时精确控制温度的装置及方法。背景技术：在冶炼、锻造、热拉、热装、焊接、热处理等金属制造业领域，高频加热的方法已开始逐渐代替传统的加热方法，高频加热作为一种新型的加热方式具有节约能源、加热灵活、操作方便等优点。在金属材料热处理领域，由于不同的材料比较好淬火温度有所不同，因此需要能够精确的控制温度。高频加热的方式虽然具有一系列的优点，但在其温度控制方法上仍然存在以下的不足1，通过传统的时间控制的热处理的淬火温度在士30°C左右，并且受输入电压、环境温度、工件尺寸公差、感应器等因素影响可能温度波动还要大，而理想的热处理的淬火温度是在目标温度士10°c范围内，因此在加工温度精度要求比较高的材料时，传统的方法不能满足质量的要求；2，即使通过红外温度控制等方式，排除输入电压、环境温度、工件尺寸公差、感应器等因素的影响，晶体管高频加热工件，当外界给出高频断开信号时，由于电源控制系统的问题，高频不能在这一瞬间断开，高频断开往往有个时间滞后，并且这个滞后时间存在一定误差。发热体设置在发光管的内部，且发热体以碳作为主要成分。PH132-PCC10A加热板说明书

在半圆形热片2的自由端是分别接着电源的左电极和右电极。MSA FACTORYPH132-PCC10A加热板经销

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