天津PA4015加热板

    沉积掺杂硼磷的氧化层含有硼磷杂质的SiO2层，有较低的熔点，硼磷氧化层(BPSG)加热到800oC时会软化并有流动特性，可使晶圆表面初级平坦化。深处理溅镀***层金属利用光刻技术留出金属接触洞，溅镀钛+氮化钛+铝+氮化钛等多层金属膜。离子刻蚀出布线结构，并用PECVD在上面沉积一层SiO2介电质。并用SOG(spinonglass)使表面平坦，加热去除SOG中的溶剂。然后再沉积一层介电质，为沉积第二层金属作准备。（1）薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。有绝缘膜、半导体薄膜、金属薄膜等各种各样的薄膜。薄膜的沉积法主要有利用化学反应的CVD(chemicalvapordeposition)法以及物理现象的PVD(physicalvapordeposition)法两大类。CVD法有外延生长法、HCVD，PECVD等。PVD有溅射法和真空蒸发法。一般而言，PVD温度低，没有毒气问题；CVD温度高，需达到1000oC以上将气体解离，来产生化学作用。PVD沉积到材料表面的附着力较CVD差一些，PVD适用于在光电产业，而半导体制程中的金属导电膜大多使用PVD来沉积，而其他绝缘膜则大多数采用要求较严谨的CVD技术。以PVD被覆硬质薄膜具有**度，耐腐蚀等特点。（2）真空蒸发法。薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。天津PA4015加热板

    为了保证测控精度，采用红外线温度测控模块作为温度测控模块。图1是本发明实施例的结构原理示意图；图2是未采用本发明技术方案的温度与时间关系示意图；图3为采用本发明技术方案的温度与时间关系示意图。具体实施例方式下面结合附图和实施例对本发明技术方案进一步说明如图1、图2和图3所示，本发明提供一种精确控温的高频加热装置，包括有对物件进行升温的高频机1，监测物件温度并反馈正比电压信号的美国雷泰红外线温度测控模块2和接收电压信号并控制高频机输出功率的信号调理模块3.采用上述精确控温高频加热装置的方法，包括如下步骤第一步，开始高频加热，高频机1满负荷加热升温，美国雷泰红外线温度测控模块2监测物件温度，当物件温度距目标温度80120°C时，改为动态功率加热；第二步，美国雷泰红外线温度测控模块2根据不同温度，反馈与温度成正比的电压值，信号调理模块3根据电压值的大小反比例调节高频机1的功率输出，使其越接近目标温度，输出功率越小；第三步，信号调理模块3动态调节高频机1的功率输出，物件温度保持在目标温度值的士5°C的范围内。本申请人在未采用上述高频加热温度控制装置及方法时，连续生产过程中测试分析数据。上海 PA4015加热板代理商每组加热片的自由端分别连结电源的两极。

    同义词wafer一般指晶圆本词条由“科普中国”科学百科词条编写与应用工作项目审核。晶圆指制造半导体晶体管或集成电路的衬底（也叫基片）。由于是晶体材料，其形状为圆形，所以称为晶圆。衬底材料有硅、锗、GaAs、InP、GaN等。由于硅**为常用，如果没有特别指明晶体材料，通常指硅晶圆。[1]在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，**化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.%。中文名晶圆外文名Wafer本质硅晶片纯度99.%作用制作硅半导体集成电路形状圆形目录1制造过程2基本原料3制造工艺▪表面清洗▪初次氧化▪热CVD▪热处理▪晶圆的背面研磨工艺▪除氮化硅▪离子注入晶圆制造过程编辑晶圆是制造半导体芯片的基本材料，半导体集成电路**主要的原料是硅，因此对应的就是硅晶圆。硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式***存在于岩石、砂砾中，硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤：硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。首先是硅提纯，将沙石原料放入一个温度约为2000℃，并且有碳源存在的电弧熔炉中，在高温下。

    第四加热区域、第五加热区域、第六加热区域和第七加热区域设置于第二加热区域和第三加热区域外圆周；每个加热区域上均设置有若干弧形凹槽，且每个加热区域内的弧形凹槽均与相邻的弧形凹槽连接，使每个加热区域内的弧形凹槽形成串联；每个加热区域内均设置有一根加热丝，加热丝嵌于弧形凹槽内；底板与加热盘扣合；若干垫柱设置于加热盘上。其中，加热盘上还设有限位柱，限位柱用于限定晶圆在加热盘上的位置。其中，底板上均设置有温度传感器。其中，底板上设置有过温保护器。其中，垫柱为peek材料，高度为。其中，加热器外圆周上还套设有隔热环。三、本发明的有益效果与现有技术相比，本发明的晶圆加热器具通过七个加热区域，且每个加热区域为**加热单元的设计，使整个加热盘能够均匀的发热，达到了对晶圆均匀加热的效果，通过隔热环的设计，有效的加热区域内的热量过快的散发，提高了保温效果，同时隔热环还可以有效的避免烫伤周围人员，提高了安全性能。附图说明图1为本发明的晶圆加热器的图；图2为本发明的晶圆加热器的背面结构示意图；图3为本发明的晶圆加热器的正面结构示意图；图4为本发明的晶圆加热器的加热盘的背面结构示意图；图中：1为加热盘；2为底板；3为垫柱。格芯的9HP延续了成熟的高性能硅锗BiCMOS技术的优势。

    本发明半导体加工领域，尤其涉及一种晶圆加热器。背景技术：现有的晶圆加热设备，加热丝呈螺旋状从中心向**旋转，加热丝在热盘中的分布不够均匀，无法达到均匀加热的目的，无法满足晶圆的高精度加热，而高精度加热对半导体的工艺至关重要。如中国发明专利cna所公开的一种能够提高照射效率的加热器。实施方式所涉及的加热器具备发光管、发热体及反射膜。发光管呈筒状，且所述发光管透光。发热体设置在发光管的内部，且发热体以碳作为主要成分。反射膜设置在发光管的外周面，并对光进行反射。上述现有技术的晶圆加热器无法恒温的均匀加热。技术实现要素：一、要解决的技术问题本发明的目的是针对现有技术所存在的上述问题，特提供一种晶圆加热器，解决现有加热器无法恒温的均匀加热的问题。二、技术方案为解决上述技术问题，本发明提供一种晶圆加热器，包括：加热盘、底板和若干垫柱；加热盘上设有七个加热区域，分别为***加热区域、第二加热区域、第三加热区域、第四加热区域、第五加热区域、第六加热区域和第七加热区域；***加热区域设置于中心区域，第二加热区域和第三加热区域设置于***加热区域外圆周。而成为有特定电性功能的集成电路产品。江苏PA9005-PCC10A加热板

在晶圆加热前需要先行对晶圆进行定位，在先技术中通常通过真空吸盘定位。天津PA4015加热板

    本实用新型涉及等离子体cvd晶圆加热器的领域，尤其涉及一种等离子体cvd晶圆加热器用表面修磨装置。背景技术：随着半导体技术的不断飞速发展,单个芯片上所承载的晶体管数量以惊人的速度增长,与此同时,半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片,这要求更加精细的制造工艺.一种常用的工艺是等离子体化学汽相淀积(pecvd).化学汽相淀积(pecvd)一般用来在半导体晶圆衬底上淀积薄膜,气体起反应在晶圆加热器表面形成一层材料；等离子体cvd晶圆加热器是半导体芯片加工的关键设备，起承载吸附晶圆及提供加热的作用,随着使用次数增加,晶圆在工艺过程中和等离子体cvd晶圆加热器表面接触,高温状态晶圆加热表面的铝材会被晶圆不停磨损,导致晶圆加热器表面平整度及吸附区域尺寸变差,吸附力下降,导致工艺无法正常完成,工艺结果变差。因此就需要将等离子体cvd晶圆加热器表面进行修复,保证表面的平整度和吸附区域尺寸,保证工艺正常进行；现有技术的修复方法是使用数控机床或手工进行修复,但是存在材料去除量较大，数控机床一次去除量为，导致晶圆加热器的可修磨次数少，使用成本高；另外晶圆加热器表面沟槽多、材料太软，导致不好控制表面平整度。天津PA4015加热板

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