陕西智能电阻测试发展

铜镜和铜板腐蚀测试了助焊剂或者助焊剂残留物里面离子之间的反应分别对电化学迁移的潜在影响。***，卤化物含量测量表明了助焊剂中多少的离子来自卤离子。需要注意的是这是有别于无卤和低卤助焊剂的要求。也需要提供附加测量值，比如助焊剂黏度、酸值固体物含量等根据J-STD-004定义的附加测试方法的测试结果。当供应商提供了助焊剂活性等级，相当于给了工程师一个规格，这个规格定义了在标准条件下助焊剂的表现如何，这其中包括了指定的温度循环和测试板。这有别于在特定设计和工艺中认证助焊剂。某些助焊剂等级的测试方法可以修改，以适应其设计特性。但是这些修改可能改变预期的结果，并且会影响到测试合格/失败的极限。与其它方法比较，SIR的优点是除了可侦测局部的污染之外，还可以测量离子与非离子污染物对PCB可靠性的影响。陕西智能电阻测试发展

金属离子在阴极沉积过程在阴极区，阳极溶解生成的金属离子（主要为锡离子和铅离子）在电场的作用下，在电解液中迁移到阴极得到电子直接生成金属单质；或者与阴极生成的氢氧根离子相遇而生成氢氧化物的沉淀物，氢氧化物的沉淀物发生脱水分解为氧化物，氧化物继续还原为金属单质。伴随着枝晶的生长过程，阴极区还发生的反应为电解质中溶解氧气的还原反应及水的还原反应，反应方程式如下：Pb2++2e-→PbSn2++2e-→SnSn4++4e-→SnO2+2H2O+4e-→4OH-2H2O+2e-→H2+2OH-Pb2++2OH-→Pb(OH)2→PbO+H2OSn2++2OH-→Sn(OH)2→SnO+H2OSn4++4OH-→Sn(OH)4→SnO2+2H2O为建立可抑制电化学迁移中阴极还原沉积过程，可能的有效途径为可以在阴极表面添加不同的活性剂，使阴极沉积物由树枝状结构变为分散在阴极表面，由此可有效避免由树枝状枝晶的生长而造成的短路失效。陕西多功能电阻测试厂家供应根据客户实际需求定制，比如接入对应ERP系统。

表面电子组件的电化学迁移的发生机理取决于四个因素：铜、电压、湿度和离子种类。当环境中的湿气在电路板上形成水滴时，能够与表面上的任何离子相互作用，使离子沿着电路板表面移动。离子与铜发生反应，它们在电压的作用下，被推动着在铜电路之间迁移。这通常被总结为一系列步骤：水吸附、阳极金属溶解或离子生成、离子积累、离子迁移到阴极和金属枝晶状生长。线路板表面的每一种材料都有可能是电迁移产生的影响因素：无论是线路板材料和阻焊层、元器件的清洁度，还是制板工艺或组装工艺产生的任何残留物（包括助焊剂残留物）。由于这种失效机制是动态变化的，理想状况是对每种设计和装配都进行测试。但这是不可行的。这就提出了一个问题：如何比较好地描述一个组件的电化学迁移倾向。

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1、**通道高精度微电流测试。2、**通道测试电流电阻，电阻超大量程测量范围在10的4次方到10的14次方。3、实现多通道电流同时采集，实时监控测试样品离子和材料绝缘劣化过程。4、板卡式结构，灵活配置系统通道，1个板卡16通道，单系统可扩展256通道。5、每个板卡一个**测试电源，可适应多批量测试条件。6、测试电压可以扩展使用外接电压，最大电压可高达2000V。7、测试电压可在1.0-500V(2000V)之间以0.1V步进任意可调。 印刷电路板的电极之间会出现离子转移，出现绝缘劣化的现象。通常发生在PCB基板中。

有数据统计90%以上的电阻在大气环境中使用[1]，因此不可避免地受到工作环境中的温度、湿度、灰尘颗粒及大气污染物的影响，很容易发生电化学迁移。电化学迁移被认为是电阻在电场与环境作用下发生的一种重要的失效形式，会导致产品在服役期间发生漏电、短路等故障。1失效分析某一批智能水表上的电路板使用大约2年后其内部电阻存在短路失效的情况。1.1机械开封机械开封后1#电阻样品表面形貌如图1所示，可明显发现电阻表面有一层金属光泽异物粘附，异物呈树枝状结晶，由一端电极往另一端电极方向生长，并连接了电阻两端电极；一端电表表面发生溶解，且溶解的端电极表面存在黑色腐蚀产物。实现多通道电流同时采集，实时监控测试样品离子和材料绝缘劣化过程。广东制造电阻测试发展

摒弃老的设备系统集成观念！陕西智能电阻测试发展

什么是PCB/PCBA绝缘失效？PCB/PCBA绝缘失效是指电介质在电压作用下会产生能量损耗，这种损耗很大时，原先的电能转化为热能，使电介质温度升高，绝缘老化，甚至使电介质熔化、烧焦，终丧失绝缘性能而发生热击穿。电介质的损耗是衡量其绝缘性能的重要指标，电介质即绝缘材料，是电气设备、装置中用来隔离存在不同点位的导体的物质，通过各类导体间的绝缘隔断功能控制电流的方向。PCB/PCBA绝缘失效的表征电介质长期受到点场、热能、机械应力等的破坏。在电场的作用下，电介质会发生极化、电导、耗损和击穿等现象，这些现象的相关物理参数可以用相对介电系数、电导率、介质损耗因数、击穿电压来表征。陕西智能电阻测试发展

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