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    K9K1G08U0M实际读传输率：512字节÷μs=；K9K4G08U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+25μs+（2K+64）×50ns=μs；K9K4G08U0M实际读传输率：2KB字节÷μs=。因此，采用2KB页容量比512字节也容量约提高读性能20%。写入性能：NAND型闪存的写步骤分为：发送寻址信息→将数据传向页面寄存器→发送命令信息→数据从寄存器写入页面。其中命令周期也是一个，我们下面将其和寻址周期合并，但这两个部分并非连续的。K9K1G08U0M写一个页需要：5个命令、寻址周期×50ns+（512+16）×50ns+200μs=μs。K9K1G08U0M实际写传输率：512字节÷μs=。K9K4G08U0M写一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+（2K+64）×50ns+300μs=μs。K9K4G08U0M实际写传输率：2112字节/μs=5MB/s。因此，采用2KB页容量比512字节页容量提高写性能两倍以上。闪存芯片块容量块是擦除操作的基本单位。深圳市派大芯科技有限公司是一家专业从事电子元器件配套加工服务的企业，专业提供IC激光刻字\IC精密打磨（把原来的字磨掉）\IC激光烧面\IC盖面\IC洗脚\IC镀脚\IC整脚\有铅改无铅处理，编带为一体的加工型的服务企业等;是集IC去字、IC打字、IC盖面、IC喷油、镭射雕刻、电子元器件、电路芯片、手机。派大芯提供BGA,QFN,FLASH,SDRAM,TO,CPU等系列IC芯片电子元器件的表面加工。江苏蓝牙IC芯片加工

    而增加数据线和提高频率，则是提高性能的途径，但由于命令、地址信息占用操作周期，以及一些固定操作时间（如信号稳定时间等）等工艺、物理因素的影响，它们不会带来同比的性能提升。1Page=（2K+64）Bytes；1Block=（2K+64）B×64Pages=（128K+4K)Bytes；1Device=（2K+64）B×64Pages×4096Blocks=4224Mbits其中：A0～11对页内进行寻址，可以被理解为“列地址”。A12～29对页进行寻址，可以被理解为“行地址”。为了方便，“列地址”和“行地址”分为两组传输，而不是将它们直接组合起来一个大组。因此每组在一个周期会有若干数据线无信息传输。没有利用的数据线保持低电平。NAND型闪存所谓的“行地址”和“列地址”不是我们在DRAM、SRAM中所熟悉的定义，只是一种相对方便的表达方式而已。为了便于理解，我们可以将上面三维的NAND型闪存芯片架构图在垂直方向做一个剖面，在这个剖面中套用二维的“行”、“列”概念就比较直观了。闪存芯片容量识别编辑081G128M082G256M084G512M088G1G08AG2GAG081GBG084G闪存芯片供应动态编辑日前，SandForce的新东家芯片公司LSI表示。深圳市派大芯科技有限公司是一家专业从事电子元器件配套加工服务的企业，专业提供IC激光刻字\IC精密打磨。电源IC芯片报价CPU主控系列ic去字 芯片刻字 ic磨字 芯片打字 ic打磨 芯片丝印更正，就找派大芯。

    甚至想当然地认为闪存盘采用。前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘（其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性），它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。闪存芯片NAND型内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512字节）。深圳市派大芯科技有限公司是一家专业从事电子元器件配套加工服务的企业，专业提供IC激光刻字\IC精密打磨（把原来的字磨掉）\IC激光烧面\IC盖面\IC洗脚\IC镀脚\IC整脚\有铅改无铅处理，编带为一体的加工型的服务企业等;是集IC去字、IC打字、IC盖面、IC喷油、镭射雕刻、电子元器件、电路芯片、手机，MP3外壳、各类按键、五金配件、钟表眼镜、首饰饰品、塑胶，模具、金属钮扣、图形文字、激光打标等产品专业生产加工等等为一体专业性公司。公司设备激光雕刻的优点如下：速度快、精度高、使用方便；可通过电脑任意设计图形文字，可自动编号。

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