异质结电镀铜后缀
电镀铜光刻技术是指利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将设计好的微图形结构转移到覆有感光材料的晶圆、玻璃基板、覆铜板等基材表面上的微纳制造技术。光刻设备是微纳制造的一种关键设备，在泛半导体领域，根据是否使用掩膜版，光刻技术主要分为直写光刻与掩膜光刻，其中掩膜光刻可进一步分为接近/接触式光刻以及投影式光刻。掩膜光刻由光源发出的光束，经掩膜版在感光材料上成像，具体可分为接近、接触式光刻以及投影光刻。其中，投影式光刻更加先进，能够在使用相同尺寸掩膜版的情况下获得更小比例的图像，从而实现更精细的成像。直写光刻也称无掩膜光刻，是指计算机将电路设计图形转换为机器可识别的图形数据，并由计算机控制光束调制器实现图形的实时显示，再通过光学成像系统将图形光束聚焦成像至已涂覆感光材料的基板表面上，直接进行扫描曝光。直写光刻既具有投影光刻的技术特点，如投影成像技术、双台面技术、步进式扫描曝光等，又具有投影光刻不具备的高灵活性、低成本以及缩短工艺流程等技术特点。 光伏电镀铜设计的导电方式主要有弹片重力夹具等方式。异质结电镀铜后缀
铜电镀工艺流程：种子层沉积—图形化—电镀—后处理，光伏电镀铜工艺流程主要包括种子层沉积、图形化、电镀及后处理四大环节，目前各环节技术路线不一，多种组合工艺方案 并行，需要综合性能、成本来选择合适的工艺路线。（3）电镀：将待电镀电池（阴极）浸泡在电镀设备的硫酸铜（阳极）溶液中，通电进行电解，铜离子（阳离子Cu2+）被还原，在需要镀铜的线路区域内沉积成铜，形成选择性的铜电极。（4）后处理：进行电镀锡或使用抗铜氧化剂制作保护层，可应用湿法刻蚀、激光刻蚀、等离子体刻蚀等工艺，剥离掩膜、刻蚀掉剩余种子层，并做表面处理，得到具有优异塑形和良好选择性的铜电极。成都高效电镀铜设备供应商PVD镀膜设备的技术经验可延伸至HJT电镀铜工艺。
光伏电镀铜技术路线优势之增效：（1）铜电镀电极导电性能优于银栅线，且与TCO层的接触特性更好，促进提高电池转换效率。A．金属电阻率影响着电极功率损耗与导电性能，纯铜具有更低电阻率。异质结低温银浆主要由银粉、有机树脂等材料构成，浆料固化后部分有机物不导电，使低温银浆的电阻率较高、电极功率损耗较大；同时，由于低温银浆烧结温度不超过250℃，浆料中Ag颗粒间粘结不紧密，具有较多的空隙，导致其线电阻的提高及串联电阻的增加。而铜电镀栅线使用纯铜，其电阻率接近纯银但明显低于低温银浆，且其电极结构致密均匀，没有明显空隙，可实现更低的线电阻率，降低电池电极欧姆损耗、提高电性能。B．金属与TCO层的接触特性影响着异质结太阳电池载流子收集、附着特性及电性能，铜电镀电极更具优势。银浆料与TCO透明导电薄膜之间的接触存在孔洞较多，造成其金属-半导体接触电阻的增加和电极附着性降低，影响了载流子的传输。而铜电镀电极易与透明导电薄膜紧密附着，无明显孔洞，使接触电阻较小，可以提高载流子收集几率。
太阳能电池电镀铜技术。这项技术不仅可提升太阳能电池板效能，而且可大规模降低成本。以开掘市场潜力，全新的电镀工艺旨在进一步针对低成本电池的需求，光伏铜电镀技术采用金属铜完全代替银浆作为栅线电极，实现整片电池的工艺转换，打破瓶颈，创新行业发展。光伏电镀铜设计的导电方式主要有弹片式导电舟方式、水平滚轮导电、模具挂架式、弹片重力夹具等方式。合理的导电方式对光伏电镀铜设备非常重要是实现可量产的关键因素之一。优良的导电方式可以实现设备的便捷维修和改善电镀铜片与片之间的电镀铜厚极差，甚至可以实现单片硅上分布电流的可监控性。光伏电镀铜设备，主要用于光伏电池硅片镀铜代替银浆丝网印刷。
铜电镀相较银浆丝网印刷，优势主要在两方面：降本与提效。1）降本：在自然界中，金属导电性由高到低分别是银、铜、金、铝、镍、铁，但银属于贵金属，价格较高，不适合做导线，若采用其做导线，将拉高生产成本，因此在光伏电池片中，无论是使用高温银浆还是低温银浆，银浆成本高昂是产业规模化痛点，铜作为贱金属，若能替代银，降本问题基本迎刃而解。2）效率提升：金属银导电性强于金属铜，但银浆属于混合流动胶体，导电性较纯铜的铜栅线弱，线宽可以做到更细的铜栅线发电效率也更高。电镀铜取代银浆就是把格栅的线路做的更细。合肥专业电镀铜设备价格
HJT 电池外层的 TCO 是天然的阻挡层材料，因此 HJT 电池电镀铜工艺也可以选择不制备种子层。异质结电镀铜后缀
电镀铜图形化环节主要包含掩膜、曝光、显影几个步骤。其中，掩膜环节是将抗刻蚀的感光材料涂覆在电池表面以遮盖保护不需要被电镀的区域，感光材料主要有湿膜油墨、干膜材料等。曝光、显影环节是将图形转移至感光材料上，主要技术有LDI激光直写光刻（无需掩膜）、常规掩膜光刻技术、激光开槽、喷墨打印等；其中无需掩膜的LDI激光直写光刻技术应用潜力较大，激光开槽在BC类电池上已有量产应用，整体看图形化技术路线有望逐步明确和定型。异质结电镀铜后缀