北京釜川异质结装备

高效异质结电池整线设备，HWCVD 1、热丝化学气相沉积(HotWireCVD，HWCVD)是利用高温热丝催化作用使SiH4分解来制备非晶硅薄膜，对衬底无损伤，且成膜质量非常好，但镀膜均匀性较差，且热丝作为耗材，成本较高；2、HWCVD一般分为三个阶段，一是反应气体在热丝处的分解反应，二是基元向衬底运输过程中的气相反应，第三是生长薄膜的表面反应。PECVD镀膜均匀性较高，工艺窗口宽，对衬底损伤较大。HWCVD是利用高温热丝催化作用使SiH4分解来成膜，对衬底无损伤，且成膜质量好，但镀膜均匀性较差且成本较高。异质结电池是光伏行业的新兴技术，其转换效率高，能够显着提升太阳能电池的整体性能。北京釜川异质结装备

高效异质结电池整线解决方案，TCO的作用：在形成a-Si:H/c-Si异质结后，电池被用一个~80纳米的透明导电氧化物接触。~80纳米薄的透明导电氧化物（TCO）层和前面的金属网格。透明导电氧化物通常是掺有Sn的InO（ITO）或掺有Al的ZnO。通常，TCO也被用来在电池的背面形成一个介电镜。因此，为了理解和优化整个a-Si:H/c-Si太阳能电池，还必须考虑TCO对电池光电性能的影响。由于其高掺杂度，TCO的电子行为就像一个电荷载流子迁移率相当低的金属，而TCO/a-Si:H结的电子行为通常被假定为类似于金属-半导体结。  TCO的功函数对TCO/a-Si:H/c-Si结构中的带状排列以及电荷载流子在异质结上的传输起着重要作用。此外，TCO在大约10纳米薄的a-Si:H上的沉积通常采用溅射工艺；在此，应该考虑到在该溅射工艺中损坏脆弱的a-Si:H/c-Si界面的可能性，并且在工艺优化中必须考虑到。北京高效异质结PECVD异质结电池的基本原理，包括光生伏特的效应、结构与原理，以及其独特的特点和提高效率的方法。

光伏高效异质结电池整线解决方案，产业机遇：方向清晰：HJT技术工艺流程短、功率衰减低、输出功率稳定、双面发电增益高、未来主流技术方向；时间明确：HJT平均量产效率已超过PERC瓶颈（25%），行业对HJT电池投入持续加大，电池商业化已逐渐成熟；机遇可期：设备与耗材是HJT规模化的关键，降本增效是不变的主题，具备HJT整线整合能力的供应商优势明显。当前HJT生产成本约：硅片占比约50%，银浆占比约25%，靶材约6%左右；当前HJT设备成本约：清洗制绒设备、PECVD设备、PVD设备、丝网印刷，设备投资额占比分别约10%、50%、25%和15%。

光伏异质结是一种将光能转化为电能的器件，其输出电压和电流特性与光照强度和温度有关。当光照强度增加时，光伏异质结的输出电流也会随之增加，但输出电压会保持不变或略微下降。这是因为光照强度增加会导致光生载流子的增加，从而增加了输出电流。但同时也会导致电子和空穴的复合速率增加，从而降低了输出电压。另外，光伏异质结的输出电压和电流特性还受到温度的影响。当温度升高时，光伏异质结的输出电流会随之下降，而输出电压则会略微上升。这是因为温度升高会导致载流子的复合速率增加，从而降低了输出电流。但同时也会导致载流子的扩散速率增加，从而提高了输出电压。总之，光伏异质结的输出电压和电流特性是与光照强度和温度密切相关的，需要在实际应用中根据具体情况进行调整和优化。异质结电池主工艺之一：制绒清洗设备。

异质结太阳能电池使用晶体硅片进行载流子传输和吸收，并使用非晶/或微晶薄硅层进行钝化和结的形成。顶部电极由透明导电氧化物（TCO）层和金属网格组成。异质结硅太阳能电池已经吸引了很多人的注意，因为它们可以达到很高的转换效率，可达26.3%，相关团队对HJT极限效率进行更新为28.5%，同时使用低温度加工，通常整个过程低于200℃。低加工温度允许处理厚度小于100微米的硅晶圆，同时保持高产量。异质结电池具备光电转化效率提升潜力高、更大的降成本空间、更高的双面率、可有效降低热损失、更低的光致衰减、制备工艺简单等特点，为光伏领域带来了新的希望。光伏异质结技术可以与其他先进技术相结合，如微晶硅钝化、选择性发射极等，进一步优化电池性能。北京高效异质结PECVD

光伏异质结电池PVD设备连续完成正背面TCO镀膜，产能高。北京釜川异质结装备

异质结电池工艺 1.清洗制绒。通过腐蚀去除表面损伤层，并且在表面进行制绒，以形成绒面结构达到陷光效果，减少反射损失；2.正面/背面非晶硅薄膜沉积。通过CVD方式在正面/背面分别沉积5~10nm的本征a-Si:H，作为钝化层，然后再沉积掺杂层；3.正面/背面TCO沉积。通过PVD在钝化层上面进行TCO薄膜沉积；4.栅线电极。通过丝网印刷进行栅线电极制作；5.烘烤(退火)。通过丝网印刷进行正面栅线电极制作，然后通过低温烧结形成良好的接触；6.光注入。7.电池测试及分选。北京釜川异质结装备