深圳动态测试IGBT自动化设备

随着国内新能源汽车产业的快速发展，产业链上游大有逐步完成国产替代，甚至引导世界的趋势，诸如整车品牌、动力电池、电池材料等等已经走得比较靠前。而汽车电控IGBT模块是新能源汽车较主要的功率器件，之前一直被诸如英飞凌、安森美、赛米控、三菱电机等国外供应商垄断，但随着比亚迪半导体、斯达半导、中车时代、士兰微等国内供应商的崛起，目前在一定程度上已经能够满足国产需求，相信在不久的将来，国内汽车半导体企业会更大更强！IGBT可以用于电力调节，提供电力调节和监控系统。深圳动态测试IGBT自动化设备

DBC阶段测试。将IGBT芯片从wafer上取下来，焊在DBC上，再进行一次绑线，将芯片的G、C、E极与DBC上预留的绑线位通过金属线连接起来，此时的IGBT状态，我们可称之为DBC阶段。如果在DBC阶段就对IGBT进行测试筛选，将性能不良的芯片筛选出来，那么封装成IGBT模块以后，模块的不良率会较大程度上降低。而DBC阶段的IGBT成本较大程度上低于IGBT模块，比如一个450A的62mm模块，内部分为上下两个桥臂，有2个IGBT单元，每个IGBT又是由2个IGBT芯片并联而成（通过DBC的形式并联，每颗芯片焊在一块DBC上），那么一个模块里面就相当于有4块DBC。网带式气氛烤炉市场价格IGBT可以作为放大器，用来放大高频信号。

假设S1在t0时刻之前已经经历过一次开关状态，并且处于关闭稳定状态，此时负载电感正在通过续流二极管D2续流。在t0时刻，S1接受了开启命令。开启延迟时间后，在t1时刻，S1的栅极达到开启阈值，并正式开始与邻家弟弟D2的电压和电流控制权竞争。虽然二极管弟弟D2依靠负载电感大哥来控制电流控制权，但在邻居S1和电源大哥Vdc的双重压迫下，他不得不首先移交电流控制权，所以在t1时刻，S1的电流迅速上升。那么为什么S1和D2的电压在电流交接过程中没有变化呢？原来D2弟弟还有一个技能。只要有电流通过，我就会保持正向导通状态。由于我处于正向导通状态，S1的集电极电压仍然是Vdc。S1知道二极管有这个特点，过早竞争是没有意义的。他认为只要D2的电流控制权来了，自然就不会被D2控制。因此，随着电流交接在t2时刻完成，S1的电压开始下降，D2也开始承受反向电压。

IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。　因此使用中要注意以下几点：1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸;2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块;3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。IGBT可以用于电机控制，如三相伺服电机控制系统。

IGBT模块工艺流程简介：（1）检测：使用检测设备对焊接口进行平面和立体成像检测，不合格的产品经人工维修合格后进入下一工序；X射线检测，用来检查IGBT模块内部的焊接效果，有无空洞等缺陷，（2）晶圆键合、一体针上锡：使用键合机利用键合线连接一体针与DBC基板的上铜层、DBC基板与底板，该过程需使用二次焊组装机设备利用焊锡丝进行焊点预上锡。引线键合环节，机器人通过图像识别技术定位，然后使用超声波引线键合技术将芯片与芯片之间的电路自动连接完整。IGBT在变压器、换流器、电抗器、电容器、调速器、变流器等电力转换设备中普遍使用。非标DBC底板贴装机批发

近年来IGBT的国产化进程也明显加速。深圳动态测试IGBT自动化设备

电迁移、电化学腐蚀和金属化重构，IGBT功率模块芯片顶部有一层Al金属薄膜，用于与外界连接。在电流和温度梯度的作用下，Al金属离子会沿着导体移动，如沿键合线移动，产生净质量运输，导致薄膜上出现空洞、小丘或晶须。随着设备的老化，硅胶的气密性降低，外部物质与Al金属薄膜接触，导致电化学腐蚀。常见的有Al自钝化反应、单阳极腐蚀电池反应和与污染的离子反应。金属化重建是由于Al和芯片上SiO2的CTE值相差两个数量级，导致界面循环应力，Al原子扩散，导致丘陵、晶须和空洞，较终导致塑性变形和裂纹。上述因素导致的Al膜失效会加剧键合点的疲劳，较终导致键合线脱落或电场击穿失效。深圳动态测试IGBT自动化设备