上海非标真空封盖自动线

在国际节能环保的大趋势下，IGBT下游的新能源汽车、变频家电、新能源发电等领域发展迅速。加上我国经济飞速发展，能源需求量大幅上升，在这样的背景下，各企业对IGBT模块的需求逐步扩大，新兴行业的加速发展也持续推动IGBT市场的高速增长。以往国内的IGBT厂家主要以封装为主，IGBT芯片大部分都是购买的英飞凌、ABB等进口品牌。这些进口大厂的芯片技术比较成熟，良率及稳定性比较高，因此在封装过程中，因芯片本身质量问题导致的模块不良情况比较少，所以绝大部分封装厂都是在IGBT模块封装成成品以后才做动态参数测试。IGBT 的优点：可以由小的控制信号，控制较大的电流或电压。上海非标真空封盖自动线

IGBT的主要参数：1、电压限制：IGBT的电压范围一般在600V-6.5kV之间。2、功率限制：IGBT的功率范围一般在1W-15MW之间。3、漏电流：IGBT的漏电流比MOSFET要小得多，一般在1mA-100mA之间。4、损耗：IGBT的损耗一般比MOSFET要低，可以达到1W-15MW之间。5、热效应：IGBT的热效应比MOSFET要小，可以达到20°C-150°C之间。6、反应时间：IGBT的反应时间一般比MOSFET要快，可以达到1ns-50ns之间。IGBT 的优点：1、控制电路简单，安装和使用方便。2、有良好的负载特性，控制输出电压、电流均稳定可靠，开关损耗小。3、比双极型开关管的功率损耗低。4、可以由小的控制信号，控制较大的电流或电压。河北共晶真空炉价位IGBT可以用于电力变换器，用于电力转换和调节。

IGBT模块工艺流程简介：（1）检测：使用检测设备对焊接口进行平面和立体成像检测，不合格的产品经人工维修合格后进入下一工序；X射线检测，用来检查IGBT模块内部的焊接效果，有无空洞等缺陷，（2）晶圆键合、一体针上锡：使用键合机利用键合线连接一体针与DBC基板的上铜层、DBC基板与底板，该过程需使用二次焊组装机设备利用焊锡丝进行焊点预上锡。引线键合环节，机器人通过图像识别技术定位，然后使用超声波引线键合技术将芯片与芯片之间的电路自动连接完整。

电迁移、电化学腐蚀和金属化重构，IGBT 功率模块芯片顶部存在一层 Al 金属薄膜用以与外部进行连接。在电流和温度梯度的作用下，Al 金属离子会沿着导体运动，如沿着键合线运动，产生净质量输运，导致薄膜上出现空洞、小丘或晶须。随着器件的老化，有机硅凝胶的气密性下降，外部的物质会与 Al 金属薄膜接触，使其发生电化学腐蚀。常见的有 Al 的自钝化反应、单一阳极腐蚀电池反应以及与沾污的离子发生反应。金属化重构是由于 Al 与芯片上 SiO2 的 CTE 值相差两个数量级，导致界面处产生循环应力，使得Al 原子发生扩散，造成小丘、晶须和空洞，然后产生塑性形变，引发裂纹。以上所述三种因素导致的 Al 薄膜失效方式会加剧键合点处的疲劳情况，较终导致键合线脱落或电场击穿失效。IGBT在变压器、换流器、电抗器、电容器、调速器、变流器等电力转换设备中普遍使用。

IGBT模块动态、静态测试系统是IGBT模块研发和制造过程中重要的测试系统，行业初期由瑞士LEMSYS（Teradyne于2019年完成对LEMSYS的收购）、意大利CREA等国外品牌占据主要市场份额。随着光伏、新能源汽车等场景对IGBT模块需求的快速增长，加之贸易环境等因素，功率半导体行业整体进入了快速国产化的黄金年代。特别是下游客户对其封装后成品的测试要求较高，随着IGBT模块的自主可控、国产化进程加速，国产测试系统产品需求也逐渐迫切，但是该领域的测试系统还处于国产化初期的客户验证阶段，预计2022年将开启全方面国产化进程。IGBT可以用于逆变电路，提供可靠的正弦电压和频率。天津动态测试工业模块自动组装线

IGBT是将晶体管的特性和开关电路的特性结合在一起，让它成为一种可以控制电流的新型电子元件。上海非标真空封盖自动线

关于共晶焊接的工艺是采用真空。／可控气氛共晶炉设备实现。使用真空／在芯片共晶焊中，可控气氛共晶炉需要注意以下问题：焊料的选用，焊接材料是共晶焊接的关键因素。AuGe等多种合金可用作焊接材料。、AuSn、AuSi、Snln、SnAg、SnBi等。，各种焊接材料适用于不同的应用场合，因为它们各自的特点。例如，含银的焊接材料SnAg很容易与镀层含银的端面接合，含金量高的合金焊接材料很容易与镀层含金量高的端面接合。共晶焊接层留下的空隙会影响接地效果和其他电气性能。上海非标真空封盖自动线