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IGBT模块承担着电力电子转换的主要任务，随着全球制造业向中国的转移，中国已逐渐成为全球较大的IGBT消费市场。在EV、HEV等产业普及的大力推动下，国内IGBT市场需求快速持续增长，近年来IGBT的国产化进程也明显加速。功率半导体主要被用作半导体开关，分类中被大家所熟知的非IGBT这个主流大佬莫属了，现在火热的电动汽车领域中也有着其身影。IGBT 的优点：1、控制电路简单，安装和使用方便。2、有良好的负载特性，控制输出电压、电流均稳定可靠，开关损耗小。3、比双极型开关管的功率损耗低。4、可以由小的控制信号，控制较大的电流或电压。汽车IGBT模块对产品性能和质量的要求要明显高于消费和工控领域。天津非标真空封盖自动线

IGBT发展至今这么长的时间，从传统的电力电子领域拓展到汽车电子领域，IGBT设备的性能也在不断提升，要求也越来越高。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。动态测试共晶真空炉制造商IGBT可以用于发电机控制，用于发电机自动控制系统。

共晶炉也可用于芯片电镀凸点再流成球、共晶凸点焊接、光纤封装等工艺。除了混合电路和电子封装，LED行业也是共晶炉的应用领域。与其他共晶设备相比，真空共晶炉实现共晶焊接的设备包括共晶机、红外再流焊炉、带吸嘴和镊子的箱式炉等。使用这类设备共晶时，存在以下问题:1. 在大气环境下焊接，共晶时容易产生空洞；2. 使用箱式炉和红外再流焊炉共晶需要使用助焊剂，会造成助焊剂的流动污染，增加清洗工艺。如果清洗不彻底，电路的长期可靠性指标会降低；镊子共晶机对操作人员的要求很高，很多工艺参数无法控制，温度曲线无法随意设置。

wafer阶段测试。目前wafer阶段测试，大部分晶圆厂或封装厂采用的都是静态测试。但是静态测试的条件比较有限，IGBT只能在低电压大电流或者高电压小电流的条件下工作，对芯片的筛选能力有限。而动态测试条件下，IGBT要在高电压和大电流下开通和关断，对其性能要求更加严苛，筛选标准更严格，若再配合高温短路测试，则筛选能力大幅提高。但是针对wafer的动态测试技术难度很高，实现起来非常困难，且测试设备极其昂贵，也不容易买到。所以wafer阶段的动态参数测试，现阶段不容易实现。IGBT是将晶体管的特性和开关电路的特性结合在一起，让它成为一种可以控制电流的新型电子元件。

IGBT的应用场景：1. 电力转换：IGBT在变压器、换流器、电抗器、电容器、调速器、变流器等电力转换设备中普遍使用。2. 电力控制：IGBT在发电机控制、高压开关控制、可调节比例控制等电力控制领域有普遍的应用。3. 工业控制：IGBT在工业自动化控制、机器人控制、工业机器人、伺服控制等领域有着重要的应用。4. 电动汽车：由于其高效率、低损耗和可靠性，IGBT在电动汽车控制、动力转换和充电系统等方面有着重要的应用。5. 消费电子：IGBT在电视机、计算机、照明、打印机、台式机、复印机、数码相机等消费类电子产品中有着重要的应用。IGBT具有良好的控制特性，其输入电压范围较宽，可实现电压控制调节，可以有效抑制电压波动。天津DBC底板贴装机价位

当双极型晶体管的电流控制发挥作用时，它会进一步控制电流的流动，从而使IGBT的效率更高。天津非标真空封盖自动线

电迁移、电化学腐蚀和金属化重构，IGBT 功率模块芯片顶部存在一层 Al 金属薄膜用以与外部进行连接。在电流和温度梯度的作用下，Al 金属离子会沿着导体运动，如沿着键合线运动，产生净质量输运，导致薄膜上出现空洞、小丘或晶须。随着器件的老化，有机硅凝胶的气密性下降，外部的物质会与 Al 金属薄膜接触，使其发生电化学腐蚀。常见的有 Al 的自钝化反应、单一阳极腐蚀电池反应以及与沾污的离子发生反应。金属化重构是由于 Al 与芯片上 SiO2 的 CTE 值相差两个数量级，导致界面处产生循环应力，使得Al 原子发生扩散，造成小丘、晶须和空洞，然后产生塑性形变，引发裂纹。以上所述三种因素导致的 Al 薄膜失效方式会加剧键合点处的疲劳情况，较终导致键合线脱落或电场击穿失效。天津非标真空封盖自动线