晶片轮廓仪报价

轮廓仪的主要客户群体300mm集成电路技术封装生产线检测集成电路工艺技术研发和产业化国家重点实验室高效太阳能电池技术研发、产业化MEMS技术研发和产业化新型显示技术研发、产业化超高精密表面工程技术轮廓仪是一种两坐标测量仪器，仪器传感器相对被测工件表而作匀速滑行，传感器的触针感受到被测表而的几何变化，在X和Z方向分别采样，并转换成电信号，该电信号经放大和处理，再转换成数字信号储存在计算机系统的存储器中，计算机对原始表而轮廓进行数字滤波，分离掉表而粗糙度成分后再进行计算，测量结果为计算出的符介某种曲线的实际值及其离基准点的坐标，或放大的实际轮廓曲线，测量结果通过显示器输出，也可由打印机输出。（来自网络）反射光通过MPD的珍孔减小到聚焦的部分落在CCD相机上。晶片轮廓仪报价

轮廓仪的技术原理被测表面(光)与参考面(光)之间的光程差（高度差）形成干涉移相法(PSI)高度和干涉相位f=(2p/l)2h形貌高度:<120nm精度:<1nmRMS重复性:0.01nm垂直扫描法(VSI+CSI)精度：/1000干涉信号~光程差位置形貌高度:nm-mm,精度:>2nm干涉测量技术：快速灵活、超纳米精度、测量精度不受物镜倍率影响以下来自网络：轮廓仪，能描绘工件表面波度与粗糙度，并给出其数值的仪器，采用精密气浮导轨为直线基准。轮廓测试仪是对物体的轮廓、二维尺寸、二维位移进行测试与检验的仪器，作为精密测量仪器在汽车制造和铁路行业的应用十分广范。浙江轮廓仪质保期多久晶圆的IC制造过程可简单看作是将光罩上的电路图通过UV刻蚀到镀膜和感光层后的硅晶圆上这一过程。

轮廓仪对所测样品的尺寸有何要求？答：轮廓仪对载物台xy行程为140*110mm（可扩展），Z向测量范围蕞大可达10mm，但由于白光干涉仪单次测量区域比较小（以10X镜头为例，在1mm左右），因而在测量大尺寸的样品时，全检的方式需要进行拼接测量，检测效率会比较低，建议寻找样品表面的特征位置或抽取若干区域进行抽点检测，以单点或多点反映整个面的粗糙度参数；4.测量的蕞小尺寸是否可以达到12mm，或者能够测到更小的尺寸？如果需要了解更多，请访问官网。

轮廓仪的性能测量模式：移相干涉（PSI），白光垂直扫描干涉（VSI），单色光垂直扫描干涉（CSI）样品台：150mm/200mm/300mm样品台（可选配）XY平移：±25mm/150mm/200mm/300mm，倾斜：±5°可选手动/电动样品台CCD相机像素：标配：1280×960视场范围：560×750um（10×物镜）具体视场范围取决于所配物镜及CCD相机光学系统：同轴照明无限远干涉成像系统光源：高效LEDZ方向聚焦80mm手动聚焦（可选电动聚焦）Z方向扫描范围精密PZT扫描(可选择高精密机械扫描，拓展达10mm)纵向分辨率＜0.1nmRMS重复性*0.005nm，1σ台阶测量**准确度≤0.75％；重复性≤0.1%，1σ横向分辨率≥0.35um（100倍物镜）检测速度≤35um/sec,与所选的CCD几何特征（关键孔径尺寸，曲率半径，特征区域的面积和集体，特征图形的位置和数量等）。

轮廓仪在晶圆的IC封装中的应用：晶圆的IC制造过程可简单看作是将光罩上的电路图通过UV刻蚀到镀膜和感光层后的硅晶圆上这一过程，其中由于光罩中电路结构尺寸极小，任何微小的黏附异物和下次均会导致制造的晶圆IC表面存在缺陷，因此必须对光罩和晶圆的表面轮廓进行检测，检测相应的轮廓尺寸。

白光轮廓仪的典型应用：对各种产品，不见和材料表面的平面度，粗糙度，波温度，面型轮廓，表面缺陷，磨损情况，腐蚀情况，孔隙间隙，台阶高度，完全变形情况，加工情况等表面形貌特征进行测量和分析。 摈弃传统检测方法耗时耗力，精确度低的缺点，大达提高加工效率。掩模对准轮廓仪推荐产品

自动聚焦范围 ： ± 0.3mm。晶片轮廓仪报价

2）共聚焦显微镜方法共聚焦显微镜包括LED光源、旋转多真孔盘、带有压电驱动器的物镜和CCD相机。LED光源通过多真孔盘（MPD）和物镜聚焦到样品表面上，从而反射光。反射光通过MPD的真孔减小到聚焦的部分落在CCD相机上。传统光学显微镜的图像包含清晰和模糊的细节，但是在共焦图像中，通过多真孔盘的操作滤除模糊细节（未聚焦），只有来自聚焦平面的光到达CCD相机。因此，共聚焦显微镜能够在纳米范围内获得高分辨率。每个共焦图像是通过样品的形貌的水平切片，在不同的焦点高度捕获图像产生这样的图像的堆叠，共焦显微镜通过压电驱动器和物镜的精确垂直位移来实现。200到400个共焦图像通常在几秒内被捕获，之后软件从共焦图像的堆栈重建精确的三维高度图像。晶片轮廓仪报价

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