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    GJB548B-2015方法，否则采用额定工作电压S级**少时间有240h到120h共6个级别；B级**少时间160h到12h共10个级别；H级**少时间352h到80h共11级别；K级**少时间从700h到320h共6个级别。S级最低温度从125℃到150℃共6个级别；B级别最低温度从125℃到250℃；H级最低温度从100℃到150℃；K级最低温度从100℃到125℃。————————————————版权声明：本文为CSDN博主「月丶匈」的原创文章，遵循，转载请附上原文出处链接及本声明。原文链接：。 TH801智能老化系统，实时参数正态分布图，散点图等分析数据，有利于分析芯片性能参数。长宁区HTOL测试机现货

闪存参考单元包括：衬底100，位于所述衬底中的导电沟道、位于所述导电沟道两侧的源极101和漏极102，位于导电沟道上方的栅极单元，所述栅极单元从下到上依次包括隧穿氧化层103、浮栅104、栅间介质层105以及控制栅106,所述栅极单元的两侧分布有侧墙107。栅间介质层105例如可以为依次层叠的氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层的多层结构，即为ono结构。具体的，闪存在其生产工艺过程中易在闪存参考单元的隧穿氧化层103中捕获(引入)空**3为本发明实施例的对闪存参考单元进行编译示意图，如图3所示，对所述闪存参考单元进行编译，包括：在所述源极101上施加***编程电压vb1，在所述漏极102上施加第二编程电压vb2，在所述控制栅106上施加第三编程电压vb3，在所述衬底100上施加第四编程电压vb4；其中，所述***编程电压vb1小于所述第二编程电压vb2；所述第二编程电压vb2小于所述第三编程电压vb3。所述***编程电压的范围为～0v,所述第二编程电压的范围为～，所述第三编程电压vb3的范围为8v～10v,所述第四编程电压vb4的范围为～-1v，编译过程中的脉冲宽度为100μs～150μs。编译通过热电子注入的方式对所述浮栅104中注入电子。有哪些HTOL测试机设计上海顶策科技有限公司可靠性测试服务，涵盖模拟，数字，混合信号，SOC，RF等各类芯片的可靠性方案设计。

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包括：将所述源极101和漏极102均悬空，在所述控制栅106上施加***擦除电压vc1，在所述衬底100上施加第二擦除电压vc2；其中，所述***擦除电压vc1为负电压，所述第二擦除电压vc2为正电压。所述***擦除电压vc1的范围为-10v～-8v，本实施例中例如为-9v；所述第二擦除电压vc2的范围为8v～10v，本实施例中例如为9v；擦除过程中的脉冲宽度为10ms～20ms。本实施例中，闪存参考单元的擦除原理是基于fowler-nordheim隧穿(简称为fn隧穿)，通过在衬底100上施加正电压，在控制栅106上施加负电压，以在隧穿氧化层103中注入空穴，同时减少浮栅104中的电子。可靠性事业部提供模拟，数字，混合信号，SOC，RF等各类芯片的可靠性方案设计。

本发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除循环后再进行htol测试的输出电流iref分布图。闪存参考单元进行编译和擦除循环后，htol测试过程中。闪存参考单元的输出电流iref在48小时的测试值iref1与在初始的测试值iref0之间偏移量减小，实际验证多个型号的闪存产品采用本实施例的方法后，htol可靠性验证通过，而且测试可靠，使闪存产品较短时间内进入客户样品量产阶段。综上所述，本发明所提供的一种闪存htol测试方法，对闪存参考单元进行编译和擦除循环后，再进行闪存htol可靠性验证，编译和擦除循环会在闪存参考单元中引入电子，引入的电子在闪存htol可靠性验证过程存在丢失，进而对空穴在htol测试过程中的丢失形成补偿，降低了闪存参考单元的输出电流iref的偏移量，从而使闪存htol读“0”通过，解决了闪存htol测试中读点失效的问题，提高闪存质量。显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些改动和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变动在内。上海顶策科技有限公司智能一体化HTOL测试机TH801可以为芯片HTOL测试节省更多时间、FA成本。虹口区HTOL测试机专卖

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