本地HTOL测试机参数

第二时间点读点、第三时间点读点至第n时间点读点。在每个时间点读点过程为：将闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值经由读出放大器进行比对判断，若iref＜i，则闪存读出“1”；若iref＞i，则闪存读出“0”。具体的，在闪存(例如norflash)产品htol可靠性验证的阶段的测试流程例如依次为：初始(***时间点)读点、48小时(第二时间点)读点、168小时(第三时间点)读点、500小时(第四时间点)读点、1000小时(第n时间点)读点。本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除循环而直接进行htol测试时，发现闪存htol可靠性验证在48小时(hrs)读点失效。TH801智能老化系统，实时参数正态分布图，散点图等分析数据，有利于分析芯片性能参数。本地HTOL测试机参数

一种闪存htol测试方法，包括：提供待测闪存，所述闪存包括闪存参考单元和闪存阵列单元；所述闪存参考单元中捕获有空穴；对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除，以在所述闪存参考单元中引入电子；对所述闪存进行htol测试，所述引入电子在所述htol测试过程中部分丢失，以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。具体的，待测闪存在同一闪存芯片(die)中的不同区域分布有闪存参考单元和闪存阵列单元，闪存阵列单元用于存储数据，闪存参考单元用于提供参考阈值电压以区分闪存阵列单元的状态。提供的待测闪存在其生产工艺过程中易在闪存参考单元中捕获。引入)空穴，所述空穴在htol测试过程中存在丢失。图2为本发明实施例的闪存参考单元的结构示意图，智能HTOL测试机24小时服务上海顶策科技有限公司提供可靠性测试整体解决方案，以及测试方案制定，PCB设计制作，测试试验。

TH801智能一体化HTOL测试机，拥有多项发明专利及软件著作权，可实时发现问题并介入分析，大幅提高HTOL效率。上海顶策科技有限公司，提供可靠性测试整体解决方案：可靠性设备，HTOL/LTOL、双85、HAST等几十项可靠性测试方案制定，PCB设计制作，测试试验，满足各类芯片可靠性测试需求。涵盖模拟，数字，混合信号，SOC，RF等各类芯片的可靠性方案设计，原理图设计，PCBlayout加工制作，老化程序开发调试，可靠性测试试验，出具可靠性报告等一条龙服务。

    AEC-Q1001.对于非易失性存储器样品，在HTOL之前进行预处理：等级0：150℃，1000h等级1：125℃，1000h等级2：105℃，1000h等级3：85℃，1000h2.各等级温度对应的时间是比较低要求，通过计算或测量获取HTOL的Tj（结温）；3.当进行HTOL的器件Tj大于或等于最高工作温度时的Tj，那么Tj可以代替Ta（环境温度），但是要低于***比较大Tj；4.如果Tj被用来作为HTOL的条件，在Ta和1000h条件下的器件需要使用；(max)需要保证交直流参数。————————————————版权声明：本文为CSDN博主「月丶匈」的原创文章，遵循，转载请附上原文出处链接及本声明。原文链接：。 上海顶策科技有限公司自主研发智能HTOL测试机TH801实时监测确保芯片处于正常状态，保证HTOL测试质量。

上海顶策科技有限公司（Topictest）推出的TH801，智能在线监控动态老化设备，可以监控的参数除了整板的电压，电流，还可以根据需求，监控到老化中每颗芯片的电压、电流，寄存器数据，时间，频率等诸多参数，并实时记录保存成Excel文档。这样不仅可以确保每颗芯片都处于正常的老化状态，保证老化测试的质量，同时还可以清楚地知道具体失效的参数，以及在什么时间点失效等诸多信息，非常有益于失效后的FA分析。另外由于可以监控更多芯片参数，这使得免除ATE回测成为可能，这将大幅度提高老化测试效率，节省更多人力成本！这项技术目前已在对芯片质量要求较高的芯片设计公司广泛应用。上海顶策科技的HTOL测试机TH801，自有发明专利的智能HTOL系统，自主研发在线实时单颗监测技术。本地HTOL测试机品牌排行榜

TH801智能老化系统，实时监测并记录每颗芯片电压，电流，频率，寄存器状态等数据。本地HTOL测试机参数

    高温工作寿命实验（Hightemperatureoperatinglifetest:HTOL）测试目的：芯片处于高温条件下，加入动态信号，并长时间工作，以评估其使用寿命，并确定其可靠性。测试条件：结温(Tj)≧125℃，电压Vcc≧Vccmax，测试时间：1000hrs样品数：77ea/lot,3lots测试读点：168、500、1000hrs参考规范：、JESD22-A108JESD22-A108B：Temperature,Bias,andOperatingLifeJESD85：METHODSFORCALCULATINGFAILURERATESINUNITSOFFITSJESD47K：Stress-Test-DrivenQualificationofIntegratedCircuitsJESD74：EarlyLifeFailureRateCalculationProcedureforSemiconductorComponents芯片工作寿命试验、老化试验(OperatingLifeTest)，为利用温度、电压加速方式，在短时间试验内，预估芯片在长时间可工作下的寿命时间(生命周期预估)。BI(Burn-in)/ELFR(EarlyLifeFailureRate)：评估早夭阶段的故障率或藉由BI手法降低出货的早夭率-DPPM(DefectPartsPer-Million)，针对失效模式中的InfantMortality，一般测试低于48小时，车规级芯片需要100%BI测试。HTOL(HighTemperatureOperatingLife)：评估可使用期的寿命时间-FIT/MTTF，针对失效模式中的Wearout，一般需要测试1000小时，属于抽样测试。 本地HTOL测试机参数

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