便携式红外热像仪用途

(2)InSb探测器(PC&PV)InSb属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,它是**早应用于IR探测技术的材料之一,其生长技术已发展得非常成熟｡在液氮温度下,InSb带隙所对应的波长稍稍大于5μm,此时InSb探测器的响应范围完美覆盖MIR波段,且探测率能在整个MIR波段维持很高的水平,因此InSb探测器在MIR波段探测方面有着举足轻重的地位｡下图是InSb半导体材料及完成后的芯片。随着红外热像仪工作温度的上升,InSb探测器的量子效率可维持不变,直至160K才开始逐渐衰减｡InSb FPA探测器被广泛应用到了***与天文领域,美国RVS(Raytheon Vision Systems)是这类探测器比较大且**出色的制造商｡第二代在线红外热像仪作为传感器很大程度解放了人力，它的诞生是社会各界越来越重视安防的产物。便携式红外热像仪用途

热电堆又叫温差电堆，它利用热电偶串联实现探测功能，是较为古老的一种IR探测器。以前，热电堆都是基于金属材料制备的，具有响应速度慢、探测率低、成本高等致命劣势，不受业内人士的待见。随着近代半导体技术的迅猛发展，半导体材料也被应用到了热电堆的制作中。半导体材料普遍比金属材料的塞贝克(Seebeck)系数高，而且半导体的微加工技术保证了器件的微型化程度，降低其热容量，因此热电堆的性能得到了**地优化。互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的引入，让红外热像仪热电堆芯片电路技术实现了批量生产。玻璃窑炉炉膛红外热像仪试用红外热像仪能***的监控、测温、分析模具表面温度，对于企业和压铸工程师都是一个不错的选择。

对于该类探测器,基底由Si变为Ge时,其探测波段可从IR延伸到THz,在这里姑且将Si基与Ge基两类放在一起加以阐述｡传统的非本征探测器是基于被掺杂的Ge或Si作为吸收材料制作而成的结构简单的PC探测器,主要有Ge:X[X=Hg､Ga､铍(Be)､锌(Zn)]､Si:Y[Y=Ga､砷(As)､铟(In)]等类型｡这类探测器的响应范围取决于杂质元素在基底里的离化能量,一般可覆盖LWIR､VLWIR乃至THz波段,但需要在低温(<10K)下工作｡由于响应波段很宽,非本征探测器被应用到了航天领域,然而困境也随之出现:在太空中核辐射对探测器响应的影响较大,需要减薄探测器吸收层来降低影响,但这样也会使量子效率降低

    红外(Infrared,IR)波是指波长在，它在大自然的电磁波谱里处在可见光与微波之间。由于IR在电磁波谱中涵盖的波长范围很宽，人们通常按波长将它分成５个子波段，分别为：近红外(near-IR,NIR)、中红外(mid-IR,MIR)、长波红外(long-wavelengthIR,LWIR)、甚长波红外(very-long-wavelengthIR,VLWIR)以及远红外(far-IR,FIR)，它们所对应的波长范围如下表所示：一、IR红外探测器分类根据探测机理的不同，IR探测器可分为两大类，分别是光子探测器和热探测器，下图所示：在吸收IR波后，热探测材料的温度、电阻率、电动势以及自发极化强度等会产生明显的波动，根据这些波动可探测目标物体向外辐射IR的能量。热探测器的响应速度普遍比光子探测器低，因此在大规模FPA探测器的发展方面不如光子探测器乐观，但热探测器制造成本低廉、使用便利，这使它们在民用市场大受欢迎与光子探测器不同，热探测器的响应光谱较为平坦，不存在峰值波长，其探测率不随波长变化而变化，如图所示。 通过手机完成全部操作，配合移动互联网，将红外热像仪的操作性与便携性上升到了一个全新的高度。

红外热像仪是一种利用红外辐射进行非接触式温度测量的设备。其工作原理基于物体发出的红外辐射能量与其表面温度之间的密切关系。红外热像仪通过接收物体发出的红外辐射，经过光电转换、信号处理等步骤，将红外辐射能量分布转换为可视化的热图像。红外热像仪的种类繁多，可以根据不同的应用场景和需求进行分类。例如，有的红外热像仪适用于工业领域，用于监测设备的运行状态和温度分布；有的则适用于医疗领域，用于辅助医生进行疾病诊断；还有的适用于安防领域，用于夜间监控和隐蔽目标的探测。使用红外热像仪，可随时检测出远程监控站中设备故障与安全隐患，由此带来的净效应即可靠性提升，成本下降。2000Hz红外热像仪

对监测画面关键点或区域温度设置红外热像仪Modbus 值输出及现场报警。便携式红外热像仪用途

nGaAs是由两种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成的三元系半导体化合物，它的带隙随组分比例的变化而变化。基于此材料制备的IR探测器，其响应截止波长可达到3μm以上，响应范围完全覆盖NIR波段，是该波段探测器团体里**重要的成员。在该体系下，其他化合物性能如下图所示：与其它的常用IR探测器相比，InGaAs探测器的兴起较晚，在上世纪80年代才开始走进人类的视野。近年来，得益于NIR成像的强势崛起，InGaAs的发展势头也十分迅猛。在实际生产中，一般将InGaAs材料生长在磷化铟(InP)衬底上，红外热像仪两者的晶格失配度也会随InGaAs组分的变化而变化。便携式红外热像仪用途