河北小功率晶闸管模块配件
当正向电压超过其断态重复峰值电压UDRM一定值时晶闸管就会误导通,引发电路故障;当外加反向电压超过其反向重复峰值电压URRM一定值时,晶闸管就会立即损坏。因此,必须研究过电压的产生原因及过电压的方法。过电压产生的原因主要是供给的电功率或系统的储能发生了激烈的变化,使得系统来不及转换,或者系统中原来积聚的电磁能量来不及消散而造成的。主要发现为雷击等外来冲击引起的过电压和开关的开闭引起的冲击电压两种类型。由雷击或高压断路器动作等产生的过电压是几微秒至几毫秒的电压尖峰,对晶闸管是很危险的。由开关的开闭引起的冲击电压又分为如下几类:(1)交流电源接通、断开产生的过电压例如,交流开关的开闭、交流侧熔断器的熔断等引起的过电压,这些过电压由于变压器绕组的分布电容、漏抗造成的谐振回路、电容分压等使过电压数值为正常值的2至10多倍。一般地,开闭速度越快过电压越高,在空载情况下断开回路将会有更高的过电压。。2)直流侧产生的过电压如切断回路的电感较大或者切断时的电流值较大,都会产生比较大的过电压。这种情况常出现于切除负载、正在导通的晶闸管开路或是快速熔断器熔体烧断等原因引起电流突变等场合。。正高电气公司自成立以来,一直专注于对产品的精耕细作。河北小功率晶闸管模块配件
晶闸管模块
晶闸管模块因其体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外部接线简单、互换性好、维护安装方便等优点,自诞生以来就受到各大功率半导体制造商的青睐,并得到了极大的发展。
晶闸管模块一般对错正弦电流有疑问,存在导通角,负载电流具有一定的波动和不稳定因素,晶闸管模块芯片抗电流冲击能力差,因此在选择模块的电流标准时一定要留出一定的余量。
模块冷却状态的好坏直接关系到产品的使用寿命和短期过载能力。温度越低,模块输出电流越大。因此,在运行中必须配备散热器和风扇。建议选择具有过热维护功能的商品,有水冷条件的优先采用水冷冷却。 上海小功率晶闸管模块哪家好正高电气以质量为生命”保障产品品质。
特点:1、芯片与底板电气绝缘2、国际标准封装3、全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力4、350A以下模块皆为强迫风冷,400A以上模块既可选用风冷,也可选用水冷5、安装简单,使用维修方便典型应用:1、交直流电机控制2、各种整流电源3、工业加热控制4、调光5、无触点开关6、电机软起动7、静止无功补偿8、电焊机9、变频器10、UPS电源11、电池充放电三相整流桥模块功率半导体模块可控硅博飞宏大北京博飞宏大电子科技有限公司,厂家直销,质量,价格有保证!如果您需要相关型号资料,电压电流,封装尺寸大小,可以随时给您发送该产品的PDF文档,供您参考!如果您订购量大,并且有长期合作意向,可**先给您发样品!三天内发货!如果产品装机配型不适用,可退换货!博飞宏大,给您满意贴心的服务,是我们一贯的宗旨!公司主页:欢迎您到厂参观!北京博飞宏大电子科技有限公司,有10多年功率半导体元器件制造经验,是专业从事功率半导体器件的研发、封装、测试、销售、技术服务为一体的****,多年来一直从事冶金自动化和铁路电气化领域的国产化工作。我公司的电力半导体器件有:全系列功率模块(MTC、MFC、MDC、MDQ、MDS),普通整流管(ZP),快速整流管(ZK)。
VDRM)的计算:由公式:Ud=考虑两倍的选择余量后VRRM;VDRM=2xxU2=2x因此选择耐压200V-300V的器件足够。2、器件额定电流IT(AV)的计算:由于该线路相当于两组三相半波整流电路的串联,根据公式:Ie=:Ie=(此值为交流有效值)折算为平均值IT(AV)=Ie/考虑选型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A显然,目前没有如此大电流的模块,应建议客户采用400-500A的平板式可控硅为宜。以上两种线路对器件耐压和通流能力的要求是不一样的。后一种线路对器件耐压要求比前一种线路低一倍,但通流能力要求大两倍。四、使用模块产品注意事项:l电力半导体模块属于温度敏感性器件,使用时必须安装于散热器上。安装前首先用酒精将模块底板和散热器表面擦拭干净,待自然干燥后,在模块底板上均匀涂上(采用滚柱来回滚动涂抹)导热硅脂,导热硅脂刚好能够覆盖整个底板和散热器。安装之后可从散热器上取下模块,检查模块底板整个区域是否完全沾润。l手册中额定电流[IT(AV)、IF(AV)]是在规定散热器、强通风冷(风速6m/s)和额定壳温Tc和纯阻性负载下得出的。若使用条件发生变化(如感性负载)额定电流就会下降。l散热器与模块接触面应平整,散热器的平面度≤(1),确保良好的热传导,电极与铜排连接时。正高电气愿和各界朋友真诚合作一同开拓。
漏电流:指加一半标称直流电压时测得的流过压敏电阻的电流。由于压敏电阻的通流容量大,残压低,过电压能力强;平时漏电流小,放电后不会有续流,元件的标称电压等级多,便于用户选择;伏安特性是对称的,可用于交、直流或正负浪涌;因此用途较广。2、过电流保护由于半导体器件体积小、热容量小,特别像晶闸管这类高电压大电流的功率器件,结温必须受到严格的控制,否则将遭至彻底损坏。当晶闸管中流过大于额定值的电流时,热量来不及散发,使得结温迅速升高,**终将导致结层被烧坏。产生过电流的原因是多种多样的,例如,变流装置本身晶闸管损坏,触发电路发生故障,控制系统发生故障等,以及交流电源电压过高、过低或缺相,负载过载或短路,相邻设备故障影响等。晶闸管过电流保护方法**常用的是快速熔断器。由于普通熔断器的熔断特性动作太慢,在熔断器尚未熔断之前晶闸管已被烧坏;所以不能用来保护晶闸管。正高电气秉承团结、奋进、创新、务实的精神,诚实守信,厚德载物。威海晶闸管模块厂家
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硒堆的特点是其动作电压和温度有关,温度越低耐压越高;另外是硒堆具有自恢复特性,能多次使用,当过电压动作后硒基片上的灼伤孔被溶化的硒重新覆盖,又重新恢复其工作特性。压敏电阻是以氧化锌为基体的金属氧化物非线性电阻,其结构为两个电极,电极之间填充的粒径为10~50μm的不规则的ZNO微结晶,结晶粒间是厚约1μm的氧化铋粒界层。这个粒界层在正常电压下呈高阻状态,只有很小的漏电流,其值小于100μA。当加上电压时,引起了电子雪崩,粒界层迅速变成低阻抗,电流迅速增加,泄漏了能量,了过电压,从而使晶闸管得到保护。浪涌过后,粒界层又恢复为高阻态。压敏电阻的特性主要由下面几个参数来表示。标称电压:指压敏电阻流过1mA直流电流时,其两端的电压值。通流容量:是用前沿8微秒、波宽20微秒的波形冲击电流,每隔5分钟冲击1次,共冲击10次,标称电压变化在-10[[[%]]]以内的比较大冲击电流值来表示。因为正常的压敏电阻粒界层只有一定大小的放电容量和放电次数,标称电压值不仅会随着放电次数增多而下降,而且也随着放电电流幅值的增大而下降,当大到某一电流时,标称电压下降到0,压敏电阻出现穿孔,甚至炸裂;因此必须限定通流容量。河北小功率晶闸管模块配件
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