辽宁光子晶体硅光芯片耦合测试系统

硅光芯片耦合测试系统组件装夹完成后，通过校正X,Y和Z方向的偏差来进行的初始光功率耦合，图像处理软件能自动测量出各项偏差，然后软件驱动运动控制系统和运动平台来补偿偏差，以及给出提示，继续手动调整角度滑台。当三个器件完成初始定位，同时确认其在Z轴方向的相对位置关系后，这时需要确认输入光纤阵列和波导器件之间光的耦合对准。点击找初始光软件会将物镜聚焦到波导器件的输出端面。通过物镜及初始光CCD照相机，可以将波导输出端各通道的近场图像投射出来，进行适当耦合后，图像会被投射到显示器上。因为硅光芯片以硅作为集成芯片的衬底，所有能集成更多的光器件。辽宁光子晶体硅光芯片耦合测试系统

耦合掉电，即在耦合的过程中断电致使设备连接不上的情况，如果电池电量不足或者使用程控电源时供电电压过低、5V触发电压未接触好、测试连接线不良等都会导致耦合掉电的现象。与此相似的耦合充电也是常见的故障之一，在硅光芯片耦合测试系统过程中，点击HQ_CFS的“开始”按钮进行测试时一定要等到“请稍后”出现后才能插上USB进行硅光芯片耦合测试系统，否则就会出现耦合充电，若测试失败，可重新插拔电池再次进行测试，排除以上操作手法没有问题后，还是出现充电现象，则是耦合驱动的问题了，若识别不到端口则是测试用的数据线损坏的缘故。辽宁光子晶体硅光芯片耦合测试系统端面耦合方案一,在硅光芯片的端面处进行刻蚀,形成v型槽阵列。

伴随着光纤通信技术的快速发展,小到芯片间,大到数据中心间的大规模数据交换处理,都迫切需求高速,可靠,低成本,低功耗的互联。当前,我们把主流的光互联技术分为两类。一类是基于III-V族半导体材料,另一类是基于硅等与现有的成熟的微电子CMOS工艺兼容的材料。基于III-V族半导体材料的光互联技术,在光学性能方面较好,但是其成本高,工艺复杂,加工困难,集成度不高的缺点限制了未来大规模光电子集成的发展。硅光芯片器件可将光子功能和智能电子结合在一起以及提供潜力巨大的高速光互联的解决方案。

在光芯片领域，芯片耦合封装问题是光子芯片实用化过程中的关键问题，芯片性能的测试也是至关重要的一步骤，现有的硅光芯片耦合测试系统系统是将光芯片的输入输出端光纤置于显微镜下靠人工手工移动微调架转轴进行调光，并依靠对输出光的光功率进行监控，再反馈到微调架端进行调试。芯片测试则是将测试设备按照一定的方式串联连接在一起，形成一个测试站。具体的，所有的测试设备通过光纤，设备连接线等连接成一个测试站。例如将VOA光芯片的发射端通过光纤连接到光功率计，就可以测试光芯片的发端光功率。将光芯片的发射端通过光线连接到光谱仪，就可以测试光芯片的光谱等。芯片耦合集成化才能实现高密度、低成本、低能耗，满足信息社会信息急速膨胀。

硅硅光芯片耦合测试系统中硅光耦合结构需要具备:硅光半导体元件,在其上表面具有发硅光受硅光部,且在下表面侧被安装于基板;硅光传输路,其具有以规定的角度与硅光半导体元件的硅光轴交叉的硅光轴,且与基板的安装面分离配置;以及硅光耦合部,其变换硅光半导体元件与硅光传输路之间的硅光路,且将硅光半导体元件与硅光传输路之间硅光学地耦合。硅光耦合部由相对于传输的硅光透明的树脂构成,树脂分别紧贴硅光半导体元件的发硅光受硅光部的至少一部分以及硅光传输路的端部的至少一部分,硅光半导体元件与硅光传输路通过构成硅光耦合部的树脂本身被粘接。硅光芯片耦合测试系统主要是用整机模拟一个实际使用的环境,测试设备在无线环境下的射频性能。辽宁光子晶体硅光芯片耦合测试系统

硅光芯片耦合测试系统优点：体积小。辽宁光子晶体硅光芯片耦合测试系统

既然提到硅光芯片耦合测试系统，我们就认识一下硅光子集。所谓硅光子集成技术，是以硅和硅基衬底材料（如SiGe/Si、SOI等）作为光学介质，通过互补金属氧化物半导体（CMOS）兼容的集成电路工艺制造相应的光子器件和光电器件（包括硅基发光器件、调制器、探测器、光波导器件等），并利用这些器件对光子进行发射、传输、检测和处理，以实现其在光通信、光互连、光计算等领域中的实际应用。硅光技术的中心理念是“以光代电”，即采用激光束代替电子信号传输数据，将光学器件与电子元件整合至一个单独的微芯片中。在硅片上用光取代传统铜线作为信息传导介质，较大提升芯片之间的连接速度。辽宁光子晶体硅光芯片耦合测试系统

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