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时间:2023年08月01日 来源:

作为元件材料,使用AlGaAs、InGaAlP、InGaN、ZnO等化合物半导体,由于LSI及Tr、Di等使用的Si跃迁概率(电流转变为光的概率)较差,因此不适用于激光二极管。性能特点及应用激光二极管充分利用直进性、微小光斑尺寸(数um~)、单色性、高光密度、相干性(coherent)这些特点,被用在各种应用上面。**近,运动传感器、HDD热辅助磁性记录、照明(投影仪、前照灯)上也在使用。以下汇总了按激光二极管的功能分类的用途示例。激光二极管在计算机上的光盘驱动器,激光打印机中的打印头,条形码扫描仪,激光测距、激光医疗,光通讯,激光指示等小功率光电设备中得到了***的应用,在舞台灯光、激光手术、激光焊接和激光武器等大功率设备中也得到了应用。原装芯片,厂家直销激光二极管欢迎新老客户咨询。哪里有激光二极管平台

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激光二极管本质上是一个半导体二极管,按照PN结材料是否相同,可以把激光二极管分为同质结、单异质结(SH)、双异质结(DH)和量子阱(QW)激光二极管。量子阱激光二极管具有阈值电流低,输出功率高的优点,是目前市场应用的主流产品。同激光器相比,激光二极管具有效率高、体积小、寿命长的优点,但其输出功率小(一般小于2mW),线性差、单色性不太好,使其在有线电视系统中的应用受到很大限制,不能传输多频道,高性能模拟信号。在双向光接收机的回传模块中,上行发射一般都采用量子阱激光二极管作为光源。半导体激光二极管的基本结构如图所示,垂直于PN结面的一对平行平面构成法布里——珀罗谐振腔,它们可以是半导体晶体的解理面,也可以是经过抛光的平面。其余两侧面则相对粗糙,用以消除主方向外其它方向的激光作用。半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。当半导体的PN结加有正向电压时,会削弱PN结势垒,迫使电子从N区经PN结注入P区,空穴从P区经过PN结注入N区,这些注入PN结附近的非平衡电子和空穴将会发生复合,从而发射出波长为λ的光子,其公式如下:λ=hc/Eg(1)式中:h—普朗克常数;c—光速;Eg—半导体的禁带宽度。天津激光二极管的工作原理激光二极管原装选深圳市凯轩业科技有限公司。

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DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素组成的三元化合物、四元化合物,在1550nm波段内,**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研发日趋成熟,国际上*少数几家厂商可提供商用产品。优化器件结构,有源区为应变超晶格QW。有源区周边一般为双沟掩埋或脊型波导结构。有源区附近的光波导区为DFB光栅,采用一些特殊的设计,如:波纹坡度可调分布耦合、复耦合、吸收耦合、增益耦合、复合非连续相移等结构,提高器件性能。生产技术中,金属有机化学汽相淀积MOCVD和光栅的刻蚀是其关键工艺。MOCVD可精确控制外延生长层的组分、掺杂浓度、薄到几个原子层的厚度,生长效率高,适合大批量制作,反应离子束刻蚀能保证光栅几何图形的均匀性,电子束产生相位掩膜刻蚀可一步完成阵列光栅的制作。1550nmDFB-LD开始大量用于622Mb/s、2.5Gb/s光传输系统设备,对波长的选择使DFB-LD在大容量、长距离光纤通信中成为主要光源。

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导电特性二极管**重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。1·正向特性在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。产生激光的三个条件是:实现粒子数反转、满足阈值条件和谐振条件产生光的受激发射的首要条件是粒子数反转。厂家直销激光二极管供应

极管是如常用的电子元件之一,它比较大的特性就是单向导电,也就是电流只可以从二极管的一个方向流过。哪里有激光二极管平台

③由于激光二极管温度升高将增大流过它的电流值,因此,必须采用必要的散热措施,保证器件工作在一定的温度范围之内。④为了避免激光二极管因承受过大的反向电压而造成击穿损坏,可在其两端反并联上快速硅二极管。激光二极管的特色之一,是能直接从电流调制其输出光的强弱,因为输出光功率与输入电流之间多为线性关系。实际应用中,通常使用APC(AutoPowerControl自动功率控制)电路来驱动激光二极管,其利用内置在同一封装内部,使之能够接收到来自LD光的光电二极管PD用于反馈和监视LD管的输出,,使该激光管LD的输出达到恒定所需的光功率。哪里有激光二极管平台

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