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集成电路（IC）是现代电子设备中不可或缺的主要部件，其性能和可靠性直接影响着整个系统的稳定性和性能。随着技术的不断进步，IC的制造工艺也在不断升级，从微米级别逐渐向纳米级别发展。然而，随着器件尺寸的不断缩小，IC的泄漏电流问题也日益突出。泄漏电流是指在关闭状态下，由于器件本身的缺陷或制造工艺的不完善，导致电流从源极或漏极流向栅极的现象。泄漏电流的存在会导致功耗增加、温度升高、寿命缩短等问题，严重影响着IC的性能和可靠性。因此，制造商需要采用更先进的几何学来解决这一问题。集成电路在计算机、通信、消费电子等领域普遍应用，为人们的生活和工作带来了巨大便利。KA7909T

发展趋势：2001年到2010年这10年间，我国集成电路产量的年均增长率超过25%，集成电路销售额的年均增长率则达到23%。2010年国内集成电路产量达到640亿块，销售额超过1430亿元，分别是2001年的10倍和8倍。中国集成电路产业规模已经由2001年不足世界集成电路产业总规模的2%提高到2010年的近9%。中国成为过去10年世界集成电路产业发展较快的地区之一。国内集成电路市场规模也由2001年的1140亿元扩大到2010年的7350亿元，扩大了6.5倍。国内集成电路产业规模与市场规模之比始终未超过20%。如扣除集成电路产业中接受境外委托代工的销售额，则中国集成电路市场的实际国内自给率还不足10%，国内市场所需的集成电路产品主要依靠进口。NL17SZ02DFT2随着集成电路外形尺寸的不断缩小，每个芯片所能封装的电路数量不断增加，提高了集成度和功能性。

集成电路发展对策建议：打造国际精英人才的“新故乡”，充分发挥海归人才优势。海归人才在国外做了很多超前的技术开发研究，并且在全球一些公司内有产业经验，回国后从事很有需求的产品开发应用，容易成功。集成电路产业的研发就怕方向性错误与低水平重复，海归人才知道如何去做才能够成功。“归国人才团队+海外工作经验+优惠政策扶持+风险投资”式上海集成电路产业发展的典型模式，这在张江高科技园区尤为明显。然而，由于国际社区建设滞后、户籍政策限制、个人所得税政策缺乏国际竞争力等多方面原因综合作用，张江仍然没有成为海外高级人才的安家落户、长期扎根的开放性、国际性高科技园区。留学生短期打算、“做做看”的“候鸟”观望气氛浓厚，不利于全球高级人才的集聚。要充分发挥张江所处的区位优势以及浦东综合配套革新试点的政策优势，将单纯吸引留学生变为吸引留学生、国外精英等高层次人才。通过科学城建设以及个人所得税率的国际化调整、落户政策的优化，发挥上海“海派文化”传统，将张江建设成为世界各国人才汇集、安居乐业的新故乡，大幅提升张江在高层次人才争夺中的国际竞争力。

基尔比和诺伊斯是集成电路的发明者，他们的发明为半导体工业带来了技术革新，推动了电子元件微型化的进程。在20世纪50年代，电子元件的体积和重量都非常大，而且工作效率低下。基尔比和诺伊斯的发明改变了这一局面，他们将多个晶体管、电容器和电阻器等元件集成在一起，形成了一个微小的芯片，从而实现了电子元件的微型化。这一发明不仅提高了电子元件的性能，而且使得电子设备的体积和重量很大程度上减小，为电子设备的发展奠定了基础。集成电路的发明不仅推动了电子元件微型化的进程，而且为电子设备的应用提供了更多的可能性。集成电路的应用范围普遍，涉及计算机、通信、消费电子、汽车电子等众多领域。

杰克·基尔比（Jack Kilby）和罗伯特·诺伊斯（Robert Noyce）在1958~1959期间分别发明了锗集成电路和硅集成电路。现在，集成电路已经在各行各业中发挥着非常重要的作用，是现代信息社会的基石。集成电路的含义，已经远远超过了其刚诞生时的定义范围，但其中心的部分，仍然没有改变，那就是“集成”，其所衍生出来的各种学科，大都是围绕着“集成什么”、“如何集成”、“如何处理集成带来的利弊”这三个问题来开展的。集成电路就是把一定数量的常用电子元件，如电阻、电容、晶体管等，以及这些元件之间的连线，通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的电路。集成电路的制造涉及多个工艺步骤，如氧化、光刻、扩散、外延和蒸铝等，以确保电路的可靠性和功能完整性。MJE171G

集成电路产业链的完善和技术进步，为经济发展和社会进步做出了重要贡献。KA7909T

晶体管发明并大量生产之后，各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用，取代了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步，使得集成电路成为可能。相对于手工组装电路使用个别的分立电子组件，集成电路可以把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片，是一个巨大的进步。集成电路的规模生产能力，可靠性，电路设计的模块化方法确保了快速采用标准化IC代替了设计使用离散晶体管。IC对于离散晶体管有两个主要优势：成本和性能。成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷，而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关，消耗更低能量，因为组件很小且彼此靠近。2006年，芯片面积从几平方毫米到350mm²，每mm²可以达到一百万个晶体管。KA7909T