规格书WILLSEMI韦尔ESD73002F

时间:2024年03月03日 来源:

    WL2801E系列是一款高精度、低噪声、高速、低压差CMOS线性稳压器,具有优异的纹波抑制能力。该系列为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了经济高效的新一代性能。其电流限制器的折回电路不止作为短路保护,还在输出引脚处作为输出电流限制器。

产品特点:

· 输入电压范围:2.7V至5.5V

· 输出电压范围:1.2V至3.3V

· 输出电流:在输出电压小于2V时,典型值为200mA;在输出电压大于2V时,典型值为300mA。

· 电源抑制比(PSRR):在217Hz时达到75dB

· 压差电压:在输出电流为200mA时,压差为170mV

· 静态电流:典型值为70μA

· 关断电流:小于0.1μA

· 推荐电容器:1uF

应用领域:

· MP3/MP4播放器

· 手机和无线电话

· 数码相机

· 蓝牙和无线手持设备

· 其他便携式电子设备

    WL2801E系列以其高精度、低噪声和高效能的特点,为现代便携式设备提供了理想的电源管理解决方案。无论是手机、笔记本电脑还是MP3播放器,它都能确保设备在长时间使用中保持出色的性能和稳定的电力供应。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WS72551EA-5/TR 运算放大器 封装:SOT-23-5L。规格书WILLSEMI韦尔ESD73002F

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    ESD5641DXX是一款专为保护电源接口设计的瞬态电压抑制器。它非常适合用于替代便携式电子产品中的多个离散组件。ESD5641DXX特别为USB端口设计,采用了具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。封装与环保:ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品为无铅和无卤素。

技术特性:

· 反向截止电压:7.5V~15V

· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护8/20μs

· 根据IEC61643-321标准的浪涌保护10/1000μs

· 低钳位电压

· 固态硅技术

应用领域:

· 电源保护

· 电源管理

    ESD5641DXX瞬态电压抑制器以其出色的浪涌保护能力和低钳位电压,为电源接口提供了可靠的防护。特别适合用于USB端口保护,其紧凑的封装和环保特性使其成为便携式电子产品的理想选择。无论是在电源保护还是电源管理方面,ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WPM3401A1ESD56151W05-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOD-323。

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    ESD5311X是一款极低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,免受由静电放电(ESD)引起的过应力影响。ESD5311X包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD5311X可提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准,能承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封装,为标准无铅且无卤素产品。

主要特性:

截止电压:5V

根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电)

根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:4A(8/20μs)

极低电容:CJ=0.25pF(典型值)

极低漏电流:IR<1nA(典型值)

低钳位电压:VCL=22V(典型值)@IPP=16A(TLP)

固态硅技术

应用领域:

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便携式电子设备

笔记本电脑

    ESD5311X是一款专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,可承受高达±20kV的静电放电和4A的峰值脉冲电流,保护电子组件免受损害。适用于USB、HDMI、SATA等接口,确保数据传输的稳定性。紧凑、环保,广泛应用于便携式设备和笔记本电脑。如需更多信息,请查阅手册或联系我们。

WNMD2171双N沟道、20V、6.0A功率MOSFET

产品描述:

     WNMD2171是一款双N沟道增强型MOSFET场效应晶体管。这款MOSFET的特殊设计使得在电路板上连接其漏极变得不必要,因为MOSFET1和MOSFET2的漏极是内部连接的。该产品采用先进的沟槽技术和设计,提供了出色的导通电阻(RSS(ON))和低栅极电荷。这款器件专为锂离子电池保护电路而设计。WNMD2171采用CSP-4L封装。标准产品WNMD2171是无铅和无卤素的。小型CSP4L封装。

产品特性:

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 极低的阈值电压

应用领域:

· 锂离子电池保护电路

       WNMD2171是一款采用先进技术的双N沟道MOSFET,特别适用于锂离子电池保护电路。其内部连接的漏极设计简化了电路布局,而优异的导通电阻和极低的阈值电压则提供了高效的电池管理。这款产品的小型CSP-4L封装使其成为空间受限应用中的理想选择。此外,其无铅和无卤素的特点也符合现代环保标准。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD5Z3V3-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOD-523。

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    WS4601是一款具有极低导通电阻的P-MOSFET高侧开关。集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入,从而保护电源。WS4601还集成了反向保护功能,当设备关闭时,可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时,输出自动放电,使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4601采用SOT-23-5L封装。标准产品是无铅且无卤素的。

特性:

· 输入电压范围:2.5~5.5V

· 主开关RON:80mΩ@VIN=5V

· 持续输出电流:1.0A

· 电流限制阈值:1.5A(典型值)

· 电流限制精度:±20%

· 输出短路电流:0.7A(典型值)

· 自动放电反向阻断(无“体二极管”)

· 过温保护

应用:

· USB外设USB Dongle

· USB 3G数据卡

· 3.3V或5V电源开关

· 3.3V或5V电源分配

    WS4601是一款专为现代电子设备设计的高性能高侧开关。其极低导通电阻的P-MOSFET结构使其在处理大电流时高效且节能。集成的电流限制功能保护电源免受过大电流损害,确保系统稳定可靠。自动放电功能和反向保护功能进一步增强系统安全性。适用于USB外设、USB Dongle等需要高效电源管理的场合。无论3.3V还是5V系统,WS4601都提供出色的性能和保护机制,确保设备正常运行。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 ESD9X5VU-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:FBP-02C。代理分销商WILLSEMI韦尔RB520S30

WAS4766C-9/TR 模拟开关 封装:WLCSP-9L。规格书WILLSEMI韦尔ESD73002F

    WL2803E系列是一款极低压差、低静态电流、高电源抑制比(PSRR)的CMOS低压差线性稳压器(LDO)。在500mA负载电流下,其压差电压典型值为130mV。采用CMOS结构,WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA,这使得它对于要求高输出电流的消费者、网络应用具有吸引力。WL2803E系列提供了从1.2V到3.3V的宽输出电压范围版本,步长为0.1V。WL2803E系列提供了过热保护(OTP)和电流限制功能,以确保芯片和电源系统在错误条件下的稳定性,并采用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。WL2803E稳压器采用SOT-23-5L封装,为标准无铅且无卤素产品。

主要特性:

· 输入电压范围:2.5V至5.5V

· 输出电压范围:1.2V至3.3V

· 输出电流:500mA

· PSRR:在1KHz时为65dB

· 压差电压:在IOUT=0.5A时为130mV

· 输出噪声:100μV

· 静态电流:典型值为150μA

应用领域:

· 液晶电视(LCD TV)

· 机顶盒(STB)

· 计算机、显卡

· 网络通信设备

· 其他便携式电子设备

    WL2803E系列适用于电源管理,具有极低压差、低电流和高PSRR特性,确保灵活和准确的电压输出。紧凑环保,易于集成,适用于多种电子设备。提供稳定电源输出。详情查阅手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔ESD73002F

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