代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5302V
WS3202E：过压和过流保护IC
产品描述：
WS3202E是一款集过压保护（OVP）和过流保护（OCP）功能于一体的保护设备。当输入电压或输入电流超过阈值时，该设备会关闭内部MOSFET，断开IN到OUT的连接，以保护负载。此外，过温保护（OTP）功能会监控芯片温度，确保设备安全。封装形式：SOT-23-6L
产品特性：
· 高压技术
· 输入电压：25V
· 输出上电时间：8ms（典型值）
· OVP阈值：6.1V（典型值）
· OVP响应时间：<1us
· OCP阈值：2A（最小值）
· 输出放电功能
应用领域：
· GPS设备
· PMP（便携式媒体播放器）
· MID（移动互联网设备）
· PAD（平板电脑）
· 数码相机
· 数字摄像机
WS3202E是一款功能强大的过压和过流保护IC，为电子设备提供了双重安全保障。其高压技术、快速响应时间和灵活的输出放电功能使其在各种应用场合中表现出色，特别适用于需要高稳定性和可靠性的电子设备，如GPS、PMP、MID、PAD以及数码相机和摄像机等。WS3202E采用SOT-23-6L封装，方便集成到各种电路板中，同时其无铅和无卤素特性也符合环保要求。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WMM7037AT2-4/TR MEMS麦克风（硅麦）封装：LGA-4(3x3.8)。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5302V
ESD5311N：单线、双向、低电容瞬态电压抑制器。
ESD5311N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别针对连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止由静电放电（ESD）引起的过度压力。其内部包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。采用DFN1006-2L封装，为标准产品，无铅且不含卤素。
其主要特性包括：截止电压：5V，根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电），根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：4A（8/20μs），低电容：CJ = 0.25pF（典型值），低漏电流：IR < 1nA（典型值），低箝位电压：VCL = 21V（典型值）@ IPP = 16A（TLP），固态硅技。
应用领域包括：USB 2.0和USB 3.0，HDMI 1.3和HDMI 1.4，SATA和eSATA，DVI，IEEE 1394，PCI Express，便携式电子设备，笔记本电脑。
ESD5311N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护，适用于高数据传输和严格ESD防护应用。如有进一步问题或需求，请随时与我们联系。我们期待与您合作，为您提供优异的产品和服务。 中文资料WILLSEMI韦尔WS742905ESD5431Z-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN0603-2L。
WPM1483是一个单P沟道、-12V、-5A的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用了先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1483为无铅、无卤素。
特性：
沟槽技术
超高密度单元设计
优异的ON电阻，适用于更高的直流电流
极低的阈值电压
小型SOT-23封装
应用：
继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器
DC-DC转换器电路
电源开关
负载开关
充电应用
WPM1483是一款P沟道功率MOSFET，采用先进沟槽技术，具有低RDS(ON)和低栅极电荷，适用于高效、高可靠性电力管理应用。可承受-5A直流电流，极低阈值电压降低功耗。小型SOT-23封装，无铅无卤素，环保且易于集成。适用于DC-DC转换、电源开关，驱动继电器、电机等应用。详情查阅手册或联系我们。
ESD9B5VL：单线双向瞬态电压抑制器
产品描述
ESD9B5VL是一个双向瞬态电压抑制器（TVS）。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件，免受由静电放电（ESD）、电气快速瞬态（EFT）和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准，ESD9B5VL可用于提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并可根据IEC61000-4-5标准承受高达3A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD9B5VL采用FBP-02C封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性
· 反向截止电压：±5VMax
· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路
· 瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）
· 根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：20A（5/50ns）
· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：3A（8/20μs）
· 电容：CJ=5.0pFtyp
· 低泄漏电流：IR<1nAtyp
· 低箝位电压：VCL=13Vtyp.@IPP=16A（TLP）
· 固态硅技术
应用领域
· 手机
· 平板电脑
· 笔记本电脑
· 其他便携式设备
· 网络通信设备
ESD9B5VL是高效的瞬态电压抑制器，保护电子设备免受静电放电等瞬态事件影响。适用于手机、平板等便携式设备，保护敏感电子组件。高保护能力、低泄漏和低箝位电压，稳定可靠。详情请查阅数据手册或联系我们。 ESD9B5VDA-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOD-923。
WNM2021：单N沟道、20V、0.6A功率MOSFET
产品描述
WNM2021是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2021为无铅产品。小型SOT-323封装
产品特性：
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 出色的导通电阻
· 极低的阈值电压
应用领域：
· DC/DC转换器
· 电源转换器电路
· 便携式设备的负载/电源切换
WNM2021是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷。其先进的沟槽技术和高密度单元设计使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用中表现出色。极低的阈值电压和小型SOT-323封装使其成为便携式设备负载/电源切换的理想选择。此外，WNM2021作为无铅产品，符合环保要求。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WNM4002-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-523-3。规格书WILLSEMI韦尔ESD5465E
ESD5451X-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：FBP-02C。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5302V
SD5302F是一款专为保护高速数据接口设计的极低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列。它特别设计用于保护连接到数据线和传输线的敏感电子组件免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5302F结合了两对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可用于提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5302F采用SOT-23封装。标准产品为无铅和无卤素。
主要特性：
· 截止电压：5V
· 每条线路均符合IEC61000-4-2（ESD）标准的瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）
· 符合IEC61000-4-4（EFT）标准的瞬态保护：40A（5/50ns）
· 符合IEC61000-4-5（浪涌）标准的瞬态保护：4A（8/20μs）
· 极低电容：CJ=0.4pF（典型值）
· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）
· 低箝位电压：VCL=20V@IPP=16A（TLP）
· 固态硅技术
应用领域：
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD5302F保护高速数据接口免受静电放电等损害，确保信号完整性，承受力强。适合紧凑设备，环保。是高速数据接口的理想保护组件。详情查阅手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5302V
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