中文资料WILLSEMI韦尔WNM3051
WNM2020是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计，以在低栅极电荷下提供出色的RDS（ON）。这款器件非常适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2020是无铅且无卤素的。
WNM2020是一款高性能的N沟道MOS场效应晶体管，专为高效率的电源管理应用而设计。其采用的先进沟槽技术使得该晶体管在导通状态下具有很低的电阻（RDS（ON）），从而减少了功率损耗并提高了整体效率。同时，低栅极电荷使得该晶体管能够快速响应栅极驱动信号，进一步提高了开关速度。这款晶体管非常适合用于DC-DC转换器，其中高效率的电源开关是至关重要的。
此外，它还可以用于各种充电电路，如电池充电器和太阳能充电器，以确保能量的有效转换和利用。作为一款标准产品，WNM2020不仅具有出色的电性能，还符合环保要求，不含有铅和卤素等有害物质。这使得它在各种环保法规日益严格的市场中具有广的适用性。总之，WNM2020是一款高性能、高效率且环保的N沟道增强型MOS场效应晶体管，非常适合用于各种电源管理和充电应用。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WNM2046B-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：DFN-3L(1x0.6)。中文资料WILLSEMI韦尔WNM3051
BL1551B是一款模拟开关，具体地说：它是一个单通道、高带宽的单刀双掷（SPDT）模拟开关。这种开关特别适用于数据和音频信号的切换。
以下是BL1551B的主要特性和优势：
高带宽：BL1551B具有高达350MHz的带宽，这使得它能够处理高速信号切换，满足许多高速应用的需求。
低导通电阻：在5V工作电压下，其导通电阻为2.7Ω，这有助于减少信号在开关过程中的损失，保证信号的完整性。
高效的隔离度：在1MHz的频率下，BL1551B的隔离度达到-84dB，这意味着在开关处于关闭状态时，信号泄漏非常小，从而确保了良好的信号隔离效果。
宽工作电压范围：BL1551B的工作电压范围从1.8V到5.5V，这意味着它可以在多种不同的电压环境下工作，为设计者提供了更大的灵活性。
此外，BL1551B的封装类型为SC-70-6，这有助于实现紧凑的电路设计和高效的热性能。在实际应用中，BL1551B可广泛应用于移动电话、便携式电子设备等领域。其出色的性能参数和广泛的应用范围使得BL1551B在市场上具有一定的竞争力。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销，我们非常荣幸能为您推荐BL1551B这款模拟开关，并提供样品供您测试，如需更多信息或支持，请随时联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WD1072VASPD9112W-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOT-323。
WPM2015xx是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管（MOSFET）。它采用先进的沟槽技术和设计，具有出色的RDS(ON)（导通电阻）和低栅极电荷。这使得WPM2015xx在中等电源电流和电流产出量的应用中表现出色，尤其适用于电池管理、电机控制和高速开关等场景。
WPM2015xx的主要特点包括：
1：稳定的走电电压和出色的导电电阻，这有助于在电子设备中实现高效、稳定的性能。
2：适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用，这些应用需要精确控制电流和电压。
3：采用无铅、无卤的环保封装，符合现代电子产品的环保要求。
4：具有超高密度电池设计，适用于需要高效率和高稳定性的电池管理系统。
5：极低的阈值电压和小型化的SOT-23封装使得WPM2015xx在空间受限的应用中也能发挥出色的性能。
在实际应用中，WPM2015xx可以用于继电器、电磁铁和电机等设备的驱动和控制。通过控制栅极电压，WPM2015xx可以实现对电流的精确调节，从而实现对电机等设备的控制。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐WPM2015xx这款MOS，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。
WD3168：5V/300mA开关电容电压转换器，它能够从一个非稳压输入电压中产生一个稳定、低噪声、低纹波的5V输出电压。即使在VIN大于5V的情况下，它也能维持5V的稳压输出。它能够以小巧的封装提供≧300mA的电流。当负载电流在典型条件下低于4mA时，WD3168会进入跳模模式，此时其静态电流会降低到170uA。只需3个外部电容器即可产生输出电压，从而节省PCB空间。
此外，其软启动功能在开机和电源瞬态状态下会限制涌入电流。WD3168内置了电流限制保护功能，适合HDMI、USBOTG和其他电池供电的应用。SOT-23-6L封装，并在-40℃至+85℃的环境温度范围内工作。
其主要特性包括：
1、 输出电流为300mA
2、宽输入电压范围：2.7V至5.5V
3、固定输出电压为5.0V
4、双倍电荷泵
5、较小外部元件：无需电感器
6、高频操作：1.7MHz
7、自动软启动限制涌入电流
8、低纹波和EMI
9、过热和过流保护
10、无负载条件下典型静态电流为170uA（跳模模式）
其应用领域包括：
1、3V至5V的升压转换
2、USBOn-The-Go或HDMI5V供电
3、从较低轨道提供的本地5V供电
4、电池备份系统
5、手持便携式设备
WD3168是一种效率高、可靠的电源IC，适用于各种需要5V稳定输出的应用场景。如需更详细的信息或产品规格书请联系我们。 ESD63011N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。
WL2805N33-3/TR：高效且可靠的瞬态电压抑制器
WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬态电压抑制器，专为保护电子设备免受瞬态电压的侵害而设计。在现代电子设备中，由于雷电、静电放电和其他电气瞬态事件，电路中的敏感组件经常面临损坏的风险。而WL2805N33-3/TR的出现，为这些设备提供了可靠的防护。
这款抑制器具有出色的瞬态抑制能力和低漏电流特性，能够在瞬态事件发生时迅速响应，将电压限制在安全范围内，从而保护电路中的敏感组件免受损坏。
此外，WL2805N33-3/TR还具有低钳位电压和低电容值，确保了信号传输的准确性和稳定性。 其紧凑的封装设计使得它非常适合用于各种电子设备中，如通信设备、计算机、医疗设备和消费电子产品等。无论是对于工业应用还是日常消费应用，WL2805N33-3/TR都能提供优异的瞬态电压保护，确保设备的稳定运行和延长使用寿命。
安美斯科技作为专业的电子元器件代理分销商，致力于为客户提供优异的产品和服务。我们非常荣幸能为您推荐WL2805N33-3/TR这款瞬态电压抑制器，并愿意提供样品供您测试。如需了解更多信息或支持，请随时联系我们。 WL2801E33-5/TR 线件稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5。规格书WILLSEMI韦尔WD1072VA
WPT2E33-3/TR 三极管(BJT) 封装：SOT-89-3。中文资料WILLSEMI韦尔WNM3051
ESD5451X是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬态（EFT）和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准，ESD5451X可提供高达±30kV（接触和空气放电）的ESD保护，并可根据IEC61000-4-5标准承受高达8A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5451X采用FBP-02C封装。标准产品为无铅、无卤素。
特点：
· 反向截止电压：±5V
· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±30kV（接触和空气放电）
· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）
· IEC61000-4-5（浪涌）：8A（8/20μs）
· 电容：CJ=17.5pFtyp
· 低漏电流：IR<1nAtyp
· 低钳位电压：VCL=9Vtyp.@IPP=16A（TLP）
· 固态硅技术
应用：
· 手机
· 平板
· 电脑
· 笔记本电脑
· 其他便携式设备
· 网络通信设备
ESD5451X是高性能瞬态电压抑制器，保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬态和雷电等过应力影响。适用于手机、平板、笔记本等便携式设备，双向保护，应对极端电气环境。低漏电流、低钳位电压，不影响设备正常工作。固态硅技术，稳定可靠。各方面保护现代电子设备，消费者和制造商的理想选择。详情查阅手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WNM3051