规格书WILLSEMI韦尔WNMD2154A

    WPM3407是一款使用先进沟槽技术制成的器件，其特点是在低门极电荷下提供出色的RDS(ON)。这种器件非常适合用于DC-DC转换应用。

特点：

    RDS(ON)出色：RDS(ON)是指器件在导通状态下的电阻，3407通过先进的沟槽技术实现了低RDS(ON)，这意味着在器件导通时，其电阻较小，从而减小了能量损失。低门极电荷：门极电荷是描述开关器件从关闭到打开或从打开到关闭所需电荷量的参数。3407的低门极电荷可以更快地开关，从而减少开关损耗。无铅：符合环保要求，适用于对无铅产品有需求的场合。

应用：

    笔记本电脑的电源管理：3407可以用于笔记本电脑中的DC-DC转换器，以提供稳定的电源。

    便携式设备：由于它的快速开关和低能量损失，3407也适用于各种便携式设备，如智能手机、平板电脑等。

    电池供电系统：在电池供电的应用中，减少能量损失和延长电池寿命是非常重要的，3407的出色RDS(ON)和低门极电荷特性使其成为电池供电系统的理想选择。

    DC/DC转换器：这是3407的主要应用之一，用于将一种直流电压转换为另一种直流电压。

    负载开关：3407可以用于控制电路的通断，实现负载开关的功能。

    如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD5441N02-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。规格书WILLSEMI韦尔WNMD2154A

ESD5471X1线双向瞬态电压抑制器

产品描述：

     ESD5471X是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它特别设计用于保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子组件，免受由静电放电（ESD）、电气快速瞬态（EFT）和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准，ESD5471X可用于提供高达±30kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达6A的峰值脉冲电流（8/20μs）。ESD5471X采用FBP-02C封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性：

反向截止电压：±5V

根据IEC61000-4-2（ESD）标准，每条线路的瞬态保护：±30kV（接触和空气放电）

IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

IEC61000-4-5（浪涌）：6A（8/20μs）

电容：CJ=9pF（典型值）

低漏电流

低钳位电压：VCL=12V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固态硅技术

应用领域：

手机

平板电脑

笔记本电脑

其他便携式设备

网络通信设备

     ESD5471X是专为保护敏感电子组件设计的双向瞬态电压抑制器，能抵御静电放电、电气快速瞬态和雷电等过应力。其优越的保护能力和低漏电流特性使其成为手机、平板、笔记本等便携式设备及网络通信设备的理想保护元件。采用固态硅技术，既高性能又紧凑，方便集成。详情请查阅数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WNMD2154AWL2803E30-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5。

     SD5302F是一款专为保护高速数据接口设计的极低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列。它特别设计用于保护连接到数据线和传输线的敏感电子组件免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5302F结合了两对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可用于提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5302F采用SOT-23封装。标准产品为无铅和无卤素。

主要特性：

· 截止电压：5V

· 每条线路均符合IEC61000-4-2（ESD）标准的瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）

· 符合IEC61000-4-4（EFT）标准的瞬态保护：40A（5/50ns）

· 符合IEC61000-4-5（浪涌）标准的瞬态保护：4A（8/20μs）

· 极低电容：CJ=0.4pF（典型值）

· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位电压：VCL=20V@IPP=16A（TLP）

· 固态硅技术

应用领域：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

      ESD5302F保护高速数据接口免受静电放电等损害，确保信号完整性，承受力强。适合紧凑设备，环保。是高速数据接口的理想保护组件。详情查阅手册或联系我们。

WL2805N33-3/TR：高效且可靠的瞬态电压抑制器 

      WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬态电压抑制器，专为保护电子设备免受瞬态电压的侵害而设计。在现代电子设备中，由于雷电、静电放电和其他电气瞬态事件，电路中的敏感组件经常面临损坏的风险。而WL2805N33-3/TR的出现，为这些设备提供了可靠的防护。  

      这款抑制器具有出色的瞬态抑制能力和低漏电流特性，能够在瞬态事件发生时迅速响应，将电压限制在安全范围内，从而保护电路中的敏感组件免受损坏。

      此外，WL2805N33-3/TR还具有低钳位电压和低电容值，确保了信号传输的准确性和稳定性。 其紧凑的封装设计使得它非常适合用于各种电子设备中，如通信设备、计算机、医疗设备和消费电子产品等。无论是对于工业应用还是日常消费应用，WL2805N33-3/TR都能提供优异的瞬态电压保护，确保设备的稳定运行和延长使用寿命。 

      安美斯科技作为专业的电子元器件代理分销商，致力于为客户提供优异的产品和服务。我们非常荣幸能为您推荐WL2805N33-3/TR这款瞬态电压抑制器，并愿意提供样品供您测试。如需了解更多信息或支持，请随时联系我们。 WD3133E-5/TR DC-DC电源芯片 封装：SOT-23-5L。

WS3202E：过压和过流保护IC

产品描述：

WS3202E是一款集过压保护（OVP）和过流保护（OCP）功能于一体的保护设备。当输入电压或输入电流超过阈值时，该设备会关闭内部MOSFET，断开IN到OUT的连接，以保护负载。此外，过温保护（OTP）功能会监控芯片温度，确保设备安全。封装形式：SOT-23-6L

产品特性：

· 高压技术

· 输入电压：25V

· 输出上电时间：8ms（典型值）

· OVP阈值：6.1V（典型值）

· OVP响应时间：<1us

· OCP阈值：2A（最小值）

· 输出放电功能

应用领域：

· GPS设备

· PMP（便携式媒体播放器）

· MID（移动互联网设备）

· PAD（平板电脑）

· 数码相机

· 数字摄像机

     WS3202E是一款功能强大的过压和过流保护IC，为电子设备提供了双重安全保障。其高压技术、快速响应时间和灵活的输出放电功能使其在各种应用场合中表现出色，特别适用于需要高稳定性和可靠性的电子设备，如GPS、PMP、MID、PAD以及数码相机和摄像机等。WS3202E采用SOT-23-6L封装，方便集成到各种电路板中，同时其无铅和无卤素特性也符合环保要求。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD5311N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：X1-DFN1006-2。中文资料WILLSEMI韦尔ESD5411N

WNM2016A-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23-3。规格书WILLSEMI韦尔WNMD2154A

WPM1481：单P沟道、-12V、-5.1A功率MOSFET

产品描述：

    WPM1481是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1481为无铅产品。小型DFN2*2-6L封装。

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 适用于更高的直流电流

· 极低的阈值电压

应用领域：

· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器

· DC-DC转换电路

· 电源开关

· 负载开关

· 充电应用  

     WPM1481是一款高性能的P沟道功率MOSFET，专为高电流应用而设计。其出色的RDS(ON)和极低的阈值电压使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。同时，其小型DFN2*2-6L封装使得它在空间受限的应用中也能发挥出色。WPM1481作为无铅产品，还符合环保要求。无论是用于驱动继电器、电磁阀、电机还是LED，WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WNMD2154A