规格书WILLSEMI韦尔SPD83581C
WD1502F：28V,2A降压型（Step-Down）直流/直流（DC/DC）转换器
WD1502F是一款高效率、同步降压型DC-DC转换器。它可以在4.5V至28V的输入电压范围内工作，并提供高达2A的连续输出电流。内部同步功率开关可在不使用外部肖特基二极管的情况下提供高效率。WD1502F以650kHz的固定开关频率工作，并采用脉冲宽度调制（PWM）。在轻负载电流时，它会进入脉冲跳变调制（PSM）操作，以在整个负载电流范围内保持高效率和低输出纹波。WD1502F具有短路保护、热保护和输入欠压锁定功能。它采用TSOT-23-6L封装，为标准无铅和无卤素产品。
其主要特性包括：
· 宽范围4.5V~28V的工作输入电压
· 典型的650kHz开关频率
· 2A连续输出电流
· 低至2μA的关机电流，60μA的静态电流
· 内部5mS软启动
· 峰值效率>94%
· 150mΩ内部功率HSMOSFET开关
· 75mΩ内部同步LSMOSFET开关
· 逐周期过流保护
应用领域包括：
· 12V、24V分布式电源总线供电
· 工业应用
· 白色家电
· 消费类应用
WD1502F适用于需要高效、紧凑和可靠电源转换的多种应用。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WL2815D33-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装：XDFN-4-EP(1x1)。规格书WILLSEMI韦尔SPD83581C
WAS4729QB：低导通电阻（0.8Ω）双SPDT模拟开关，具有负摆幅音频功能
产品描述：
WAS4729QB是一款高性能的双单极双掷（SPDT）模拟开关，具有负摆幅音频功能，其典型导通电阻Ron为0.8Ω（在3.6VVCC下）。该开关在2.3V至5.5V的宽VCC范围内工作，并设计为先断后通的操作模式。选择输入与TTL电平兼容。WAS4729QB还配备了智能电路，即使在控制电压低于VCC电源电压时，也能至小化VCC泄漏电流。这一特性非常适合移动手机应用，因为它允许直接与基带处理器的通用I/O接口，同时极大限度地减少电池消耗。换句话说，在实际应用中，无需额外的设备来将控制电平调整到与VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性
供电电压：2.3V~5.5V
极低导通电阻：0.8Ω（在3.6V下）
高关断隔离度：-81dB@1KHz
串扰抑制：-83dB@1KHz-3dB带宽：80MHz
轨到轨信号范围
先断后通开关
HBM JEDEC：JESD22-A114IO至GND：±8KV
电源至GND：±5KV
应用领域
手机、PDA、数码相机和笔记本电脑
LCD显示器、电视和机顶盒
音频和视频信号路由
WAS4729QB是高性能模拟开关，专为移动设备设计，适合音频和视频信号路由，性能优越可靠。详情请查阅数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WNM02142DRESD5341N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。
WPM2015xx是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管（MOSFET）。它采用先进的沟槽技术和设计，具有出色的RDS(ON)（导通电阻）和低栅极电荷。这使得WPM2015xx在中等电源电流和电流产出量的应用中表现出色，尤其适用于电池管理、电机控制和高速开关等场景。
WPM2015xx的主要特点包括：
1：稳定的走电电压和出色的导电电阻，这有助于在电子设备中实现高效、稳定的性能。
2：适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用，这些应用需要精确控制电流和电压。
3：采用无铅、无卤的环保封装，符合现代电子产品的环保要求。
4：具有超高密度电池设计，适用于需要高效率和高稳定性的电池管理系统。
5：极低的阈值电压和小型化的SOT-23封装使得WPM2015xx在空间受限的应用中也能发挥出色的性能。
在实际应用中，WPM2015xx可以用于继电器、电磁铁和电机等设备的驱动和控制。通过控制栅极电压，WPM2015xx可以实现对电流的精确调节，从而实现对电机等设备的控制。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐WPM2015xx这款MOS，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。
ESDA6V8AV6静电放电（ESD）保护的瞬态电压抑制器
产品描述：
ESDA6V8AV6是一款五线路的ESD瞬态电压抑制器，为可能受到静电放电（ESD）影响的敏感电子组件提供了极高的保护水平。对于正瞬态，这些设备将电压钳制在逻辑电平供电之上；对于负瞬态，则钳制在低于地的二极管压降。ESDA6V8AV6能够安全地消散±20kV的ESD冲击，超过了IEC61000-4-2国际标准的至高上限要求。使用MILSTD-883（方法3015）中的人体模型（HBM）ESD规格，该设备为大于±16kV的接触放电提供了保护。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封装，工作电压为5伏特。
规格特性：
· 工作峰值反向电压：5V
· 低漏电流：<1uA@3V
· 高ESD保护水平：每HBM>20kV
· IEC61000-4-2四级ESD保护
· IEC61000-4-4四级EFT保护
· 五种单独的单向配置
机械特性：
· 无空洞、转移模制、热固性塑料外壳
· 耐腐蚀表面，易于焊接
应用领域：
· 手机和配件
· 个人数字助理（PDA）
· 笔记本电脑、台式机和服务器
· 便携式仪器
· 数码相机
· 外设MP3播放器
ESDA6V8AV6是五线路ESD保护器，保护电子组件免受静电放电影响。具有强ESD保护和低漏电流，能承受±20kV冲击。符合电磁兼容性标准，适用于手机、笔记本等便携式设备。详情查阅手册或联系我们。 ESD56101D05-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1610-2。
BL1551B是一款模拟开关，具体地说：它是一个单通道、高带宽的单刀双掷（SPDT）模拟开关。这种开关特别适用于数据和音频信号的切换。
以下是BL1551B的主要特性和优势：
高带宽：BL1551B具有高达350MHz的带宽，这使得它能够处理高速信号切换，满足许多高速应用的需求。
低导通电阻：在5V工作电压下，其导通电阻为2.7Ω，这有助于减少信号在开关过程中的损失，保证信号的完整性。
高效的隔离度：在1MHz的频率下，BL1551B的隔离度达到-84dB，这意味着在开关处于关闭状态时，信号泄漏非常小，从而确保了良好的信号隔离效果。
宽工作电压范围：BL1551B的工作电压范围从1.8V到5.5V，这意味着它可以在多种不同的电压环境下工作，为设计者提供了更大的灵活性。
此外，BL1551B的封装类型为SC-70-6，这有助于实现紧凑的电路设计和高效的热性能。在实际应用中，BL1551B可广泛应用于移动电话、便携式电子设备等领域。其出色的性能参数和广泛的应用范围使得BL1551B在市场上具有一定的竞争力。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销，我们非常荣幸能为您推荐BL1551B这款模拟开关，并提供样品供您测试，如需更多信息或支持，请随时联系我们。 ESD56201D10-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1610-2。规格书WILLSEMI韦尔ESD5401N
WMM7037AT2-4/TR MEMS麦克风（硅麦）封装：LGA-4(3x3.8)。规格书WILLSEMI韦尔SPD83581C
ESD9X5VU是一种单向瞬态电压抑制器（TVS），专为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子组件提供高水平的保护。它被设计用于替代多层变阻器（MLV），并广泛应用于消费设备，如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、LCD电视等。
特性：
· 极低电容：CJ=0.5pFtyp
· 极低漏电流：IR<1nAtyp
· 低箝位电压：VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
· 根据IEC61000-4-2标准，每条线提供±20kV（接触和空气放电）的瞬态保护
· 根据IEC61000-4-4标准，提供40A（5/50ns）的EFT保护
· 根据IEC61000-4-5标准，可承受4A（8/20μs）的浪涌电流
应用：
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子产品
· 笔记本电脑
ESD9X5VU采用了一对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。它为敏感电子组件提供了高水平的ESD保护，使其免受静电放电的损害。与传统的多层变阻器相比，ESD9X5VU具有更低的电容和漏电流，以及更低的箝位电压，从而提供了更好的性能。此外，其固态硅技术确保了高效、可靠的电源保护。无论是用于USB、HDMI、SATA还是其他接口，ESD9X5VU都能为现代电子设备提供坚实的ESD防护屏障。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔SPD83581C