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时间:2024年07月13日 来源:

ESD5311X是一款ESD(静电放电)保护二极管,具体信息如下:基本参数:工作电压:5.0V击穿电压:9V钳制电压:根据参考文章1和4,钳制电压分别为22V和18V(可能存在不同型号或版本的差异)测试电流:1mA电容值:0.4pF特点:峰值脉冲功率:依据(tp=8/20μs)线路,峰值脉冲功率为74W保护线路:能够保护两对线(四线)极性:双向峰值脉冲电流:4A(8/20us)封装与批次:封装类型可能包括WBFBP-02C-C、FBP0603-2L等应用:ESD5311X适用于多种需要静电保护的应用场景,如移动电话、平板电脑、机顶盒、IP摄像头、穿戴设备、蓝牙音箱等。WPM2031-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-723。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5621W10

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WPM1481:单P沟道、-12V、-5.1A功率MOSFET

产品描述:

    WPM1481是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1481为无铅产品。小型DFN2*2-6L封装。

产品特性:

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 适用于更高的直流电流

· 极低的阈值电压

应用领域:

· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器

· DC-DC转换电路

· 电源开关

· 负载开关

· 充电应用  

     WPM1481是一款高性能的P沟道功率MOSFET,专为高电流应用而设计。其出色的RDS(ON)和极低的阈值电压使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。同时,其小型DFN2*2-6L封装使得它在空间受限的应用中也能发挥出色。WPM1481作为无铅产品,还符合环保要求。无论是用于驱动继电器、电磁阀、电机还是LED,WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5621W10WS72042M-8/TR 运算放大器 封装:MSOP-8。

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  WNM2021是一款N通道增强型MOS场效应晶体管。它在低压、高效率和可靠性方面的***表现使其成为现代电子设备中理想的功率开关元件。

  WNM2021具有低导通电阻、适中的漏源电压和连续漏极电流以及低阈值电压等特点,为各种应用提供了理想的解决方案。它在便携式设备负载开关和DC/DC转换器等领域展现了广泛的应用前景和巨大的市场潜力。

  此外,WNM2021的高效性能和可靠性确保了转换器的稳定运行,为设备提供持续、稳定的电力供应。随着科技的不断发展和进步,WNM2021有望在未来继续发挥重要作用,推动电子设备的发展和进步。

  安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐WNM2021这款MOS,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持,请随时联系我们。

WAS4729QB:低导通电阻(0.8Ω)双SPDT模拟开关,具有负摆幅音频功能

产品描述:

    WAS4729QB是一款高性能的双单极双掷(SPDT)模拟开关,具有负摆幅音频功能,其典型导通电阻Ron为0.8Ω(在3.6VVCC下)。该开关在2.3V至5.5V的宽VCC范围内工作,并设计为先断后通的操作模式。选择输入与TTL电平兼容。WAS4729QB还配备了智能电路,即使在控制电压低于VCC电源电压时,也能小化VCC泄漏电流。这一特性非常适合移动手机应用,因为它允许直接与基带处理器的通用I/O接口,同时极大限度地减少电池消耗。换句话说,在实际应用中,无需额外的设备来将控制电平调整到与VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性

供电电压:2.3V~5.5V

极低导通电阻:0.8Ω(在3.6V下)

高关断隔离度:-81dB@1KHz

串扰抑制:-83dB@1KHz-3dB带宽:80MHz

轨到轨信号范围

先断后通开关

HBM JEDEC:JESD22-A114IO至GND:±8KV

电源至GND:±5KV

应用领域

手机、PDA、数码相机和笔记本电脑

LCD显示器、电视和机顶盒

音频和视频信号路由

     WAS4729QB是高性能模拟开关,专为移动设备设计,适合音频和视频信号路由,性能优越可靠。详情请查阅数据手册或联系我们。 WMM7027ATHD1-4/TR MEMS麦克风(硅麦) 封装:SMD-4P,1.9x2.8mm。

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ESDA6V8AV6静电放电(ESD)保护的瞬态电压抑制器

产品描述:

    ESDA6V8AV6是一款五线路的ESD瞬态电压抑制器,为可能受到静电放电(ESD)影响的敏感电子组件提供了极高的保护水平。对于正瞬态,这些设备将电压钳制在逻辑电平供电之上;对于负瞬态,则钳制在低于地的二极管压降。ESDA6V8AV6能够安全地消散±20kV的ESD冲击,超过了IEC61000-4-2国际标准的至高上限要求。使用MILSTD-883(方法3015)中的人体模型(HBM)ESD规格,该设备为大于±16kV的接触放电提供了保护。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封装,工作电压为5伏特。

规格特性:

· 工作峰值反向电压:5V

· 低漏电流:<1uA@3V

· 高ESD保护水平:每HBM>20kV

· IEC61000-4-2四级ESD保护

· IEC61000-4-4四级EFT保护

· 五种单独的单向配置

机械特性:

· 无空洞、转移模制、热固性塑料外壳

· 耐腐蚀表面,易于焊接


应用领域:

· 手机和配件

· 个人数字助理(PDA)

· 笔记本电脑、台式机和服务器

· 便携式仪器

· 数码相机

· 外设MP3播放器

     ESDA6V8AV6是五线路ESD保护器,保护电子组件免受静电放电影响。具有强ESD保护和低漏电流,能承受±20kV冲击。符合电磁兼容性标准,适用于手机、笔记本等便携式设备。详情查阅手册或联系我们。 WNM3018-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-323。规格书WILLSEMI韦尔WD1305E20

WCM2001-6/TR 场效应管(MOSFET) 封装:DFN-6L-EP(2x2)。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5621W10

    WS3222是一款具有可调OVLO(过压锁定)阈值电压的过压保护(OVP)负载开关。当输入电压超过阈值时,该设备将关闭内部MOSFET,断开输入到输出的连接,以保护负载。当OVLO输入设定低于外部OVLO选择电压时,WS3222会自动选择内部固定的OVLO阈值电压。过压保护阈值电压可以通过外部电阻分压器进行调整,OVLO阈值电压范围为4V~15V。过热保护(OTP)功能监控芯片温度,以保护设备。WS3222采用DFN2×2-8L封装。标准产品无铅且无卤素。

特点:

· 输入电压:29V

· 导通电阻:45mΩ(典型值)

· 超快OVP响应时间:450ns(典型值)

· 可调OVLO

· 阈值电压:4V~15V

应用:

· 手机和平板电脑

· 便携式媒体播放器

· STB、OTT(机顶盒、互联网电视)

· 汽车DVR、汽车媒体系统外设

    WS3222是专为现代便携设备设计的灵活高效过压保护开关。其特色在于可调OVLO阈值,为不同应用提供定制化保护。超快450纳秒OVP响应时间确保负载在瞬间过压下得到保护。低导通电阻减少正常功耗。集成OTP功能增强可靠性。紧凑封装适合空间受限应用,符合环保标准。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5621W10

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