惠州点接触型二极管制造

印度人贾格迪什·钱德拉·博斯在1894年成为了头一个使用晶体检测无线电波的科学家。他也在厘米和毫米级别对微波进行了研究 [10] [11] 。1903年，格林里夫·惠特勒·皮卡德（ Greenleaf Whittier Pickard ）发明了硅晶检波器，并在1906年11月20日注册了专业技术 。也正是因为格林里夫，使得晶体检波器发展成了可实用于无线电报的装置。其他实验者尝试了多种其他物质，其中较普遍使用的是矿物方铅矿（硫化铅），因它价格便宜且容易获取。在这些早期的晶体收音机集的晶体检波器包括一个可调节导线的点接触设备（即所谓的“猫须”）。二极管作为电子元器件的重要一员，其发展和应用推动了电子技术的进步。惠州点接触型二极管制造

肖特基二极管，肖特基二极管也被称为热载流子二极管，英文名称为Schottky Barrier Diode，它是一种具有低正向压降和非常快速的开关动作的半导体二极管。当电流流过肖特基二极管时，肖特基二极管端子上有一个小的电压降。普通二极管的电压压降在0.6V-1.7V之间，而肖特基二极管的电压降通常在0.15V-0.45V之间，这种较低的电压降提供了更好的系统效率和更高的开关速度。在肖特基二极管中，半导体和金属之间形成了一个半导体-金属结，从而形成了肖特基势垒。N型半导体作为阴极，金属侧作为二极管的阳极，这种肖特基势垒导致低正向电压降和非常快速的开关。肖特基二极管具有正向导通压降低、恢复时间快、低接电容、低噪音、高电流密度等优点，在高速开关电路中有普遍的应用。肖特基二极管的原理图和PCB库如下图所示。惠州点接触型二极管制造在调试电路时，可以通过测量二极管的电压和电流来判断其工作状态。

晶体二极管分类如下：平面型二极管，在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上只选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。较初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。

稳压二极管，稳压二极管英文名称为Zener diode，又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。在电源电路中经常用到稳压二极管，它与普通二极管在电路中的连接方法不同，负极接电路的高电势，正极接地或低电势点。稳压二极管的种类很多，THT和SMT形式的封装都有，常用到的型号是1N4728、1N4729等,它的原理图和PCB库如下图所示。二极管使用过程中应避免受潮、受震动和受高温影响，以延长其使用寿命。

PIN二极管（P-intrinsic-N Diode），PN之间一层高电阻的半导体层，使少数载流子的积蓄效果增加，逆回复时间也较长。利用正向偏置时高频率信号较容易通过的性质，用于天线的频带切换以及高频率开关。耿效应二极管，应用于低功率微波振荡器。二极真空管，气体放电管整流器，针状电极和平板电极相向接近顶端放电。若把针状电极当做负极，比较低的电压就会开始放电。利用这样的性质来做当作整流器。点接触二极管，用钨之类的金属针状电极与N型半导体的表面接触，此构造的特征是寄生电容非常小。采用于锗质二极管和 耿效应二极管 。矿石收音机中使用的 矿石检波器 （ 日语 ： 鉱石検波器 ） 也是一种点接触二极管。在使用二极管时，需注意其正向电压和反向击穿电压的限制，以免损坏器件。惠州点接触型二极管制造

在数字电路中，二极管可用作逻辑门电路的组成部分，实现逻辑运算。惠州点接触型二极管制造

在1882年的时候，他们突然想了一个办法，将一片铜片放在灯丝和玻璃之间，以为能阻止灯丝的老化。很遗憾，这个办法不行。他们接下来在这个铜片上施加一定的电压希望能够改善灯丝的寿命，可是这样做依然无济于事。虽然，提高灯丝寿命的实验失败了，但是在这个过程中，他们发现了匪夷所思的事情那就是灯丝和铜片之间会有电流流过，而且加反向电压的时候没有电流流过！可是，铜片和灯丝之间没有任何接触，二者之间是真空！后来，人们把这种效应叫爱迪生效应。惠州点接触型二极管制造