潍坊大功率可控硅模块哪家好

可控硅模块的设备与维护

（1）在模块导热底板表面与散热器外表各均匀涂覆一层导热硅脂，然后用四个螺钉把模块固定于散热器上，固定螺钉不要一次拧紧，几个螺钉要顺次固定，用力要均匀，重复几回，直至强健，使模块底板与散热器外表严密触摸。

（2）把散热器和风机按需求安装好后，笔直固定于机箱合适方位。

（3）用接线端头环带将铜线扎紧，浸锡，然后套上绝缘热缩管，用热风加热缩短。将接线端头固定于模块电极上，并坚持超卓的平面压力触摸，阻止将电缆铜线直接压接在模块电极上。  

（4）为延伸商品运用寿数，主张每隔3-4个月维护一次，替换一次导热硅脂，铲除外表尘土，紧固各压线螺钉。 淄博正高电气有限公司不断完善自我，满足客户需求。潍坊大功率可控硅模块哪家好

您知道可控硅模块的导通条件是什么吗？

可控硅模块导通的条件是阳极承受正电压，只有当正向触发电压时，可控硅才能导通。由门级施加的正向触发脉冲的较小宽度应使阳极电流达到维持直通状态所需的较小的阳极电流，即高于电流IL。可控硅导通后的电压降很小。

接通可控硅模块的条件是将流过可控硅模块的电流减小到较小的值，即保持电流IH。有两种方法：

1.将正极电压降低至数值，或添加反向阳极电压。

2.增加负载电路中的电阻。

以上是可控硅模块的导通状态，希望能帮助您 潍坊大功率可控硅模块哪家好淄博正高电气有限公司周边生态环境状况好。

可控硅元件在电气设备中发挥重大作用，但可控硅使用中必须要注意运行环境和相关指标，防止可控硅损坏而影响到设备的正常使用。对此，在选用可控硅的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量。

1、选用可控硅的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。

2、使用可控硅之前，应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时，应立即更换。

3、严禁用兆欧表(即摇表)检查元件的绝缘情况。

4、电流为5A以上的可控硅要装散热器，并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅管心接触良好，它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂，以帮于良好的散热。

5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。

6、要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿。

双向可控硅的检测

用万用表电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红黑表笔所接的两引脚为阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A、G极后，再仔细测量A1、G极间正反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定了的第二阳极A2，红表笔接阳极A1，此时万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约为10欧姆左右。随后断开A2、G极短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负向的触发电压，A1、A2间阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判断正确。

检测较大功率可控硅管是地，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。 淄博正高电气有限公司过硬的产品质量、质量的售后服务、认真严格的企业管理，赢得客户的信誉。

过电压会对可控硅模块造成损坏，如果要想保护可控硅不受其损坏，就要了解过电压的产生原因，从而去避免防止受损，下面正高电气就来讲讲过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏？以及过电压产生的原因。

可控硅模块对过电压非常敏感，当正向电压超过udrm值时，可控硅会误导并导致电路故障；当施加的反向电压超过urrm值时，可控硅模块会立即损坏。因此，需要研究过电压产生的原因和过电压的方法。

过电压主要是由于供电电源或系统储能的急剧变化，使系统转换太晚，或是系统中原本积聚的电磁能量消散太晚。主要研究发现，由于外界冲击引起的过电压主要有两种类型，如雷击和开关开启和关闭引起的冲击电压。雷击或高压断路器动作产生的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰，对可控硅模块非常危险。

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可控硅模块特点：

1 对耐压级别的选择：通常把VDRM(断态重复峰值电压)和VRRM(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。

2 对电流的确定：由于双向可控硅模块通常用在交流电路中，因此不能用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小，因而一般家电中选用可控硅模块的电流值为实际工作电流值的2~3倍。同时，可控硅承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM 时的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。

3 对通态电压VTM的选择：它是可控硅模块通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为了减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VTM小的可控硅。

4 对维持电流：IH是维持可控硅模块保持通态所必 需的极小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。

5 对电压上升率的：dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。由于双向可控硅模块的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容。 潍坊大功率可控硅模块哪家好

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