氮化镓器件工艺技术服务

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司作为一家专注于高频器件领域的科技企业，拥有丰富的研发经验和技术实力，在芯片代加工和流片能力上也具备较强的实力。在芯片代加工与流片方面，芯谷高频公司自主开发了一系列芯片加工工艺，能够满足客户的不同需求，可以根据客户要求进行单步工艺或多步工艺加工，也可以进行不同规格尺寸的试验片加工，可进行太赫兹/微波毫米波芯片、光电芯片等多种材料器件及电路的流片，能够为客户提供优良的代加工服务。公司依托雄厚的技术力量，展现了较强的芯片代加工和流片能力，这为企业提升核心竞争力，促进科技创新和产业升级提供了强有力支撑。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司太赫兹测试设备可以达到500GHz的测试频率。氮化镓器件工艺技术服务

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司可进行Si、GaAs、InP、SiC、GaN、石墨烯以及碳纳米管等半导体器件的工艺流片，晶片加工尺寸覆盖不规则片、3寸晶圆片以及4寸晶圆片。公司的加工流片技术具有多项先进的特点和优势。首先，公司采用了先进的工艺设备，保证了工艺的稳定性。其次，公司拥有丰富的流片加工经验，能够根据客户的需求进行流片加工和定制化开发。再次，公司注重研发创新，不断引入先进的材料和技术，提升性能。同时，公司具备较为完备的检测能力，可以确保产品的质量。研究院将不断提高研发水平和服务能力，确保客户满意。氮化镓芯片加工芯谷高频研究院的热物性测试仪产品能够准确、高效地测试材料的热物性，为研究人员提供数据支撑。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台，针对太赫兹测试，可提供先进的测试设备和专业的技术服务。研究院测试设备可以达到500GHz的测试频率，在这个范围内，研究院可以对各种高频器件进行测试和分析。研究院拥有一支技术精湛、经验丰富的团队，公司能够根据客户的需求，进行实验设计和数据分析，提供准确可靠的测试结果。研究院的太赫兹测试服务不仅能够帮助客户进行性能评估，还能够为客户提供良好的产品设计和优化建议。研究院致力于为客户提供优良的技术服务，帮助公司快速实现技术创新。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫兹二极管技术开发服务，该系列大功率GaN微波毫米波太赫兹二极管器件产品具有耐功率、高速等优势，工作频率涵盖1GHz~300GHz，截止频率达600GHz；可用于接收端的大功率限幅，提高抗干扰能力；可用于无线输能或远距离无线充电，可大幅提高整流功率和效率，实现装置的小型化；用于太赫兹系统，可提高太赫兹固态源输出功率，实现太赫兹源小型化，为6G通信等未来应用奠定基础。芯谷高频研究院提供薄膜型SBD集成电路开发服务，适用于0.5THz以上、集成度要求高的太赫兹混频、倍频应用。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供定制化GaAs/InP SBD太赫兹集成电路芯片技术开发服务，该芯片电路工作频段达到1.5THz；适用于工作频率0.5THz以上、集成度要求高的太赫兹混频、倍频应用。本公司提供定制化薄膜型SBD集成电路设计与加工服务，GaAs薄膜型SBD集成电路是目前主流的技术解决方案。研究院可根据客户需求进行定制化开发，可应用于太赫兹混频、倍频、检波等技术方向。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司将不断提高研发水平，为客户提供更好的服务。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供InGaAs太赫兹零偏SBD技术开发服务。碳纳米管电路芯片设计

芯谷高频研究院的高功率密度热源产品，可为客户定制化开发各种热源微结构及功率密度。氮化镓器件工艺技术服务

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台设备齐全，具备优良的半导体芯片研发条件。公司旨在为客户提供技术支持和服务，以满足不断发展的市场需求。公司不仅具备设备齐全的优势，还在芯片研发方面拥有非常好的人才、场地等条件。通过不断创新和自主研发，南京中电芯谷高频器件产业技术研究院旨在为客户提供高性能的芯片产品。通过公共技术服务平台，公司将不断提升服务水平和技术能力，为客户提供更加可靠的技术支持，以满足客户多样化的需求。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院将以专业的态度与客户合作，共同推动行业的发展，实现共赢。氮化镓器件工艺技术服务