河北330910-11-17-10-02-CN本特利传感器

压阻式压力传感器这种传感器采用集成工艺将电阻条集成在单晶硅膜片上,制成硅压阻芯片,并将此芯片的周边固定封装于外壳之内，引出电极引线。 提到压阻式传感器，首先得讲到它的原理——压阻效应。原理图如上，当压力变化时，电阻R1,R2,R3,R4发生变化，从而引发加载在电阻中间的电压发生变化，这种变化反映出压力值。压阻效应是用来描述材料在受到机械式应力下所产生的电阻变化。不同于压电效应，压阻效应只产生阻抗变化，并不会产生电荷。压阻式传感器又称为扩散硅压阻式压力传感器，被测介质的压力直接作用于传感器的膜片上（不锈钢或陶瓷），使膜片产生与介质压力成正比的微位移，使传感器的电阻值发生变化，和用电子线路检测这一变化，并转换输出一个对应于这一压力的标准测量信号。 压力变送器用于测量液体、气体或蒸汽的液位、密度和压力，然后将压力信号转变成4-20mADC信号输出。河北330910-11-17-10-02-CN本特利传感器

接近传感器的分类接近传感器按工作原理分:高频振荡型、电容型、感应电桥型、永久磁铁型和霍耳效应型等。 按操作原理可分为三类：利用电磁感应的高频振荡型，使用磁铁的磁力型和利用电容变化的电容型。按检测方法分：通用型：主要检测黑色金属（铁）所有金属型：在相同的检测距离内，检测任何金属。有色金属型：主要检测铝一类的有色金属 根据结构类型分:1、两线制接近传感器：两线制接近传感器安装简单，接线方便；应用比较***，但却有残余电压和漏电流大的缺点。2、直流三线式：直流三线式接近传感器的输出型有NPN和PNP两种，70年代日本产品绝大多数是NPN输出，西欧各国NPN、PNP两种输出型都有。PNP输出接近传感器一般应用在PLC或计算机作为控制指令较多，NPN输出接近传感器用于控制直流继电器较多，在实际应用中要根据控制电路的特性选择其输出形式。

河北330910-11-17-10-02-CN本特利传感器控制回路中的压力测量，以控制液压缸中的恒定力（控制传感器）。

在工业生产应用中有下列特点：1、检测距离长如果在对射型中保留10m以上的检测距离等，便能实现其他检测手段（磁性、超声波等） 无法远距离检测。2、对检测物体的限制少由于以检测物体引起的遮光和反射为检测原理，所以不象接近传感器等将检测物体限定 在金属，它可对玻璃.塑料.木材.液体等几乎所有物体进行检测。3、响应时间短光本身为高速，并且传感器的电路都由电子零件构成，所以不包含机械性工作时间，响应时间非常短。4、分辨率高能通过高级设计技术使投光光束集中在小光点，或通过构成特殊的受光光学系统，来实现高分辨率。也可进行微小物体的检测和高精度的位置检测。5、可实现非接触的检测可以无须机械性地接触检测物体实现检测，因此不会对检测物体和传感器造成损伤。因此，传感器能长期使用。6、可实现颜色判别通过检测物体形成的光的反射率和吸收率根据被投光的光线波长和检测物体的颜色组合 而有所差异。利用这种性质，可对检测物体的颜色进行检测。7、便于调在投射可视光的类型中，投光光束是眼睛可见的，便于对检测物体的位置进行调整。

电容式压力传感器电容式压力传感器是利用电容敏感元件将被测压力转换成与之成一定关系的电量输出的压力传感器。特点是，低的输入力和侏儒能量，高动态响应，小的自然效应，环境适应性好。它一般采用圆形金属薄膜或镀金属薄膜作为电容器的一个电极，当薄膜感受压力而变形时，薄膜与固定电极之间形成的电容量发生变化，通过测量电路即可输出与电压成一定关系的电信号。电容式压力传感器属于极距变化型电容式传感器，可分为单电容式压力传感器和差动电容式压力传感器。 光电式接近开关可以分为对射式、反射式和漫射式。

高频振荡型接近传感器的工作原理：由LC高频振荡器和放大处理器电路组成，当金属物体接近振荡感应头时会产生涡流，使接近传感器振荡能力衰减，内部电路的参数发生变化，由此识别出有无金属物体接近，进而控制开关的通或断。所有金属型传感器的工作原理：所有金属型传感器基本上属于高频振荡型。和普通型一样，它也有一个振荡电路，电路中因感应电流在目标物内流动引起的能量损失影响到振荡频率。目标物接近传感器时，不论目标物金属种类如何，振荡频率都会提高。传感器检测到这个变化并输出检测信号。光电传感器的基本特性包括输出电流与***两端电压之间的关系、输出电流与发射器输入电流之间的关系曲线。无锡ETS386-3-150-000贺德克传感器

如今光电传感器的外壳是根据客户的安装环境而选择圆型或方型，没有具体规定。河北330910-11-17-10-02-CN本特利传感器

光生伏***应简称光伏效应，指的是物体在受到光照之后产生电动势的现象。光电池是一种自发电式的光电元件，它受到光照时自身能产生一定方向的电动势，在不加电源的情况下，只要接通外电路，便有电流通过。具体的工作原理如下：光伏电池在一块N型硅片上用扩散的方法掺入一些P型杂质而形成的一个大面积PN结，P区有大量的空穴，N区有大量的电子。当光照射P区表面时，若光子能量大于硅的禁带宽度，则在P型区内每吸收一个光子便产生一个电子—空穴对，P区表面吸收的光子越多，激发的电子空穴越多，越向PN结区越少。由于PN结内电场的方向是由N区指向P区的，它使扩散到PN结附近的电子—空穴对分离，光生电子被推向N区，光生空穴被留在P区。从而使N区带负电，P区带正电，形成光生电动势。若用导线连接P区和N区，电路中就有光电流流过。河北330910-11-17-10-02-CN本特利传感器

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