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本发明具如下有益于效用:通过将轴对称改成中心对称、将ω形状的加热板中心改成单独分体或封闭环形的构造,以及合理配置留置区和电压位置的安装,化解了传统加热板的构造的缺点,提高了采用的稳定性,增加了加热板的寿命。附图说明图1为传统加热片的构造示意图;图2为传统加热片的一种损坏方法;图3为传统加热片的另一个损坏方法;图4为本发明的一种加热板构造;图5为本发明的另一种加热板构造。图中,o中心点、1热弧板、2半圆形热片、21拐点、22空隙、3左电极、4右电极、5热环、6***加热片、60***热弧片、61***迂回端、7第二加热片、70第二热弧片、71第二迂回端、8留置区、91***电极、92第二电极。实际实施方法下面结合附图和实际实施例对本发明作更进一步详尽解释。为了化解现有技术存在的三个技术疑问,本发明提供一种加热板,包括,数目为偶数的若干组加热片。在实际使用中,偶数组加热片需将加热片分为两组,每组并联着分别联接到电源的两极。一般,还可以将加热片的数目设成4组或6组等,虽然分组越多,越易于致使加热的不平稳,但是对于需加热的较大面积,可以通过多组加热片实现延长加热片的寿命。所有加热片均为中心对称布置。本实用新型涉及等离子体cvd晶圆加热器的领域。上海 PA4025-WP加热板价格多少
同时,氮化铝耐熔融状态下金属的侵蚀,几乎不受酸的稳定。因氮化铝表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜,人们利用此特性,将它用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。也因为氮化铝陶瓷的金属化性能较好,可替代有毒性的氧化铍陶瓷在电子工业中广泛应用。氮化铝的化学式为AlN,化学组成AI约占,N约占。它的粉体为一般是白色或灰白色,单晶状态下则是无色透明的,常压下的升华分解温度达到2450℃。氮化铝陶瓷导热率在170~210W/()之间,而单晶体更可高达275W/()以上。热导率高(>170W/m·K),接近BeO和SiC;热膨胀系数(×10-6℃)与Si(×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配;各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良;机械性能好,抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷,可以常压烧结;可采用流延工艺制作。氮化铝陶瓷作为一种硬脆材料,烧结后的氮化铝陶瓷加工起来十分的困难,它的各种性质优异于其他的陶瓷材料也意味着它的加工难度比其他陶瓷高,并且氮化铝陶瓷加工还有一个致命难点,它脆性大,十分容易白边。在此情况下,用氮化铝制作陶瓷加热盘也变得分外艰难。8英寸的氮化铝陶瓷加热盘约莫是315mm直径、19mm厚度的圆盘。 上海 PA8005-CC-PCC20A加热板经销在测试过程中,每一个芯片的电性能力和电路机能都被检测到。
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种晶圆加热装置。背景技术:随着科技进步,晶片的加工工艺越来越复杂,要求在单位晶圆面积内制作的器件更多,致使晶圆内线路的宽度变得更窄,晶圆在热盘上加热时,对热盘温度的均匀性要求更高。晶圆加热中使用的热盘都是由上盘和压片中夹一块加热片,或是在上盘中埋入几个加热管构成,通过一个温度传感器和一个控制器控制热盘的温度。使得热盘表面温度并不均匀,不能满足高精度晶圆的加工需求。再如中国实用新型u所公开的一种电控晶圆加热盘,包括硅橡胶电热圈、热导金属板、晶圆托盘、电子显示盒和屏蔽罩。所述硅橡胶电热圈与热导金属板连接;所述热导金属板与电子显示盒连接;所述晶圆托盘放置在热导金属板上方,并与电子显示盒相连;所述的屏蔽罩与电子显示盒相连,该实用新型只使用一个电热圈,会出现加热不均匀的情况。技术实现要素:一、要解决的技术问题针对现有技术所存在的上述缺陷,现有的晶圆加热方法存在的均匀性不佳的问题。二、技术方案为解决上述问题,特提供一种晶圆加热装置,晶圆加热装置包括控制模块和多分区热盘,多分区热盘包括***分区和第二分区;***分区包括***加热模块和***温度检测模块。
所述的调节支撑圆柱3-4与研磨盘主体3-1之间、调节支撑圆柱3-4与圆环1-2之间均设置为螺纹连接;所述的支撑圆盘本体1-1的材质采用铝合金;所述的圆环1-2的材质采用ptfe;所述的研磨块3-5的长度与晶圆加热器5的修磨面半径相等。本实用新型的具体实施:先将晶圆加热器的没有沟槽的非工作面区域使用数控车床进行修复,再将晶圆加热器放置在加热器支撑圆盘内,并用螺丝将圆环固定在支撑圆盘上,通过调节螺栓调节研磨块的位置,使研磨块与晶圆加热器相接触,同时观察三个数显深度测量指示表显示的数据是否一致,直至将三个数显深度测量指示表的数据调节为一致,此时,研磨块的平面度达到要求;然后启动旋转电机,旋转电机带动加热器支撑圆盘转动,开始研磨;研磨20-30分钟后,通过观察研磨面的色泽来判断研磨是否到位,没研磨前,表面为深色,研磨后表面为浅色,很容易观察到修磨的进度;通过肉眼初步判断研磨到位时,进一步用数显深度测量指示表通过研磨主体圆盘上的测量孔,在晶圆加热器上选取几个点进行测量,显示数据相同,即说明研磨到位。显示数据不同,说明研磨没有达到要求,此时调节螺栓,再次使研磨块与晶圆加热器相接触,继续研磨,二次研磨时间设置为10-20分钟。物件温度保持在目标温度值的士5°C的范围内。
本实用新型涉及等离子体cvd晶圆加热器的领域,尤其涉及一种等离子体cvd晶圆加热器用表面修磨装置。背景技术:随着半导体技术的不断飞速发展,单个芯片上所承载的晶体管数量以惊人的速度增长,与此同时,半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片,这要求更加精细的制造工艺.一种常用的工艺是等离子体化学汽相淀积(pecvd).化学汽相淀积(pecvd)一般用来在半导体晶圆衬底上淀积薄膜,气体起反应在晶圆加热器表面形成一层材料;等离子体cvd晶圆加热器是半导体芯片加工的关键设备,起承载吸附晶圆及提供加热的作用,随着使用次数增加,晶圆在工艺过程中和等离子体cvd晶圆加热器表面接触,高温状态晶圆加热表面的铝材会被晶圆不停磨损,导致晶圆加热器表面平整度及吸附区域尺寸变差,吸附力下降,导致工艺无法正常完成,工艺结果变差。因此就需要将等离子体cvd晶圆加热器表面进行修复,保证表面的平整度和吸附区域尺寸,保证工艺正常进行;现有技术的修复方法是使用数控机床或手工进行修复,但是存在材料去除量较大,数控机床一次去除量为,导致晶圆加热器的可修磨次数少,使用成本高;另外晶圆加热器表面沟槽多、材料太软,导致不好控制表面平整度。在晶圆制造完成之后,晶圆测试是一步非常重要的测试。MSA FACTORYPA6008-PCC10A加热板
控制模块降低温度较高的分区的功率继电器的输出功率。上海 PA4025-WP加热板价格多少
晶圆放置在垫柱3上,使晶圆与加热盘1之间形成间隙,防止晶圆与加热盘1直接接触从而损坏晶圆,。加热盘1上还设有限位柱4,限位柱4的数量为6个,晶圆放置在6个限位柱之间,这方每次加热晶圆时,晶圆都能放置在加热盘1的固定位置。底板2上设置有温度传感器5,温度传感器5用于检测底板2上温度值。底板2上设置有过温保护器6,当温度过高使,对加热器及时断电,防止加热器损坏。实施例二、加热器在工作过程中温度较高,这样加热器的周围的温度也会较高,很容易烫伤工作人员,因此在上述实施例的基础上,曾设了隔热环7,隔热环7套设在加热器**,起到了对周围隔热的作用,同时也减少了加热器热量的散发,同时也保证的工作人员与底板2或加热盘的直接接触,有效的避免了。以上*是本发明的推荐实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。上海 PA4025-WP加热板价格多少
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