蒲江IC测烧参考价格

想要实现芯片的性能，功能，可靠性测试，我们具体要用哪些手段呢？

系统级SLT测试

常应用于功能测试、性能测试和可靠性测试中，常常作为成品FT测试的补充而存在。顾名思义就是在一个系统环境下进行测试，就是把芯片放到它正常工作的环境中运行功能来检测其好坏，缺点是只能覆盖一部分的功能，覆盖率较低所以一般是FT的补充手段。需要应用的设备主要是机械臂，需要制作的硬件是系统板+测试插座。

可靠性测试：

主要就是针对芯片施加各种苛刻环境，比如ESD静电，就是模拟人体或者模拟工业体去给芯片加瞬间大电压。再比如老化HTOL，就是在高温下加速芯片老化，然后估算芯片寿命。除了上述测试方法，一些复杂、高效的芯片也会采取多策并举的形式进行测试。同时我们可以发现，探针和插座贯穿了CP测试和FT测试，任何测试都离不开他，是芯片测试中必不可少的冶具之一。现如今芯片更新迭代的速度变得越来越快，功能越来越复杂，这就要求更高的测试可靠性和更少的测试时间以将产品快速推出市场。

主要客户群体是：芯片原厂、IC方案公司，智能终端，元器件，显示器件等。蒲江IC测烧参考价格

耐久性测试项目（Endurancetestitems）包含哪些测试？

1、周期耐久性测试（EnduranceCyclingTest）目的：评估非挥发性memory器件在多次读写算后的持久性能测试方法：将数据写入memory的存储单元，在擦除数据，重复这个过程多次测试条件：室温，或者更高，每个数据的读写次数达到100k~1000k具体的测试条件和估算结果可参考以下标准：MIT-STD-883EMethod1033

2、数据保持力测试（DataRetentionTest）目的：在重复读写之后加速非挥发性memory器件存储节点的电荷损失测试方法：在高温条件下将数据写入memory存储单元后，多次读取验证单元中的数据测试条件：150℃ Flash IC测烧服务优普士电子（深圳）有限公司提供专业的芯片烧录、测试方案，具体咨询请联系我们。

IC产品可靠性等级测试之使用寿命测试项目：

1、EFR:早期失效等级测试（EarlyfailRateTest）

目的：评估工艺的稳定性，加速缺陷失效率，去除由于天生原因失效的产品。

测试条件：在特定时间内动态提升温度和电压对产品进行测试

失效机制：材料或工艺的缺陷，包括诸如氧化层缺陷，金属刻镀，离子玷污等由于生产造成的失效。

2、HTOL/LTOL：高/低温操作生命期试验（High/LowTemperatureOperatingLife）

目的：评估器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力测试条件：125℃，1.1VCC,动态测试

失效机制：电子迁移，氧化层破裂，相互扩散，不稳定性，离子玷污等

参考标准：125℃条件下1000小时测试通过IC可以保证持续使用4年，2000小时测试持续使用8年；150℃1000小时测试通过保证使用8年，2000小时保证使用28年。

IC产品可靠性等级测试之环境测试项目有哪些？

1、PRE-CON:预处理测试（PreconditionTest）目的：模拟IC在使用之前在一定湿度，温度条件下存储的耐久力，也就是IC从生产到使用之间存储的可靠性。

2、THB:加速式温湿度及偏压测试（TemperatureHumidityBiasTest）

目的：评估IC产品在高温，高湿，偏压条件下对湿气的抵抗能力，加速其失效进程。

测试条件：85℃，85%RH,1.1VCC,Staticbias

失效机制：电解腐蚀

3、高加速温湿度及偏压测试（HAST:HighlyAcceleratedStressTest）

目的：评估IC产品在偏压下高温，高湿，高气压条件下对湿度的抵抗能力，加速其失效过程。

测试条件：130℃，85%RH,1.1VCC,Staticbias，2.3atm

失效机制：电离腐蚀，封装密封性

4、PCT:高压蒸煮试验PressureCookTest(AutoclaveTest)

目的：评估IC产品在高温，高湿，高气压条件下对湿度的抵抗能力，加速其失效过程。

测试条件：130℃，85%RH,Staticbias，15PSIG（2atm）

失效机制：化学金属腐蚀，封装密封性

5、SHTTest:焊接热量耐久测试（SolderHeatResistivityTest）

目的：评估IC对瞬间高温的敏感度测试

方法：侵入260℃锡盆中10秒

失效标准（FailureCriterion）：根据电测试结果 OPS拥有良好的作业环境，ISO管理模式，各种先进的烧录测试设备。

Flash又分NANDFlash和NORFlash，NOR型存储内容以编码为主，其功能多与运算相关；NAND型主要功能是存储资料，如数码相机中所用的记忆卡。

（1）NorFlash：主要用来执行片上程序优点：具有很好的读写性能和随机访问性能，因此它先得到广泛的应用；缺点：单片容量较小且写入速度较慢，决定了其应用范围较窄。

（2）NANDFlash：主要用在大容量存储场合优点：高效的读写性能、较大的存储容量和性价比，因此在大容量存储领域得到了广泛的应用；缺点：不具备随机访问性能。 以“稳健诚信，永续经营”的态度经营。惠州IC测烧厂家电话

凭借丰富的技术经验和齐全的设备资源，可协助广大客户处理生产中遇到的芯片烧录问题。蒲江IC测烧参考价格

芯片测试之性能测试：

除了要做好功能方面的测试外，还有芯片测试中，性能测试也是很重要的。因为只有在确保了悬念片的性能后，在之后使用的时候才不需要去担心任何的问题，也能进一步发挥芯片的优势，因为芯片在加工生产的过程中，也是会出现一些缺陷，这些缺陷也是有大有小的，因此哪些缺陷是可以接受的，哪些是需要维修的，这就需要通过性能测试来完成了。在芯片测试的过程中，还是需要关注下这样两个测试内容，尤其是在进行测试的时候，更是要去考虑下具体的测试要求，要按照正确的方式完成对芯片测试，只要确认芯片合格后，就可以成功的推出市场销售，因为测试时间比较长，所以还需要耐心的等待，力求测试的准确性。 蒲江IC测烧参考价格

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