河南异质结技术

时间:2024年01月06日 来源:

光伏异质结电池的可靠性是一个非常重要的问题,因为它直接关系到光伏电池的使用寿命和性能稳定性。在实际应用中,光伏电池需要经受各种环境因素的影响,如温度、湿度、光照强度等,这些因素都会对光伏电池的性能产生影响。目前,光伏异质结的可靠性已经得到了很大的提高。一方面,随着材料科学和工艺技术的不断进步,光伏电池的材料和结构得到了不断优化,使得光伏电池的性能和可靠性得到了很大的提高。另一方面,光伏电池的制造和测试技术也得到了不断改进,使得光伏电池的质量得到了更好的保证。总的来说,光伏异质结的可靠性已经得到了很大的提高,但是在实际应用中仍然需要注意各种环境因素的影响,以保证光伏电池的性能和寿命。同时,还需要不断开展研究和改进,以进一步提高光伏电池的可靠性和性能。异质结电池主工艺有4道:制绒、非晶硅沉积、TCO沉积、金属化。河南异质结技术

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异质结电池所有制程的加工温度均低于250,避免了生产效率低而成本高的高温扩散制结的过程,而且低温工艺使得a-Si薄膜的光学带隙、沉积速率、吸收系数以及氢含量得到较精确的控制,也可避免因高温导致的热应力等不良影响。釜川(无锡)智能科技有限公司,以半导体生产设备、太阳能电池生产设备为主要产品,打造光伏设备一体化服务。拥有强大的科研团队,凭借技术竞争力,在清洗制绒设备、PECVD设备、PVD设备、电镀铜设备等方面都有独特优势;以高效加工制造、快速终端交付的能力,为客户提供整线工艺设备的交付服务。广东HJT异质结CVD光伏异质结是一种高效太阳能电池,具有更高的转换效率和更低的衰减率。

异质结电池的清洗制绒:在沉积a-Si:H之前的晶圆清洗有两个作用。一个是去除晶圆表面的颗粒和金属污染。另一个是用氢气使表面上的悬空键部分钝化。清洁是降低a-Si:H/c-Si界面状态密度的关键步。不同清洁程序的效果可以通过测量清洁过的晶圆的载流子寿命来研究,这些晶圆已经用相同的a-Si:H薄膜进行了钝化。在高质量硅片的块状区域的载流子重组可以被认为是可以忽略的,因此对载流子寿命的测量表明了表面重组,因此也表明了清洁过程的质量。下图显示了在代尔夫特理工大学进行的三种不同清洗方法的比较。在晶圆两面沉积本征a-Si:H层之前,以三种不同的方式处理(100)取向的FZ c-Si晶圆。晶圆使用标准的RCA清洗,第二个晶圆使用涉及浓硝酸的标准DIMES清洗程序进行清洗。所有三个晶圆都被浸泡在HF中,以去除原生氧化层,这是对第三个晶圆进行的处理。在预处理之后,在晶圆的两面都沉积了120纳米厚的本征a-Si:H层,每次运行都使用相同的沉积条件。使用Sinton寿命测试器测量载流子寿命,以评估钝化质量。使用标准RCA工艺清洁的晶圆载流子寿命,因此钝化效果也。只接受HF浸渍处理的晶圆观察到的载流子寿命。

异质结电池的优势有,优势一:工艺流程短HJT电池主工艺有4道:制绒、非晶硅沉积、TCO沉积、丝网印刷;远少于PERC(10个)和TOPCON(12-13个);其中,非晶硅沉积主要使用PECVD方法。TCO薄膜主要有两种方法:RPD(反应等离子沉积)和PVD。优势二:转换效率高得益于N型硅衬底以及非晶硅对基底表面缺陷的双重钝化作用。目前量产效率普遍已在25%以上;更高的转化效率需要在前后表面使用掺杂纳米晶硅、掺杂微晶硅、掺杂微晶氧化硅、掺杂微晶碳化硅取代现有的掺杂。HJT效率潜力超28%,远高PERC电池。优势三:无LID&PID,低衰减无LID与PID:由于HJT电池衬底通常为N型单晶硅,而N型单晶硅为磷掺杂,不存在P型晶硅中的硼氧复合、硼铁复合等,所以HJT电池对于LID效应是免疫的。HJT电池的表面沉积有TCO薄膜,无绝缘层,因此无表面层带电的机会,从结构上避免PID发生。低衰减:HJT电池首年衰减1-2%,此后每年衰减0.25%,远低于PERC电池掺镓片的衰减情况(首年衰减2%,此后每年衰减0.45%),因此HJT电池全生命周期每W发电量高出双面PERC电池约1.9%-2.9%。异质结电池采用的N型硅片,掺杂剂为磷,几乎无光致衰减现象。

高效异质结电池生产流程中使用的设备,PECVD 1.等离子化学气相沉积(PlasmaEnhancedCVD,PECVD)是指利用辉光放电的物理作用来化学气相沉积反应的CVD技术;2.异质结非晶硅薄膜沉积是采用RPECVD技术,射频等离子体增强化学气相沉积(RFPlasma-EnhancedChemicalVaporDeposition,RPECVD),是PECVD的另外一种技术。它是利用射频能量使反应气体等离子化。优点:低温成膜(300-350℃),对基片影响小,避免了高温带来的膜层晶粒粗大;l低压下形成薄膜厚度及成分较均匀、膜层致密、内应力小,不易产生裂纹;l扩大CVD应用范围,特别是在不同基片上制备金属薄膜、非晶态无机薄膜等,薄膜的附着力大于普通CVD。釜川高效异质结电池湿法制绒设备全线采用臭氧工艺,降低了运营材料成本。广州国产异质结PECVD

高效异质结电池PECVD设备是制备微晶硅的中心设备,其工艺机理复杂,影响因素众多,需要专业公司制备。河南异质结技术

异质结电池为对称的双面结构,主要由 N 型单晶硅片衬底、正面和背面的本征/掺杂非晶硅薄膜层、双面的透明导电氧化薄膜(TCO) 层和金属电极构成。其中,本征非晶硅层起到表面钝化作用,P型掺杂非晶硅层为发射层,N 型掺杂非晶硅层起到背场作用。HJT电池转换效率高,拓展潜力大,工艺简单并且降本路线清晰,契合了光伏产业发展的规律,是有潜力的下一代电池技术。HJT电池为对称的双面结构,主要由 N 型单晶硅片衬底、正面和背面的本征/掺杂非晶硅薄膜层、双面的透明导电氧化薄膜(TCO) 层和金属电极构成。其中,本征非晶硅层起到表面钝化作用,P型掺杂非晶硅层为发射层,N 型掺杂非晶硅层起到背场作用。河南异质结技术

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