杭州高效电镀铜设备

时间:2024年02月26日 来源:

光伏电镀铜装备插片式电镀:将待镀电池设置在阴极导电支架上,向下插入使一个导电支撑单元位于相邻两个阳极板组件之间以实现电镀。根据相关描述,该设备可实现双面电镀,单线可做到14000整片/小时,破片率<0.02%,提高了装置产能和电镀质量,降低了不良率,结构合理、占地面积小。此外,根据相关技术通过将电池片设置在导电支撑单元上,移动阴极导电花篮使导电支撑单元在多个阳极单元的阳极板组件间移动以实现电镀;该电镀装置产能可达24000整片/小时,电镀均匀性更好,提高了电镀质量,减少了碎片风险 光伏电镀铜设计的导电方式主要有模具挂架式方式。杭州高效电镀铜设备

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电镀铜导电性与发电效率双重提升金属栅线电极与透明导电膜之间形成一个非整流的接触——欧姆接触,欧姆接触效果决定电池导电性与发电效率能否达到适合。影响欧姆接触效果的因素有接触面紧密结合度、栅线材料电阻率,电阻率越大,电池片对电子或载流子的负荷越高,电子或载流子的通过率越差。铜栅线导电性强于银浆。铜的导电性与银相近,但银浆属于混合物胶体,铜栅线是纯铜,因此铜栅线的电阻率更低,铜栅线电阻率是1.7Ω/m,银浆的电阻率大约为5-10Ω/m。泛半导体电镀铜金属化设备电镀铜工序包括图形化环节。

电镀铜图形化环节主要包含掩膜、曝光、显影几个步骤。其中,掩膜环节是将抗刻蚀的感光材料涂覆在电池表面以遮盖保护不需要被电镀的区域,感光材料主要有湿膜油墨、干膜材料等。曝光、显影环节是将图形转移至感光材料上,主要技术有LDI激光直写光刻(无需掩膜)、常规掩膜光刻技术、激光开槽、喷墨打印等;其中无需掩膜的LDI激光直写光刻技术应用潜力较大,激光开槽在BC类电池上已有量产应用,整体看图形化技术路线有望逐步明确和定型。

铜电镀工艺流程:种子层沉积—图形化—电镀—后处理,光伏电镀铜工艺流程主要包括种子层沉积、图形化、电镀及后处理四大环节,目前各环节技术路线不一,多种组合工艺方案并行,需要综合性能、成本来选择合适的工艺路线。(1)种子层沉积:异质结电池表面沉积有透明导电薄膜(TCO)作为导电层、减反射层,由于铜在TCO层上的附着性较差,两者间为物理接触,附着力主要为范德华力,电极容易脱落,一般需要在电镀前在TCO层上先行使用PVD设备沉积种子层(100nm),改善电极接触与附着性问题。(2)图形化:由于在TCO上镀铜是非选择性的,需要形成图形化的掩膜以显现待镀铜区域的线路图形,划分导电与非导电部分。图形化过程中,将感光胶层覆盖于HJT电池表面,通过选择性光照,使得不需要镀铜的位置感光材料发生改性反应,而需要镀铜的位置感光材料不变;在显影步骤时,待镀铜区域内未发生改性反应的感光材料会被去除,形成图形化的掩膜,后续电镀时铜将沉积于该线路图形区域内露出的种子层上并发生导电,而其他位置不会发生铜沉积,实现选择性电镀。电镀铜在种子层制备方式上,采用物理的气相沉积(PVD)。

电镀铜优势在于可助力电池提效0.3-0.5%+,进而提高组件功率。相较于银包铜+0BB/NBB工艺,我们预计银包铜+0BB/NBB工艺或是短期内HJT电池量产化的主要降本路径,随着未来银含量30%银包铜浆料的导入,浆料成本有望降至约3分/W,HJT电池金属化成本或降至5分/W左右。电镀铜工艺有望于2023-2024年加快中试,并于2024年逐步导入量产。随着工艺经济性持续优化,电镀铜HJT电池的金属化成本有望降至5-6分/W左右,叠加考虑0BB/NBB对应组件封装/检测成本提升,而电镀铜可提升效率约0.5%+,电镀铜优势逐渐强化,有望成为光伏电池无银化的解决方案。图形化与电镀铜替代银浆丝网印刷。合肥光伏电镀铜设备价格

电镀铜助力HJT降本增效,产业化进程进入加速期。杭州高效电镀铜设备

银浆成本高有四大降本路径,两大方向。一是减少高价低温银浆用量,例如多主栅(MBB)、激光转印;二是减少银粉的用量,使用贱金属替代部分银粉,例如银包铜、电镀铜。铜电镀是一种非接触式的电极金属化技术,在基体金属表面通过电解方法沉积金属铜制作铜栅线,收集光伏效应产生的载流子。为解决电镀铜与透明导电薄膜(TCO)之间的接触与附着性问题,需先使用PVD设备镀一层极薄的铜种子层(100nm),衔接前序的TCO和后序的电镀铜,种子层制备后还需对其进行快速烧结处理,以进一步强化附着力。同时,铜种子层作为后续电镀铜的势垒层,可防止铜向硅内部扩散。杭州高效电镀铜设备

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