闸阀楔式闸阀

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，有气动多位置闸阀（气动多定位闸阀、多定位插板阀、Pneumatic Multi Position）、气动（锁定）闸阀和手动（锁定）闸阀，蝶阀，Butterfly Valve，步进电机插板阀Stepper Motor Gate Valve，加热插板阀（加热闸阀Heating gate valve），铝闸阀（AL Gate Valve），三重防护闸阀，应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。精确控制腔内压力的阀门分为三类：控制系统闸阀、蝶阀、多定位闸阀。闸阀楔式闸阀

微泰，超高压闸阀应用于• Evaporation• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• 蚀刻• Diffusion•CVD等设备上。期特点是*陶瓷球机构产生的低颗粒*使用维修配件工具包易于维护*应用:研发和工业中的UHV隔离。高压闸阀规格如下：驱动方式：手动或气动、法兰尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法兰类型：CF、连接方式：焊接波纹管（AM350或STS316L）、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：铜垫圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 14˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 14˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、初次维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、CTemperature for Actuator≤ 150 °C、烤炉温度≤ 200 °C、材料：阀体(不锈钢304或316L)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。Diffusion闸阀真空闸阀的设计具有独特的特征。它们具有坚固的结构，通常使用不锈钢或铝等材料来抵抗真空条件。

微泰，高压闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是*陶瓷球机构产生的低颗粒*使用维修配件工具包易于维护*应用:隔离泵。高压闸阀规格如下：驱动方式：手动或气动、法兰尺寸：1.5英寸~ 14英寸、法兰类型：CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：氟橡胶O型圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 14˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 14˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数：250,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304或316L)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。

微泰半导体闸阀具有独特的三重保护保护环机能：采用铝质材料，减轻重量的同时提高保护环内部粗糙度，有效防止工程副产物的堆积黏附；通过提升保护环内部流速设计，且保护环逐步收窄，进一步提升流速，防止粉尘黏附；采用三元系 O 型圈，确保保护环驱动稳定，可保证 30 万次驱动。该闸阀被广泛应用于 Evaporation（蒸发）、Sputtering（溅射）、Diamond growth by MW-PACVD（通过 MW-PACVD 生长金刚石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）、Coating（涂层）、Etch（蚀刻）、Diffusion（扩散）、CVD（化学气相沉积）等设备上，能够替代 HVA 闸阀、VAT 闸阀。此闸阀由上海安宇泰环保科技有限公司提供。控制系统和蝶阀使用步进电机操作，而多定位闸阀使用气动控制操作。

微泰半导体闸阀的特点：已向中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备，设备厂批量供货，已得到品质认可，已完成对半导体Utility设备和批量生产设备的验证。1，采用陶瓷球机构，抗冲击和震动，保证使用25万次，检修方便，较低维护成本。2，无Particle（颗粒）产生，采用陶瓷球无腐蚀和颗粒产。3，屏蔽保护：屏蔽式保护功能，闸阀阀体与挡板之间的距离小于1mm，可防止粉末侵入阀内，寿命为半永久性。4，保护环：Protecrion Ring通过流速上升设计防止粉末凝固，并通过打磨（研磨）工艺防止粉末堆积。微泰半导体闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代HVA闸阀、VAT闸阀。上海安宇泰环保科技有限公司。真空闸阀属于真空隔离阀类别。但是，它也有可用于控制气流。闸阀楔式闸阀

高压闸阀只许介质单向流动，安装时有方向性。它的结构长度大于闸阀，同时流体阻力大。闸阀楔式闸阀

微泰，屏蔽闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• 溅射• Diamond growth by MW-PACVD• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)• Coating（涂层）• Etch• Diffusion•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是*阀体和阻断器之间的间隙小于1mm*防止流入的气体（粉末）进入阀体内部*使用维修配件工具包易于维护*应用:隔离泵，气流中的高水平工艺。屏蔽闸阀规格如下：驱动方式：手动或气动、法兰尺寸：2.5英寸~ 10英寸、法兰类型：ISO, JIS, ASA, CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：Viton O型圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：2.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 10˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：2.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 10˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 60 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩闸阀楔式闸阀