国内HTOL测试机24小时服务

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    MIL-STD-883K-2016：稳态反向偏置S级**少时间有240h到120h共6个级别；B级**少时间352h到12h共10个级别；K级**少时间从700h到320h共6个级别。S级最低温度从125℃到150℃共6个级别；B级别最低温度从100℃到250℃；K级最低温度从100℃到125℃。电压大小全部为额定电压B：稳态正向偏置C：稳态功率反向偏置D：并联励磁E：环形振荡器F：温度加速试验————————————————版权声明：本文为CSDN博主「月丶匈」的原创文章，遵循，转载请附上原文出处链接及本声明。原文链接：blog./qq_36671997/article/details/。 HTOL测试机性能TH801智能老化系统，监测数据异常自动报警，实时发现问题并介入分析，大幅度提高HTOL效率。

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在每个时间点读点过程为：将闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值经由读出放大器进行比对判断，若iref＜i，则闪存读出“1”；若iref＞i，则闪存读出“0”。与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：本发明所提供的闪存htol测试方法，对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除，以在所述闪存参考单元中引入电子；对所述闪存进行htol测试，所述引入电子在所述htol测试过程中存在丢失，以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。降低了闪存参考单元的输出电流iref的偏移量，从而使闪存htol读“0”通过，解决了闪存htol测试中读点失效的问题，提高闪存质量。附图说明图1为本发明实施例的闪存htol测试方法流程图；图2为本发明实施例的闪存参考单元的结构示意图；图3为本发明实施例的对闪存参考单元进行编译示意图；图4为本发明实施例的对闪存参考单元进行擦除示意图；图5为本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除直接进行htol测试的输出电流iref分布图；TH801智能老化系统，方便灵活配置芯片状态、施加信号，提高HTOLdebug及Setup效率。

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