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    我开始的时候认为htons和htonl可以只用htonl代替但是后来发现这个是错误，会导致服务器端和客户端连接不上。下面就让我们看看他们：htons#include<arpa/(uint16_thostshort);htons的功能：将一个无符号短整型数值转换为网络字节序，即大端模式(big-endian)参数u_shorthostshort:16位无符号整数返回值:TCP/IP网络字节顺序.htons是把你机器上的整数转换成“网络字节序”，网络字节序是big-endian，也就是整数的高位字节存放在内存的低地址处。而我们常用的x86CPU(intel,AMD)电脑是little-endian,也就是整数的低位字节放在内存的低字节处。举个例子：假定你的port是0x1234,在网络字节序里这个port放到内存中就应该显示成addraddr+10x120x34而在x86电脑上，0x1234放到内存中实际是：addraddr+10x340x12htons的用处就是把实际内存中的整数存放方式调整成“网络字节序”的方式。————————————————版权声明：本文为CSDN博主「gocpplua」的原创文章，遵循，转载请附上原文出处链接及本声明。 上海顶策科技有限公司提供芯片可靠性测试一条龙解决方案。浦东新区HTOL测试机市价

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包括：将所述源极101和漏极102均悬空，在所述控制栅106上施加***擦除电压vc1，在所述衬底100上施加第二擦除电压vc2；其中，所述***擦除电压vc1为负电压，所述第二擦除电压vc2为正电压。所述***擦除电压vc1的范围为-10v～-8v，本实施例中例如为-9v；所述第二擦除电压vc2的范围为8v～10v，本实施例中例如为9v；擦除过程中的脉冲宽度为10ms～20ms。本实施例中，闪存参考单元的擦除原理是基于fowler-nordheim隧穿(简称为fn隧穿)，通过在衬底100上施加正电压，在控制栅106上施加负电压，以在隧穿氧化层103中注入空穴，同时减少浮栅104中的电子。

闪存参考单元包括：衬底100，位于所述衬底中的导电沟道、位于所述导电沟道两侧的源极101和漏极102，位于导电沟道上方的栅极单元，所述栅极单元从下到上依次包括隧穿氧化层103、浮栅104、栅间介质层105以及控制栅106,所述栅极单元的两侧分布有侧墙107。栅间介质层105例如可以为依次层叠的氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层的多层结构，即为ono结构。具体的，闪存在其生产工艺过程中易在闪存参考单元的隧穿氧化层103中捕获(引入)空**3为本发明实施例的对闪存参考单元进行编译示意图，如图3所示，对所述闪存参考单元进行编译，包括：在所述源极101上施加***编程电压vb1，在所述漏极102上施加第二编程电压vb2，在所述控制栅106上施加第三编程电压vb3，在所述衬底100上施加第四编程电压vb4；其中，所述***编程电压vb1小于所述第二编程电压vb2；所述第二编程电压vb2小于所述第三编程电压vb3。所述***编程电压的范围为～0v,所述第二编程电压的范围为～，所述第三编程电压vb3的范围为8v～10v,所述第四编程电压vb4的范围为～-1v，编译过程中的脉冲宽度为100μs～150μs。编译通过热电子注入的方式对所述浮栅104中注入电子。TH801智能老化系统，实时参数正态分布图，散点图等分析数据，有利于分析芯片性能参数。

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