徐汇区怎样选择HTOL测试机

时间:2022年09月17日 来源:

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本发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除循环后再进行htol测试的输出电流iref分布图。闪存参考单元进行编译和擦除循环后,htol测试过程中。闪存参考单元的输出电流iref在48小时的测试值iref1与在初始的测试值iref0之间偏移量减小,实际验证多个型号的闪存产品采用本实施例的方法后,htol可靠性验证通过,而且测试可靠,使闪存产品较短时间内进入客户样品量产阶段。综上所述,本发明所提供的一种闪存htol测试方法,对闪存参考单元进行编译和擦除循环后,再进行闪存htol可靠性验证,编译和擦除循环会在闪存参考单元中引入电子,引入的电子在闪存htol可靠性验证过程存在丢失,进而对空穴在htol测试过程中的丢失形成补偿,降低了闪存参考单元的输出电流iref的偏移量,从而使闪存htol读“0”通过,解决了闪存htol测试中读点失效的问题,提高闪存质量。显然,本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些改动和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包括这些改动和变动在内。有哪些HTOL测试机型号可靠性事业部提供各类芯片的老化程序开发调试,可靠性测试实验,出具可靠性报告等一条龙服务。

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闪存参考单元的隧穿氧化层103中会捕获一些主要从生产工艺带来的浅能级的空穴,在浮栅里面会注入所需要的电子。编译过程中浮栅104可以捕获电子,擦除过程中隧穿氧化层103会捕获空穴;在经过多次的编译以及擦除后,会在浮栅104中有更多的电子,隧穿氧化层103中有更多的空**7中经编译和擦除循环后电子空穴的净值(差值)与未经编译和擦除循环的电子空穴的净值(差值)相等,从而保证闪存参考单元编译和擦除循环后的输出电流与编译和擦除循环前的输出电流是相等的。擦除过程中隧穿氧化层捕获的空穴为深能级的空穴,这些深能级的空穴不容易移动,而在浮栅里面捕获的电子比较活跃,在htol测试过程中高温下会比较容易丢失,从而补偿了闪存参考单元从生产工艺带来的浅能级的空穴在htol测试过程中的丢失。上海顶策科技有限公司,20年以上的丰富测试技术积累及运营经验,拥有多项发明专利及软件著作权。

    HTOL的注意要点高温工作寿命的测试条件主要遵循JESD22-A108进行,除了给器件合适的偏置与负载外,主要包括温度应力和电压应力,这两者都属于加速因子。合理设置温度应力和电压应力,以便在合理的时间和成本下完成寿命评估。对于硅基产品,温度应力一般设置在结温>=125℃,GaAs等其它耐高温材料则可以设置更高的温度,具体根据加速要求而定。但无论哪种材料,均需要结温小于材料的极限工作温度或者热关断(thermalshutdown)温度。HTOL硬件的散热设计有利于加速因子的提高,这样可以节省试验时间。电压应力一般采用最高工作电压进行,如果需要提高加速度,则可以采用更高的电压进行试验,但是无论电压应力还是温度应力都不允许器件处于过电应力的状态。 可靠性事业部提供模拟,数字,混合信号,SOC,RF等各类芯片的可靠性方案设计。虹口区HTOL测试机推荐厂家

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