浙江一体化HTOL测试机

时间:2022年09月20日 来源:

在每个时间点读点过程为:将闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值经由读出放大器进行比对判断,若iref<i,则闪存读出“1”;若iref>i,则闪存读出“0”。与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:本发明所提供的闪存htol测试方法,对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除,以在所述闪存参考单元中引入电子;对所述闪存进行htol测试,所述引入电子在所述htol测试过程中存在丢失,以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。降低了闪存参考单元的输出电流iref的偏移量,从而使闪存htol读“0”通过,解决了闪存htol测试中读点失效的问题,提高闪存质量。附图说明图1为本发明实施例的闪存htol测试方法流程图;图2为本发明实施例的闪存参考单元的结构示意图;图3为本发明实施例的对闪存参考单元进行编译示意图;图4为本发明实施例的对闪存参考单元进行擦除示意图;图5为本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除直接进行htol测试的输出电流iref分布图;集成电路动态老化设备,上海顶策科技有限公司自主研发TH801智能一体化HTOL测试机。浙江一体化HTOL测试机

芯片HTOL测试项目柔性开发,芯片HTOL测试自研设备。上海顶策科技有限公司自主研发TH801智能一体化HTOL测试机,拥有多项发明专利及软件著作权,可实时发现问题并介入分析,大幅提高HTOL效率。提供可靠性设备,HTOL/LTOL、双85、HAST等几十项可靠性测试方案制定,PCB设计制作,测试试验,满足各类芯片可靠性测试需求。涵盖模拟,数字,混合信号,SOC,RF等各类芯片的可靠性方案设计,原理图设计,PCBlayout加工制作,老化程序开发调试,可靠性测试试验,出具可靠性报告。普陀区HTOL测试机怎么样上海顶策科技自主研发实时单颗监测技术,可灵活配置芯片工作状态,并施加信号,非常方便HTOL Setup。

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    高温工作寿命实验(Hightemperatureoperatinglifetest:HTOL)测试目的:芯片处于高温条件下,加入动态信号,并长时间工作,以评估其使用寿命,并确定其可靠性。测试条件:结温(Tj)≧125℃,电压Vcc≧Vccmax,测试时间:1000hrs样品数:77ea/lot,3lots测试读点:168、500、1000hrs参考规范:、JESD22-A108JESD22-A108B:Temperature,Bias,andOperatingLifeJESD85:METHODSFORCALCULATINGFAILURERATESINUNITSOFFITSJESD47K:Stress-Test-DrivenQualificationofIntegratedCircuitsJESD74:EarlyLifeFailureRateCalculationProcedureforSemiconductorComponents芯片工作寿命试验、老化试验(OperatingLifeTest),为利用温度、电压加速方式,在短时间试验内,预估芯片在长时间可工作下的寿命时间(生命周期预估)。BI(Burn-in)/ELFR(EarlyLifeFailureRate):评估早夭阶段的故障率或藉由BI手法降低出货的早夭率-DPPM(DefectPartsPer-Million),针对失效模式中的InfantMortality,一般测试低于48小时,车规级芯片需要100%BI测试。HTOL(HighTemperatureOperatingLife):评估可使用期的寿命时间-FIT/MTTF,针对失效模式中的Wearout,一般需要测试1000小时,属于抽样测试。 可靠性事业部提供模拟,数字,混合信号,SOC,RF等各类芯片的可靠性方案设计。HTOL测试机怎么样

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闪存参考单元的隧穿氧化层103中会捕获一些主要从生产工艺带来的浅能级的空穴,在浮栅里面会注入所需要的电子。编译过程中浮栅104可以捕获电子,擦除过程中隧穿氧化层103会捕获空穴;在经过多次的编译以及擦除后,会在浮栅104中有更多的电子,隧穿氧化层103中有更多的空**7中经编译和擦除循环后电子空穴的净值(差值)与未经编译和擦除循环的电子空穴的净值(差值)相等,从而保证闪存参考单元编译和擦除循环后的输出电流与编译和擦除循环前的输出电流是相等的。擦除过程中隧穿氧化层捕获的空穴为深能级的空穴,这些深能级的空穴不容易移动,而在浮栅里面捕获的电子比较活跃,在htol测试过程中高温下会比较容易丢失,从而补偿了闪存参考单元从生产工艺带来的浅能级的空穴在htol测试过程中的丢失。浙江一体化HTOL测试机

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