虹口区HTOL测试机品牌排行榜

时间:2022年09月22日 来源:

在每个时间点读点过程为:将闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值经由读出放大器进行比对判断,若iref<i,则闪存读出“1”;若iref>i,则闪存读出“0”。与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:本发明所提供的闪存htol测试方法,对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除,以在所述闪存参考单元中引入电子;对所述闪存进行htol测试,所述引入电子在所述htol测试过程中存在丢失,以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。降低了闪存参考单元的输出电流iref的偏移量,从而使闪存htol读“0”通过,解决了闪存htol测试中读点失效的问题,提高闪存质量。附图说明图1为本发明实施例的闪存htol测试方法流程图;图2为本发明实施例的闪存参考单元的结构示意图;图3为本发明实施例的对闪存参考单元进行编译示意图;图4为本发明实施例的对闪存参考单元进行擦除示意图;图5为本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除直接进行htol测试的输出电流iref分布图;上海顶策科技的HTOL测试机TH801,自有发明专利的智能HTOL系统,自主研发在线实时单颗监测技术。虹口区HTOL测试机品牌排行榜

    技术实现要素:本发明提供了一种闪存htol测试方法,以解决闪存htol测试中读点失效的问题。本发明提供的闪存htol测试方法,包括:提供待测闪存,所述闪存包括闪存参考单元和闪存阵列单元;所述闪存参考单元中捕获有空穴;对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除,以在所述闪存参考单元中引入电子;对所述闪存进行htol测试,所述引入电子在所述htol测试过程中部分丢失,以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。进一步的,所述闪存参考单元包括衬底、位于所述衬底中的导电沟道、位于所述导电沟道两侧的源极和漏极,位于所述导电沟道上方的栅极单元,所述栅极单元从下到上依次包括隧穿氧化层、浮栅、栅间介质层以及控制栅,所述栅极单元的两侧分布有侧墙。 虹口区HTOL测试机品牌排行榜上海顶策科技有限公司自主研发智能一体化HTOL测试机TH801实时监测并记录环境温度。

上海顶策科技有限公司(Topictest)推出的TH801智能在线监控动态老化设备,拥有多项发明专利及软件著作权,可实时发现问题并介入分析,大幅提高HTOL效率。可靠性测试事业部提供可靠性测试整体解决方案,包括HTOL、LTOL、双85、HAST等可靠性设备,以及测试方案制定,PCB设计制作,测试试验,可以满足各类芯片可靠性测试需求。自主研发在线实时单颗监测技术,大幅度提高HTOL效率,节省更多时间、FA成本,全程数据记录,让HTOL问题更容易分析,更有追溯性,有全程HTOL数据记录,让报告更有说服力,下游客户更放心。

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    进一步的,对所述闪存参考单元进行编译,包括:在所述源极上施加***编程电压,在所述漏极上施加第二编程电压,在所述控制栅上施加第三编程电压,在所述衬底上施加第四编程电压;其中,所述***编程电压小于所述第二编程电压;所述第二编程电压小于所述第三编程电压。进一步的,所述***编程电压的范围为~0v,所述第二编程电压的范围为~,所述第三编程电压的范围为8v~10v,所述第四编程电压的范围为~-1v。进一步的,编译过程中的脉冲宽度为100μs~150μs。进一步的,对所述闪存参考单元进行擦除,包括:将所述源极和漏极均悬空,在所述控制栅上施加***擦除电压,在所述衬底上施加第二擦除电压;其中,所述***擦除电压为负电压,所述第二擦除电压为正电压。进一步的,所述***擦除电压的范围为-10v~-8v,所述第二擦除电压的范围为8v~10v。进一步的,擦除过程中的脉冲宽度为10ms~20ms。进一步的,对所述闪存参考单元进行编译和擦除,循环次数为10次~20次。进一步的,对所述闪存进行htol测试包括:对所述闪存依次进行***时间点读点、第二时间点读点、第三时间点读点至第n时间点读点。

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