浙江一体化HTOL测试机

时间:2022年09月24日 来源:

第二时间点读点、第三时间点读点至第n时间点读点。在每个时间点读点过程为:将闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值经由读出放大器进行比对判断,若iref<i,则闪存读出“1”;若iref>i,则闪存读出“0”。具体的,在闪存(例如norflash)产品htol可靠性验证的阶段的测试流程例如依次为:初始(***时间点)读点、48小时(第二时间点)读点、168小时(第三时间点)读点、500小时(第四时间点)读点、1000小时(第n时间点)读点。本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除循环而直接进行htol测试时,发现闪存htol可靠性验证在48小时(hrs)读点失效。上海顶策科技自主研发实时单颗监测技术,可灵活配置芯片工作状态,并施加信号,非常方便HTOL Setup。浙江一体化HTOL测试机

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在每个时间点读点过程为:将闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值经由读出放大器进行比对判断,若iref<i,则闪存读出“1”;若iref>i,则闪存读出“0”。与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:本发明所提供的闪存htol测试方法,对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除,以在所述闪存参考单元中引入电子;对所述闪存进行htol测试,所述引入电子在所述htol测试过程中存在丢失,以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。降低了闪存参考单元的输出电流iref的偏移量,从而使闪存htol读“0”通过,解决了闪存htol测试中读点失效的问题,提高闪存质量。附图说明图1为本发明实施例的闪存htol测试方法流程图;图2为本发明实施例的闪存参考单元的结构示意图;图3为本发明实施例的对闪存参考单元进行编译示意图;图4为本发明实施例的对闪存参考单元进行擦除示意图;图5为本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除直接进行htol测试的输出电流iref分布图;上海顶策科技有限公司可靠性测试服务,涵盖模拟,数字,混合信号,SOC,RF等各类芯片的可靠性方案设计。

    HTOL的注意要点高温工作寿命的测试条件主要遵循JESD22-A108进行,除了给器件合适的偏置与负载外,主要包括温度应力和电压应力,这两者都属于加速因子。合理设置温度应力和电压应力,以便在合理的时间和成本下完成寿命评估。对于硅基产品,温度应力一般设置在结温>=125℃,GaAs等其它耐高温材料则可以设置更高的温度,具体根据加速要求而定。但无论哪种材料,均需要结温小于材料的极限工作温度或者热关断(thermalshutdown)温度。HTOL硬件的散热设计有利于加速因子的提高,这样可以节省试验时间。电压应力一般采用最高工作电压进行,如果需要提高加速度,则可以采用更高的电压进行试验,但是无论电压应力还是温度应力都不允许器件处于过电应力的状态。 上海顶策科技有限公司自主研发智能一体化HTOL测试机TH801实时监测并记录环境温度。杨浦区HTOL测试机怎么样

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导致偏移量发生的原因是在htol可靠性验证过程中闪存参考单元会有空穴丢失,而丢失的空穴是在制作闪存的生产工艺过程中捕获(引入)的,短期内无法消除。而闪存产品从工程样品(es,engineeringsample)到客户样品(cs,customersample)的时间不容延期。从测试端找出解决方案非常迫在眉睫。本发明实施例的闪存htol测试方法对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除,以在所述闪存参考单元中引入电子;对所述闪存进行htol测试,所述引入电子在所述htol测试过程中存在丢失,以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。浙江一体化HTOL测试机

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