松江区国内HTOL测试机

时间:2022年09月26日 来源:

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闪存HTOL测试方法与流程本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种闪存htol测试方法。背景技术:闪存(flashmemory)是一种非易失性的存储器,其具有即使断电存储数据也不会丢失而能够长期保存的特点。故近年来闪存的发展十分迅速,并且具有高集成度、高存储速度和高可靠性的闪存存储器被广泛应用于包括电脑、手机、服务器等电子产品及设备中。在半导体技术领域中,htol(hightemperatureoperatinglifetest,高温操作生命期试验)用于评估半导体器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力。对于闪存的可靠性而言,在数万次的循环之后的htol是一个主要指数。通常而言,闪存产品需要在10000次的循环之后,通过1000小时的htol测试。闪存htol实际测试中存在若干小时后闪存测试读点(例如读“0”)失效,亟需解决闪存htol测试中读点失效的问题。上海专注HTOL测试机TH801智能老化系统,实时参数正态分布图,散点图等分析数据,有利于分析芯片性能参数。

闪存参考单元包括:衬底100,位于所述衬底中的导电沟道、位于所述导电沟道两侧的源极101和漏极102,位于导电沟道上方的栅极单元,所述栅极单元从下到上依次包括隧穿氧化层103、浮栅104、栅间介质层105以及控制栅106,所述栅极单元的两侧分布有侧墙107。栅间介质层105例如可以为依次层叠的氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层的多层结构,即为ono结构。具体的,闪存在其生产工艺过程中易在闪存参考单元的隧穿氧化层103中捕获(引入)空**3为本发明实施例的对闪存参考单元进行编译示意图,如图3所示,对所述闪存参考单元进行编译,包括:在所述源极101上施加***编程电压vb1,在所述漏极102上施加第二编程电压vb2,在所述控制栅106上施加第三编程电压vb3,在所述衬底100上施加第四编程电压vb4;其中,所述***编程电压vb1小于所述第二编程电压vb2;所述第二编程电压vb2小于所述第三编程电压vb3。所述***编程电压的范围为~0v,所述第二编程电压的范围为~,所述第三编程电压vb3的范围为8v~10v,所述第四编程电压vb4的范围为~-1v,编译过程中的脉冲宽度为100μs~150μs。编译通过热电子注入的方式对所述浮栅104中注入电子。

包括:将所述源极101和漏极102均悬空,在所述控制栅106上施加***擦除电压vc1,在所述衬底100上施加第二擦除电压vc2;其中,所述***擦除电压vc1为负电压,所述第二擦除电压vc2为正电压。所述***擦除电压vc1的范围为-10v~-8v,本实施例中例如为-9v;所述第二擦除电压vc2的范围为8v~10v,本实施例中例如为9v;擦除过程中的脉冲宽度为10ms~20ms。本实施例中,闪存参考单元的擦除原理是基于fowler-nordheim隧穿(简称为fn隧穿),通过在衬底100上施加正电压,在控制栅106上施加负电压,以在隧穿氧化层103中注入空穴,同时减少浮栅104中的电子。上海顶策科技自主研发智能HTOL测试机TH801,实时监测并记录每颗芯片电压,电流,频率,寄存器状态等数据。

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本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除的电荷分布示意图;发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除后的电荷分布示意图。图8为本发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除循环后再进行htol测试的输出电流iref分布图。其中,具体标号如下:100-衬底;101-源极;102-漏极;103-隧穿氧化层;104-浮栅;105-栅间介质层;106-控制栅;107-侧墙;具体实施方式本发明提供一种闪存htol测试方法,以下结合附图和具体实施例作进一步详细说明。根据下面说明,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精细的比例,*用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。图1为本发明实施例的闪存htol测试方法流程图,松江区国内HTOL测试机

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