HTOL测试机私人定做

    高温工作寿命实验（Hightemperatureoperatinglifetest:HTOL）测试目的：芯片处于高温条件下，加入动态信号，并长时间工作，以评估其使用寿命，并确定其可靠性。测试条件：结温(Tj)≧125℃，电压Vcc≧Vccmax，测试时间：1000hrs样品数：77ea/lot,3lots测试读点：168、500、1000hrs参考规范：、JESD22-A108JESD22-A108B：Temperature,Bias,andOperatingLifeJESD85：METHODSFORCALCULATINGFAILURERATESINUNITSOFFITSJESD47K：Stress-Test-DrivenQualificationofIntegratedCircuitsJESD74：EarlyLifeFailureRateCalculationProcedureforSemiconductorComponents芯片工作寿命试验、老化试验(OperatingLifeTest)，为利用温度、电压加速方式，在短时间试验内，预估芯片在长时间可工作下的寿命时间(生命周期预估)。BI(Burn-in)/ELFR(EarlyLifeFailureRate)：评估早夭阶段的故障率或藉由BI手法降低出货的早夭率-DPPM(DefectPartsPer-Million)，针对失效模式中的InfantMortality，一般测试低于48小时，车规级芯片需要100%BI测试。HTOL(HighTemperatureOperatingLife)：评估可使用期的寿命时间-FIT/MTTF，针对失效模式中的Wearout，一般需要测试1000小时，属于抽样测试。 上海顶策科技自主研发TH801智能一体化HTOL测试机，拥有多项发明专利及软件著作权。HTOL测试机私人定做

    1.试验目的标准试验目的备注JESD22-A108F-2017确定偏置条件和温度对于固态器件随时间的影响。试验可以加速地模拟器件的运行状态，主要用于器件的可靠性测试。本实验在较短时间内对器件施加高温偏置，通常也被称为老化或老炼。，这些器件随着时间和应力变化而产生的失效。GJB548B-2015方法，这些器件随着时间和应力变化而产生的失效。AEC-Q100参照JESD220-A108F-2017————————————————版权声明：本文为CSDN博主「月丶匈」的原创文章，遵循，转载请附上原文出处链接及本声明。原文链接：。 一体化HTOL测试机参数上海顶策科技自主研发实时单颗监测技术，可灵活配置芯片工作状态，并施加信号，非常方便HTOL Setup。

闪存参考单元包括：衬底100，位于所述衬底中的导电沟道、位于所述导电沟道两侧的源极101和漏极102，位于导电沟道上方的栅极单元，所述栅极单元从下到上依次包括隧穿氧化层103、浮栅104、栅间介质层105以及控制栅106,所述栅极单元的两侧分布有侧墙107。栅间介质层105例如可以为依次层叠的氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层的多层结构，即为ono结构。具体的，闪存在其生产工艺过程中易在闪存参考单元的隧穿氧化层103中捕获(引入)空**3为本发明实施例的对闪存参考单元进行编译示意图，如图3所示，对所述闪存参考单元进行编译，包括：在所述源极101上施加***编程电压vb1，在所述漏极102上施加第二编程电压vb2，在所述控制栅106上施加第三编程电压vb3，在所述衬底100上施加第四编程电压vb4；其中，所述***编程电压vb1小于所述第二编程电压vb2；所述第二编程电压vb2小于所述第三编程电压vb3。所述***编程电压的范围为～0v,所述第二编程电压的范围为～，所述第三编程电压vb3的范围为8v～10v,所述第四编程电压vb4的范围为～-1v，编译过程中的脉冲宽度为100μs～150μs。编译通过热电子注入的方式对所述浮栅104中注入电子。

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包括：将所述源极101和漏极102均悬空，在所述控制栅106上施加***擦除电压vc1，在所述衬底100上施加第二擦除电压vc2；其中，所述***擦除电压vc1为负电压，所述第二擦除电压vc2为正电压。所述***擦除电压vc1的范围为-10v～-8v，本实施例中例如为-9v；所述第二擦除电压vc2的范围为8v～10v，本实施例中例如为9v；擦除过程中的脉冲宽度为10ms～20ms。本实施例中，闪存参考单元的擦除原理是基于fowler-nordheim隧穿(简称为fn隧穿)，通过在衬底100上施加正电压，在控制栅106上施加负电压，以在隧穿氧化层103中注入空穴，同时减少浮栅104中的电子。HTOL测试机私人定做

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