光电激光干涉仪高精度测量

微型电流互感器称之为“仪用电流互感器”。（“仪用电流互感器”有一层含义是在实验室使用的多电流比精密电流互感器，一般用于扩大仪表量程。）电流互感器原理线路图微型电流互感器与变压器类似也是根据电磁感应原理工作，变压器变换的是电压而微型电流互感器变换的是电流罢了。绕组N1接被测电流，称为一次绕组（或原边绕组、初级绕组）；绕组N2接测量仪表，称为二次绕组（或副边绕组、次级绕组）。根据不同的需要，组合式电流电压互感器分为V/V接线和Y/Y接线两种，以计量三相负荷平衡或不平衡时的电能。100pm/步的线性偏移被确定。光电激光干涉仪高精度测量

穿心式电流互感器其本身结构不设一次绕组，载流（负荷电流）导线由L1至L2穿过由硅钢片擀卷制成的圆形（或其他形状）铁心起一次绕组作用。二次绕组直接均匀地缠绕在圆形铁心上，与仪表、继电器、变送器等电流线圈的二次负荷串联形成闭合回路，由于穿心式电流互感器不设一次绕组，其变比根据一次绕组穿过互感器铁心中的匝数确定，穿心匝数越多，变比越小；反之，穿心匝数越少，变比越大，额定电流比I1/n：式中I1——穿心一匝时一次额定电流；n——穿心匝数。三维轮廓激光干涉仪深度测量定位器的触发运动控制。

(6)半导体激光器计量特性的研究和创新。半导体激光器用于计量需要解决很多问题(如线宽、定标、变频等)。但如果解决了诸多问题以后，半导体激光系统比气体激光系统更复杂，就不会有竞争力。有些问题在物理层面上也没有完全解决。例如半导体激光器如果能形成双频，无疑是一种十分重要的特性，如果既能扫频又有两个相近的频率扫描，就会成为一种新的无导轨测量工具。本专业培养具备精密仪器设计制造以及测量与控制方面基础知识与应用能力，能在国民经济各部门从事测量与控制领域内有关技术、仪器与系统的设计制造、科技开发、应用研究、运行管理等方面的高级工程技术人才。

扩散型半导体应变片

这种应变片是将 P型杂质扩散到一个高电阻N型硅基底上，形成一层极薄的P型导电层，然后用超声波或热压焊法焊接引线而制成（图2）。它的优点是稳定性好，机械滞后和蠕变小，电阻温度系数也比一般体型半导体应变片小一个数量级。缺点是由于存在P-N结，当温度升高时，绝缘电阻大为下降。半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线，结尾粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。是一种利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件。新型固态压阻式传感器中的敏感元件硅梁和硅杯等就是用扩散法制成的。 晶圆表面测量可以在各种各样的目标上进行测量。

阻尼时间

1 热电系、热线系及静电系仪表，吊丝式仪表和指针长度大于150MM 的仪表，其可动部分的阻尼时间应不超过6S。其余的仪表应不超过4S。当被测量突然改变时，仪表指示器的前列次偏转值与稳定后的偏转值之比应不大于1.5。凡外电路电阻有规定范围时，当电阻在这个范围内变动时，其阻尼时间均应满足要求。

2 测定仪表指示器的阻尼时间时，应遵守规定。测定阻尼时间时，应自被测之量开始改变(或放回指示器)时起，至指示器离结尾静止位置不大于标度尺长度1%时止。在测定阻尼时间的同时，读取指示器前列次偏转值与稳定后的偏转值，然后求出其比值。测定阻尼时间的具体规定如下：A.单向标度尺仪表——自接入被测量至指示器偏转至标度尺几何中心附近时测定；B.双向对称标度尺仪表——自断开相当于标度尺最大值的被测量时测定；C.双向非对称标度尺仪表——自断开或接通相当于标度尺全长一半的被测量时测定；D.比率表和无机械零位标度尺仪表——自改变被测量使指示器由始点移至标度尺几何中心附近时测定。也允许接入约相当于标度尺几何中心的被测量，再将指示器用机械方法移至标度尺的始点或终点，然后放回指示器的方法测定。测定阻尼时间时应测三次，取其平均值。 摆动，θx（Φ）和θy（Φ），它是通过组合两个XY-跳动误差水平计算出来的。 其中Φ是围绕Z轴的样本旋转。天津测量激光干涉仪

三坐标测量机和加工中心的校准。光电激光干涉仪高精度测量

在光电效应中，要释放光电子显然需要有足够的能量。根据经典电磁理论，光是电磁波，电磁波的能量决定于它的强度，即只与电磁波的振幅有关，而与电磁波的频率无关。而实验规律中的较早、第二两点显然用经典理论无法解释。第三条也不能解释，因为根据经典理论，对很弱的光要想使电子获得足够的能量逸出，必须有一个能量积累的过程而不可能瞬时产生光电子。光电效应里，电子的射出方向不是完全定向的，只是大部分都垂直于金属表面射出，与光照方向无关，光是电磁波，但是光是高频震荡的正交电磁场，振幅很小，不会对电子射出方向产生影响。所有这些实际上已经曝露出了经典理论的缺陷，要想解释光电效应必须突破经典理论光电激光干涉仪高精度测量

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