长宁区HTOL测试机供应

时间:2024年03月18日 来源:

    高温工作寿命实验(Hightemperatureoperatinglifetest:HTOL)测试目的:芯片处于高温条件下,加入动态信号,并长时间工作,以评估其使用寿命,并确定其可靠性。测试条件:结温(Tj)≧125℃,电压Vcc≧Vccmax,测试时间:1000hrs样品数:77ea/lot,3lots测试读点:168、500、1000hrs参考规范:、JESD22-A108JESD22-A108B:Temperature,Bias,andOperatingLifeJESD85:METHODSFORCALCULATINGFAILURERATESINUNITSOFFITSJESD47K:Stress-Test-DrivenQualificationofIntegratedCircuitsJESD74:EarlyLifeFailureRateCalculationProcedureforSemiconductorComponents芯片工作寿命试验、老化试验(OperatingLifeTest),为利用温度、电压加速方式,在短时间试验内,预估芯片在长时间可工作下的寿命时间(生命周期预估)。BI(Burn-in)/ELFR(EarlyLifeFailureRate):评估早夭阶段的故障率或藉由BI手法降低出货的早夭率-DPPM(DefectPartsPer-Million),针对失效模式中的InfantMortality,一般测试低于48小时,车规级芯片需要100%BI测试。HTOL(HighTemperatureOperatingLife):评估可使用期的寿命时间-FIT/MTTF,针对失效模式中的Wearout,一般需要测试1000小时,属于抽样测试。 上海顶策科技TH801智能老化系统,是一款全程数据实时记录的高效HTOL设备。长宁区HTOL测试机供应

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本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除的电荷分布示意图;发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除后的电荷分布示意图。图8为本发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除循环后再进行htol测试的输出电流iref分布图。其中,具体标号如下:100-衬底;101-源极;102-漏极;103-隧穿氧化层;104-浮栅;105-栅间介质层;106-控制栅;107-侧墙;具体实施方式本发明提供一种闪存htol测试方法,以下结合附图和具体实施例作进一步详细说明。根据下面说明,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精细的比例,*用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。图1为本发明实施例的闪存htol测试方法流程图,集成电路动态老化设备,上海顶策科技有限公司自主研发TH801智能一体化HTOL测试机。江苏HTOL测试机排行榜

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